有哪些行业 会用碳化硅二极管并且用的比较多_百度知道
有哪些行业 会用碳化硅二极管并且用的比较多
除了太阳能逆变器，新能源汽车充电器，有色金属锻炼，光伏逆变器
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没听说过二极管用碳化硅。机械行业砂轮片用碳化硅材料作研磨。
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碳化硅二极管
意法半导体2A - 40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (结势垒肖特基)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 发布首个1200V碳化硅(SiC)二极管 —— FFSH40120ADN，纳入即将推出的SiC解决方案系列。
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出新款汽车质量级碳化硅(SiC)二极管，以满足电动汽车和插电式混合动力汽车(PHEV, Plug-in Hybrids)等新能源汽车对车载充电器(OBC, on-board battery chargers)在有限空间内处理大功率的苛刻要求。
意法半导体推出第二代串联二极管（tandem diodes），让设计人员以高成本效益的方式提升设备能效，目标应用包括电源、太阳能逆变器和电动交通工具充电桩。
与第一代产品相比，新的二极管产品降低了反向恢复电荷(QRR，reverse-recovery charge)，从而能够最大限度降低开关损耗，能效优势高于标准超高速二极管。
意法半导体新功率产品组合利用碳化硅技术的能效优势提高太阳能发电率
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【产品】可替代硅功率二极管！详解碳化硅二极管
功率二极管是电力电子功率设备最基本的组成单元，其单向导电性可用于功率电路的整流、箝位、续流等。功率二极管主要包括：普通功率二极管、快速功率二极管（FRD）和肖特基功率二极管（SBD）等等，了解这些功率二极管的特性，并合理应用功率二极管的性能是电力电子电路的重要内容，也是工程师必须要掌握的技巧。&那么，功率二极管哪几个重要特性会影响电力电子电路的性能指标呢？主要是正向导通特性、反向关断特性和工作温度特性。下面我们来一起探讨一下这些特性及影响。正向导通特性包括正向额定电流IF和正向导通电压UF，或者是正向IV曲线。正向额定电流越大、正向导通电压越小，则功率二极管的正向导通特性越好，在电力电子电路中的导通损耗就越小，功率效率就越高。反向关断特性包括反向阻断电压URRM和反向漏电流IRR及反向恢复时间TR，反向阻断电压越高，反向漏电流及反向恢复时间越小，则功率二极管的反向关断特性越好，在电力电子电路中的工作电压就可以越高、开关损耗就会越小，开关频率就可以越高，功率密度就会越高。工作温度特性包括热稳定性和热导率，热稳定性越好，则功率二极管工作越可靠，热导率越高，则散热越好，工作环境温度就可以越高。那么，碳化硅（SIC）是什么？SIC是一种宽禁带半导体材料，这种材料不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点。具体来说，就是其导热性能是硅（SI）材料的3倍以上，在相同的反向电压下，SIC材料的击穿电场强度比SI材料高10倍，而其内阻仅是SI的百分之一。故SIC器件的工作电压可以做的很高，而工作温度可以达到600℃，而一般的SI器件最多能坚持到150℃。下面是基于碳化硅材料的功率二极管和基于硅材料的功率二极管的特性比较。图1是正向导通特性的比较，可以看出，碳化硅肖特基功率二极管的正向导通电压比硅PIN功率二极管低，但导通电阻高，导通损耗取决于正向电流的大小。但碳化硅肖特基功率二极管的正向导通电压是正温度系数，而硅PIN功率二极管的正向导通电压是负温度系数，因此，碳化硅肖特基功率二极管其并联扩流能力是硅PIN功率二极管所无法比拟的。如图2所示，碳化硅肖特基功率二极管，流过各自二极管的电流能够连续自主平衡分配，最终达到均流。这是因为其正温度系数的导通电压UF，随着温度的升高而增大，因此电流流向温度低的二极管，确保了静态电流的再次平衡分配。而硅PIN功率二极管，流过各自二极管的电流是不能自主平衡分配的，最终必将导致失衡失效。因为其导通电压UF是负温度系数，随着温度的升高而降低，因此电流流向温度高的二极管，导致电流分配失衡扩大而最终失效。&图1：碳化硅功率二极管（Schottky）和硅功率二极管（PiN）正向导通特性比较图2：功率二极管并联扩流&图3是反向关断特性的比较，可以看出。碳化硅功率二极管的反向漏电流和反向恢复时间远远小于硅功率二极管，可大幅降低开关损耗，提高开关频率，因此，适用于比硅功率二极管高得多的工作电压范围的应用， 包括整流、箝位、续流等。&&&&&&&& 图3：碳化硅功率二极管（Schottky）和硅功率二极管（PiN）反向关断特性比较&从这些特性对比可以看出，碳化硅功率二极管的性能优势主要体现在反向关断特性和工作温度特性上，包括高反向阻断电压、低反向漏电流和零反向恢复时间、高热稳定性能、较好散热性能等，从而可以大幅降低开关损耗，提高开关频率，减少器件、减少电感电容的体积尺寸，优化电路，提高系统效率，节约成本。然而，单就碳化硅功率二极管和硅功率二极管的价差来看，确实还有较大的差异，但如果从碳化硅功率二极管带来的系统性能提升来看，将会发现其带来的总体效益远远超过两类器件的价差。碳化硅功率二极管特别适合体积小、重量轻的高压高频应用，如果充分发挥碳化硅功率二极管的特性，并结合碳化硅功率开关器件，这一整体优势将表现得更加明显。现在，当碳化硅功率二极管遇上硅功率二极管时，你该知道如何选择了。世强将为你提供碳化硅全球领导厂商（原CREE）高性能的碳化硅功率二极管、MOSFET和功率模块，并为你提供优质的服务。
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意法半导体(ST)650V碳化硅二极管具有独一无二的双管配置，可提高安全性、能效并节省空
意法半导体(ST)650V碳化硅二极管具有独一无二的双管配置，可提高安全性、能效并节省空
意法半导体的新双管配置碳化硅(SiC)肖特基二极管是市场上同类产品中首款每只管子额定电压650V且共阴极或串联配置的整流二极管，可用于交错式或无桥型功率因数校正(PFC)电路。磁化硅产品的能效和耐用性高于传统的二极管，意法半导体在碳化硅功率半导体技术创新方面居世界领先水平，STPSC6/8/10TH13TI和STPSC8/12/16/20H065C器件兼备碳化硅的高性能与双二极管的节省空间和降低E
意法半导体的新双管配置碳化硅(SiC)肖特基二极管是市场上同类产品中首款每只管子额定电压650V且共阴极或串联配置的整流二极管，可用于交错式或无桥型功率因数校正(PFC)电路。磁化硅产品的能效和耐用性高于传统的二极管，意法半导体在碳化硅功率半导体技术创新方面居世界领先水平，STPSC6/8/10TH13TI和STPSC8/12/16/20H065C器件兼备碳化硅的高性能与双二极管的节省空间和降低EMI干扰的双重优点。交错式或无桥型PFC拓扑可提高服务器电源、电信设备电源、太阳能逆变器、电动汽车充电站等设备的能效，而这两个系列产品是交错式或无桥型PFC的理想选择。这些业内独一无二的二极管在关断状态下反向恢复时间很短，解决了电能损耗问题，从而能够优化开关能效。而且650V额定电压提高了安全系数，对具有危害性的反向峰值电压具有防护作用。此外，STPSCxxTH13TI产品内置的陶瓷隔离层，有助于简化管子与外部散热器的连接，也可以不用外部隔离层。STPSC6TH13TI至STPSC10TH13TI(串联配置隔离型TO-220AB封装)和STPSC8H065C至STPSC20H065C (共阴极标准TO-220AB封装)已经上市。STPSC20H065C还提供TO-247封装。详情请访问。
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ST推出改进版串联二极管，提供经济的碳化硅二极管替代方案
[导读]21ic讯意法半导体推出第二代串联二极管(tandem diodes)，让设计人员以高成本效益的方式提升设备能效，目标应用包括电源、太阳能逆变器和电动交通工具充电桩。与第一代产品相比，新的二极管产品降低了反向恢复电荷(QR
21ic讯 推出第二代串联二极管(tandem diodes)，让设计人员以高成本效益的方式提升设备能效，目标应用包括电源、太阳能逆变器和电动交通工具充电桩。本文引用地址:
与第一代产品相比，新的二极管产品降低了反向恢复电荷(QRR，reverse-recovery charge)，从而能够最大限度降低开关损耗，能效优势高于标准超高速二极管。QRR 参数变低还有助于加快电路设计的微调速度，缩短设备厂商的新产品上市时间。新产品性能可与碳化硅二极管相媲美，但价格比碳化硅二极管低至少30%。
新产品包括平均正向电流为8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI与 12A的STTH12T06DI，属于600V串联二极管系列。新产品的正向涌流峰值与超高速二极管相同，确保稳健性和可靠性，工作结温范围宽达 -40&C到 175&C。
三款器件现已全部投入量产，采用TO-220AC绝缘散热柱型封装。
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