电流经过空开,pt二次电压空开选择会减弱吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-05-14 01:58 标签： 空开电流规格
开关电源输出端增加负载后，为什么没有出现电流增加烧坏开关电源，反而是输出电压大幅降低呢？_百度知道
开关电源输出端增加负载后，为什么没有出现电流增加烧坏开关电源，反而是输出电压大幅降低呢？
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因为开关电源内部包含过流保护，当达到保护门限时，会自动降低或关闭输出。
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出门在外也不愁在如图所示的电路中，电源电压不变，闭合开关后，滑动变阻器的滑片P向右端滑动时， A电流表示数减小，电压_百度知道
在如图所示的电路中，电源电压不变，闭合开关后，滑动变阻器的滑片P向右端滑动时， A电流表示数减小，电压
A电流表示数减小在如图所示的电路中，滑动变阻器的滑片P向右端滑动时，闭合开关后，电源电压不变
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所以流过R1的电流也不会变，R1的电阻也不变，所以电源电压不变R1和R2是并联关系。当滑片向右滑动时，R1的电压不变，也就是电压表的示数不变，电流表测R1的电流，电压表测R1和R2的并联的电压也就是电源电压，因为电源电压是不变的，也就是电流表的示数也不会变
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如果考虑内阻。c
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出门在外也不愁在实验中如把灯泡的电压从额定电压开始减小,测量出对应的电流,可算出电阻,可发现电阻_______ 其原因是_______ 在此实验中闭合开关的时间不能过长,就是这个原因
肆意纺麓256
电阻变大!原因：导体电阻的大小与导体长度、材料、横截面积以及温度有关.只是一般很少关注温度罢了.事实上,导体温度越高,电阻越大；温度越低,电阻越小.（一些物质如玻璃较特殊,除外）导体中的电流会使导体温度升高（Q=I^2*Rt）,因此实验中闭合开关的时间不能过长,就是这个原因.而测量小灯泡电阻时要求平均值也是这个原因.注：因为灯泡的原理是“热得发亮”,因此灯泡灯丝中的温度的变化更加明显,电阻的变化也更加明显~!~
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汲极电流/电压影响MOSFET开关性能 - 搭配电感拓扑，利用小讯号MOSFET降低电源转换功耗
来源：互联网
作者：秩名日 09:45
[导读] 汲极电流/电压影响MOSFET开关性能 至于转变损耗，仅高端开关受此机制影响，塬因在于所採用的续流二极体（图8中的D1）已接通，它将同步MOSFET上的电压降
　　汲极电流/电压影响MOSFET开关性能
　　至于转变损耗，仅高端开关受此机制影响，塬因在于所採用的续流二极体（图8中的D1）已接通，它将同步MOSFET上的电压降至较小的正向电压VF，若电路不含续流二极体，则情形有所不同。MOSFET的RDSon损耗须计入本体二极体的损耗，若不使用续流萧特基二极体，则效率通常受较高的VF和本体二极体反向恢復时间的影响。
　　图9表示MOSFET开关性能的测试电路，包含闸极至源极CGS、汲极至闸极CDG的寄生电容。电流源IG为控制闸极，在源极另一个电流源与一个续流二极体并联，随后连接VSS，只要MOSFET为关闭状态，电流便流经该二极体。导通过程中，若电流源IG打开，CGS的电压线性上升，直至达到闸极-源极阈值电压VGS（th）。此时开始有汲极电流通过，表示MOSFET在t0阶段依然处于关闭状态。
　　图9 MOSFET开关性能测试塬理图
　　汲极电流在t1阶段上升。同时闸极电压上升，直至达到VGS（pl）。VGS（pl）通常称为MOSFET的臺阶电压。它在资料手册中一般不会明确提及，但可由塬理图中的闸极电荷与闸极-源极电压衍生出来，在详细资料手册中可找到。t0和t1阶段过后，电荷为Q0=Vpl&（CGS+CDS）。
　　在下一个t2阶段，汲极电压下降，闸极-源极电压VGS保持恆定，为VGS（pl）。电荷Q1以相反方向对CDS充电，Q1=VSS &CDS。CDS有别于双极电晶体，它与米勒电容类似，且对MOSFET的开关性能有巨大影响。在t3阶段闸极电压再次增大，直到达到所需的最大闸极电压，此时电流源被截流。FET的RDSon进一步降低。闸极驱动器提供额外的电荷Q2如公式22所示：
　　Q2=（VGS（t4）&VGS（pl））&（CGS+CDS）。。。（22）
　　总电荷则为QG=Q0+Q1+Q2，对功率MOSFET而言，该电荷可轻易超过100nC，计算方式如公式23：
　　IG=QG/ts.。。。。。（23）
　　由此可见，闸极电流可经计算达到开关时间ts，若须较短的转换时间，就要使用强大的驱动器控制MOSFET，以保持较低的开关损耗。在t1阶段，MOSFET具有完全的输入电压，此时汲极电流增加；在下一个t2阶段，ID定而汲极-源极电压VDS下降，主要开关损耗均产生于这两个开关阶段；而t3阶段损耗极小，可忽略，RDSon下降到最小值，此时达到最终VGS电压。
　　开启时的开关损耗发生于t1和t2阶段，最主要损耗发生在t2，此时MOSFET的闸极电压保持在台阶电压V（pl）。损耗可由公式24计算：
　　PSW（on）=VIN&I/2&（t3+t1）&1/T？（24）
　　转换器的开关频率为fSW=1/T，MOSFET的关断特性与开启时类似。总开关损耗可由公式25计算：
　　PSW=VIN&1/T&（Imin/2&ton+Imax/ 2&toff）。。。。。。（25）
　　开关时间将取决于驱动器的电流驱动能力和MOSFET的闸极电阻，假设开启和关断时的驱动电流相等，则开关时间为tSW=QG/Idrive
　　LTC3851 tSW可由公式26估算：
　　tSW=QG&Rdrive/（Vdrive&VGS（th））。。。（26）
　　控制器的Rdrive约为2欧姆，与其有关的电压是驱动器电压INTVCC&V（th）。
　　小讯号MOSFET转换/散热效率俱优
　　显而易见，小讯号MOSFET适合中等功率DC-DC转换，若闸极-源极电压为4.5伏特，可提供15毫欧姆的RDSon，对SOT457元件而言，这是非常小的电阻，可提供更优异的电源转换效率，再加上採用铜片引线框架，让封装尺寸缩小，亦可具有良好散热性能。
　　图10是一张热成像照片，说明此一参考设计的DC-DC转换器PCB的输出电流为6安培，并将电压从10伏特降为1.5伏特，由于工作週期低至0.15，低端开关比高端开关散发更大的热量；而该元件的温度约为80℃，可推断结点温度Tj通常比封装表面高5？10℃，故本测试中，Tj低于90℃。
　　图10 内建DC-DC转换器的PCB热成像照片
　　高效率中等功率DC-DC转换器可採用小讯号MOSFET设计，P通道MOSFET作为高端开关，与萧特基二极体共同组成简单转换器，其中，萧特基二极体须具低正向电压，採用紧凑型扁平功率封装，若还须进一步提升效率，则要改採同步DC-DC转换器。
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用电高峰期，电灯往往会变暗．我们可将这一现象简化为如下问题进行研究：如图所示，原线圈输入有效值恒定的交变电压，在理想变压器的副线圈上，通过等效电阻为R的输电线连接两只灯泡L1和L2．当开关S闭合时，下列说法正确的是（　　）A．副线圈中的电流增大B．原线圈中的电流减小C．加在R两端的电压增大D．加在L1两端的电压减小
科目：高中物理
用电高峰期，电灯往往会变暗，其原理可简化为如下物理问题．如图所示，理想变压器的副线圈上，通过输电线连接两只相同的灯泡L1和L2，输电线的等效电阻为R，原线圈输入有效值恒定的交流电压，当开关S闭合时，以下说法中正确的是（　　）A．原线圈中电流减小B．副线圈输出电压减小C．R两端的电压增大D．原线圈输入功率减小
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（2009?南京一模）用电高峰期，电灯往往会变碚，其原理可简化为如下问题如图所示，理想变压器的副线圈上，通过输电线连接两只灯泡L1和L2，输电线的等效电阻为R，原线圈输入恒定的交变电压．开始时，开关S断开，当开关S闭合时，以下说法正确的有（　　）A．副线圈输出的电压减小B．原线圈输入的功率减小C．通过灯泡L1的电流增加D．等效电阻R的电压增加
科目：高中物理
用电高峰期，电灯往往会变暗，其原理可简化为如图所示的模型．即理想变压器原线圈电压稳定，副线圈上通过输电线连接两只相同的灯泡L1和L2，输电线的等效电阻为R，当开关S闭合时（　　）A、通过L1的电流减小B、R两端的电压增大C、副线圈输出电压减小D、副线圈输出功率减小
科目：高中物理
用电高峰期，电灯往往会变暗，其原理可简化为如下物理问题．如图所示，理想变压器的副线圈上，通过输电线连接两只相同的灯泡L1和L2，输电线的等效电阻为R，原线圈输入有效值恒定的交流电压，当开关S闭合时，以下说法正确的是（　　）A、原线圈中电流减小B、副线圈输出电压减小C、原线圈输入功率减小D、R两端的电压增大

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