现用四氯化硅和氮气在氢气气氛保护下，加强热发生反应 反应方程式为什么_百度知道
现用四氯化硅和氮气在氢气气氛保护下，加强热发生反应 反应方程式为什么
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SiCl4 + 2H2==加热===SI +4HCl 制取高纯度硅办
不是和氮气反应么、
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SiCl4＋2H2＝Si＋4HCl
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出门在外也不愁　　摘 要：热氢化炉的反应温度是影响转化率的重要因素，而目前生产中热氢化炉难以直观得到炉内温度，对炉内温度的控制带来困难。" />
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提高热氢化转化率的温度控制法
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　　摘 要：热氢化炉的反应温度是影响转化率的重要因素，而目前生产中热氢化炉难以直观得到炉内温度，对炉内温度的控制带来困难。针对此问题利用热量守恒原理从尾气温度入手反控炉内温度，进而控制氢化转化率。 中国论文网 /2/view-4826343.htm　　关键词：热氢化 转化率 尾气温度 　　一、引言 　　在多晶硅改良西门子法生产技术中氢化是节能环保的重要工艺环节，氢化的生产转化率提升直接制约着整条生产线的能耗成本。现有氢化技术主要有热氢化和冷氢化，本文主要探讨热氢化。热氢化技术系低压高温反应原理，这种反应原理下反应温度是制约生产转化率的重要因素。国内现有的热氢化炉虽然炉内设置的加热件对数各异，但是炉子结构基本大致相似，均由外金属钟罩（有夹腔）、保温罩、加热件、基盘等组成，还有一个小差异是金属钟罩是否开视窗孔。有视窗的热氢化炉虽然可以通过视窗设置红外测温仪检测炉内温度，但生产几天后视窗就模糊不清直至检测不到温度值。所以无论有无视窗在生产中都较难很直接的检测到炉内温度，而热氢化炉的温度控制又是提高转化率的重要因素。要控制好反应温度，需要寻求一个温度点作为控制依据。 　　本文主要是针对现有的热氢化炉结构很难直观的检测到炉内温度的情况下，利用热氢化炉的热量衡算可从尾气温度着手检测反应温度控制氢化转化率。 　　二、热氢化工艺原理 　　热氢化炉是将四氯化硅、氢气按一定配比的混合气体送入反应炉，在通电的石墨或炭炭加热件的高温热场下进行反应，得到三氯氢硅，同时生成氯化氢[1]。 　　热氢化炉是连续性生产，四氯化硅和氢气混合气通入氢化炉内，产品三氯氢硅连同四氯化硅及氢气、HCl源源不断地从出气管道中排出。 　　三、温度控制对热氢化炉的重要性 　　在热氢化炉反应器内压力和原料配比变化不大时，温度对反应的正向进行很关键。合适的温度是影响热氢化炉稳定运行时间和热氢化转化率的重要因素，现国内四氯化硅连续稳定生产转化率多在15～20%之间[2]。 　　热氢化炉内的主反应为STC氢化反应生成TCS（1250℃），还存在副反应STC的氢还原反应生成Si（℃）和TCS氢还原反应生成Si（1050℃）。副反应生成的这些硅可能在发热体表面和保温罩上富集影响热氢化炉绝缘；虽然生成硅的副反应多，但反应温度均低于主反应，所以需要将炉内温度控制较高，但是温度过高，又有可能直接将发热体或保温罩烧坏，过热的氢化尾气也对管道设备使用寿命产生影响，严重时会造成生产事故。所以，在四氯化硅热氢化生产过程中，对氢化炉内的温度控制是相当严格的。 　　四、热氢化炉的热量衡算 　　热氢化炉的反应温度主要由热氢化炉内的石墨或炭炭加热件通电发热提供，为了避免氢化炉内部电加热体产生的高温损害炉体，在炉筒内部设置石墨和碳炭复合材料保温罩，保护金属外罩的同时也保持炉内温度损失提高热量利用率。虽然有保温罩隔离但是炉筒所接触的温度还是较高，所以炉筒是带有冷却水腔的结构，由冷却水及时带走热量。热氢化反应为可逆反应，为了提高四氯化硅转化率，氢化炉尾体进入尾气管时需要快速冷却降温，避免逆反应的进行，所以在热氢化炉的尾气出口处设置尾气冷却器，冷却水及时为尾气冷却降温控制逆反应。 　　由图1热氢化炉内的进出物料、进出冷却水等可得出热氢化炉的热量平衡：Q进料热量+Q炉内发热量-Q炉筒水带走热量-Q尾气冷却水带走热量=Q尾气热量 　　五、通过尾气温度的控制氢化炉反应 　　炉内的发热量是我们最终需要控制的热量点，但是这个热量无法直接得到它的温度值，因而可以由热量衡算其它的因素着手，利用“Q进料热量、Q炉筒水带走热量、Q尾气冷却水带走热量、Q尾气热量” 反推得出炉内的发热量，但是所有的热量均频繁性的变化很难精准控制。这些已知热量在生产中的控制如下：进料量的温度是可以通过炉前的进料换热器控制精准的；炉筒水尾气冷却器的带走的热量，在回水点上均设置了温度计流量计，可以通过恒定的流量观察回水温度变化来控制带走的热量值；炉内的发热量由加热件的功率得到；尾气出口设置了尾气温度，可以直观的得到尾气的热量值。 　　生产中控制进料温度、炉筒水、尾气冷却水流量恒定，增加氢化炉内功率观察炉筒水、尾气冷却器水温、尾气温度变化的情况升功率升物料。在炉筒水、尾气冷却器进出水温变化在5～10℃之间时，尾气温度随着功率的升高而升高；一旦炉筒水、尾气冷却器进出水温变化超出10℃，不再升功率此时增加进料量使得水温变化恢复到5～10℃之间，当发现尾气温度不再升高时再继续增加功率。即控制炉筒水、尾气冷却器进出水温变化范围5～10℃之间，尾气温度升高速率快时增加物料，尾气温度升高速率慢时增加功率。以此方法得出一条根据尾气温度控制的氢化进料功率曲线。 　　在尾气温度每提高10℃时取一次尾气样，测算此时的转化率，通过尾气温度控制转化率的结果（见图2）： 　　图1 热氢化炉冷却水示意图 　　图2不同尾气温度下的氢化转化率 　　六、结论 　　氢化炉的转化率直接影响着STC的处理率，对于整个多晶硅生产线的物料平衡节能降耗影响较大。而氢化炉的反应温度是控制转化率的重要因素，生产上难以直观得到氢化炉内的温度，用热量守恒原理从尾气温度入手反控炉内温度，进而控制转化率也是较为方便高效的工艺方法。 　　参考文献 　　[1]董黎明，雷钦祥，刘成玲，多晶硅氢化炉及还原炉的研发[J].节能与环保，. 　　[2]王跃，吴青友，印永祥.四氯化硅的氢化处理技术进展[J]. 四川化工，）：13-16. 　　[3]严世权，叶芸华. 我国改良西门子法多晶硅生产技术进展[J].上海有色金属，）：167-169.
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多晶硅生产工艺85
多晶硅生产工艺；1，改良西门子法――闭环式三氯氢硅氢还原法；改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢）；国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与；2，硅烷法――硅烷热分解法；硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法；3，流化床法；以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内；制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进；此法是美
多晶硅生产工艺1，改良西门子法――闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。2，硅烷法――硅烷热分解法硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。但美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。3，流化床法以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。4，太阳能级多晶硅新工艺技术除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。1）冶金法生产太阳能级多晶硅据资料报导[1]日本川崎制铁公司采用冶金法制得的多晶硅已在世界上最大的太阳能电池厂（SHARP公司）应用，现已形成800吨/年的生产能力，全量供给SHARP公司。主要工艺是：选择纯度较好的工业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。2）气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅据资料报导[1]以日本Tokuyama公司为代表，目前10吨试验线在运行，200吨半商业化规模生产线在年间投入试运行。主要工艺是：将反应器中的石墨管的温度升高到1500℃，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入，在石墨管内壁1500℃高温处反应生成液体状硅，然后滴入底部，温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。3）重掺硅废料提纯法生产太阳能级多晶硅据美国Crystal Systems资料报导[1]，美国通过对重掺单晶硅生产过程中产生的硅废料提纯后，可以用作太阳能电池生产用的多晶硅，最终成本价可望控制在20美元/Kg以下。 这里对几家国内多晶硅厂和国外多晶硅厂的设备技术做些比较.新光核心技术是俄罗斯技术,也就是改良西门子技术同时还有德国设备已经取得较大程度的磨合.今年估计产能300吨.估计实际产能会小于此数.明年预估800-1000吨洛阳中硅核心技术也是俄罗斯技术,今年也是300吨,明年预估1000吨.峨眉半导体核心技术也是俄罗斯技术今年200吨.LDK 首先从德国sunways 买来了两套现成的 simens设备, 包括所有的附件. sunways 帮助安装,和调试生产. 这两套设备年产量1000吨. 按照合同, 今年第四季度两套设备会送到江西. (我估计现在该到了, LDK 的人能证实一下吗?). 明年6月份投产. 作为回报, LDK 在10 年内卖1GW 的wafer 给sunways.这是个很好的交易, 等于 sunways 帮LDK 培育生产硅料的人才.另外, LDK 还从 美国GT solar 买新的生产硅料的设备, 建成后, 2008 年有6000吨的规模, 2009 年有15000吨的规模. 整个施工有美国Fluor 设计. Fluor的实力 强大无比, 只要它还在, 成功的可能性也很大.LDK了解的比较深就多写些.扬州顺大引进国外技术,计划明年量产6000吨青海亚洲硅业(施正荣投资)引进国外技术,计划明年量产1000吨同时STP和亚洲硅业签了长单协议明年下半年开始供货其他的就不说了都没什么可能性.现在说国外的HEMLOCK.主要工艺是西门子法.2008年实现以三氯氢硅,二氯二氢硅.硅烷为原料,流化床反应器的多晶硅生产新技术.明年增加3000吨产能达到12000吨.TOKUYAMA二氯二氢硅+工业硅西门子工艺明年产能6000吨.WACKER二氯二氢硅+工业硅西门子工艺明年产能9000吨.MEMC流化床工艺明年产能8000吨REC西门子工艺明年产能7000吨国外多晶硅生产技术发展的特点：1）研发的新工艺技术几乎全是以满足太阳能光伏硅电池行业所需要的太阳能级多晶硅。2）研发的新工艺技术主要集中体现在多晶硅生成反应器装置上，多晶硅生成反应器是复杂的多晶硅生产系统中的一个提高产能、降低能耗的关键装置。3）研发的流化床（FBR）反应器粒状多晶硅生成的工艺技术，将是生产太阳能级多晶硅首选的工艺技术。其次是研发的石墨管状炉（Tube-Recator）反应器，也是降低多晶硅生产电耗，实现连续性大规模化生产，提高生产效率，降低生产成本的新工艺技术。4）流化床（FBR）反应器和石墨管状炉（Tube-Recator）反应器，生成粒状多晶硅的硅原料可以用硅烷、二氯二氢硅或是三氯氢硅。5）在2005年前多晶硅扩产中100%都采用改良西门子工艺。在2005年后多晶硅扩产中除Elkem外，基本上仍采用改良西门子工艺。通过以上分析可以看出，目前多晶硅主要的新增需求来自于太阳能光伏产业，国际上已经形成开发低成本、低能耗的太阳能级多晶硅生产新工艺技术的热潮，并趋向于把生产低纯度的太阳能级多晶硅工艺和生产高纯度电子级多晶硅工艺区分开来，以降低太阳能级多晶硅生产成本，从而降低太阳能电池制造成本，促进太阳能光伏产业的发展，普及太阳能的利用，无疑是一个重要的技术决策方向。2，国内多晶硅技术发趋势目前国内的几家多晶硅生产单位的扩产，都是采用改良西门子工艺技术。还没见到新的工艺技术有所突破的报导。多晶硅工艺流程及产污分析
1 、氢气制备与净化工序在电解槽内经电解脱盐水制得氢气。电解制得的氢气经过冷却、分离液体后，进入除氧器，在催化剂的作用下，氢气中的微量氧气与氢气反应生成水而被除去。除氧后的氢气通过一组吸附干燥器而被干燥。净化干燥后的氢气送入氢气贮罐，然后送往氯化氢合成、三氯氢硅氢还原、四氯化硅氢化工序。电解制得的氧气经冷却、分离液体后，送入氧气贮罐。出氧气贮罐的氧气送去装瓶。气液分离器排放废吸附剂、氢气脱氧器有废脱氧催化剂排放、干燥器有废吸附剂排放，均供货商回收再利用。2、氯化氢合成工序从氢气制备与净化工序来的氢气和从合成气干法分离工序返回的循环氢气分别进入本工序氢气缓冲罐并在罐内混合。出氢气缓冲罐的氢气引入氯化氢合成炉底部的燃烧枪。从液氯汽化工序来的氯气经氯气缓冲罐，也引入氯化氢合成炉的底部的燃烧枪。氢气与氯气的混合气体在燃烧枪出口被点燃，经燃烧反应生成氯化氢气体。出合成炉的氯化氢气体流经空气冷却器、水冷却器、深冷却器、雾沫分离器后，被送往三氯氢硅合成工序。为保证安全，本装置设置有一套主要由两台氯化氢降膜吸收器和两套盐酸循环槽、盐酸循环泵组成的氯化氢气体吸收系统，可用水吸收因装置负荷调整或紧急泄放而排出的氯化氢气体。该系统保持连续运转，可随时接收并吸收装置排出的氯化氢气体。为保证安全，本工序设置一套主要由废气处理塔、碱液循环槽、碱液循环泵和碱液循环冷却器组成的含氯废气处理系统。必要时，氯气缓冲罐及管道内的氯气可以送入废气处理塔内，用氢氧化钠水溶液洗涤除去。该废气处理系统保持连续运转，以保证可以随时接收并处理含氯气体。3、三氯氢硅合成工序原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。硅粉从接收料斗放入下方的中间料斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气体并升压至与下方料斗压力平衡后，硅粉被放入下方的硅粉供应料斗。供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送入三氯氢硅合成炉进料管。从氯化氢合成工序来的氯化氢气，与从循环氯化氢缓冲罐送来的循环氯化氢气混合后，引入三氯氢硅合成炉进料管，将从硅粉供应料斗供入管内的硅粉挟带并输送，从底部进入三氯氢硅合成炉。在三氯氢硅合成炉内，硅粉与氯化氢气体形成沸腾床并发生反应，生成三氯氢硅，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、金属氯化物、聚氯硅烷、氢气等产物，此混合气体被称作三氯氢硅合成气。反应大量放热。合成炉外壁设置有水夹套，通过夹套内水带走热量维持炉壁的温度。 出合成炉顶部挟带有硅粉的合成气，经三级旋风除尘器组成的干法除尘系统除去部分硅粉后，送入湿法除尘系统，被四氯化硅液体洗涤，气体中的部分细小硅尘被洗下；洗涤同时，通入湿氢气与气体接触，气体所含部分金属氧化物发生水解而被除去。除去了硅粉而被净化的混合气体送往合成气干法分离工序。4、合成气干法分离工序从三氯氢硅氢合成工序来的合成气在此工序被分离成氯硅烷液体、氢气和氯化氢气体，分别循环回装置使用。三氯氢硅合成气流经混合气缓冲罐，然后进入喷淋洗涤塔，被塔顶流下的低温氯硅烷液体洗涤。气体中的大部份氯硅烷被冷凝并混入洗涤液中。出塔底的氯硅烷用泵增压，大部分经冷冻降温后循环回塔顶用于气体的洗涤，多余部份的氯硅烷送入氯化氢解析塔。出喷淋洗涤塔塔顶除去了大部分氯硅烷的气体，用混合气压缩机压缩并经冷冻降温后，送入氯化氢吸收塔，被从氯化氢解析塔底部送来的经冷冻降温的氯硅烷液体洗涤，气体中绝大部分的氯化氢被氯硅烷吸收，气体中残留的大部分氯硅烷也被洗涤冷凝下来。出塔顶的气体为含有微量氯化氢和氯硅烷的氢气，经一组变温变压吸附器进一步除去氯化氢和氯硅烷后，得到高纯度的氢气。氢气流经氢气缓冲罐，然后返回氯化氢合成工序参与合成氯化氢的反应。吸附器再生废气含有氢气、氯化氢和氯硅烷，送往废气处理工序进行处理。出氯化氢吸收塔底溶解有氯化氢气体的氯硅烷经加热后，与从喷淋洗涤塔底来的多余的氯硅烷汇合，然后送入氯化氢解析塔中部，通过减压蒸馏操作，在塔顶得到提纯的氯化氢气体。出塔氯化氢气体流经氯化氢缓冲罐，然后送至设置于三氯氢硅合成工序的循环氯化氢缓冲罐；塔底除去了氯化氢而得到再生的氯硅烷液体，大部分经冷却、冷冻降温后，送回氯化氢吸收塔用作吸收剂，多余的氯硅烷液体（即从三氯氢硅合成气中分离出的氯硅烷），经冷却后送往氯硅烷贮存工序的原料氯硅烷贮槽。5、氯硅烷分离提纯工序在三氯氢硅合成工序生成，经合成气干法分离工序分离出来的氯硅烷液体送入氯硅烷贮存工序的原料氯硅烷贮槽；在三氯氢硅还原工序生成，经还原尾气干法分离工序分离出来的氯硅烷液体送入氯硅烷贮存工序的还原氯硅烷贮槽；在四氯化硅氢化工序生成，经氢化气干法分离工序分离出来的氯硅烷液体送入氯硅烷贮存工序的氢化氯硅烷贮槽。原料氯硅烷液体、还原氯硅烷液体和氢化氯硅烷液体分别用泵抽出，送入氯硅烷分离提纯工序的不同精馏塔中。6、三氯氢硅氢还原工序经氯硅烷分离提纯工序精制的三氯氢硅，送入本工序的三氯氢硅汽化器，被热水加热汽化；从还原尾气干法分离工序返回的循环氢气流经氢气缓冲罐后，也通入汽化器内，与三氯氢硅蒸汽形成一定比例的混合气体。从三氯氢硅汽化器来的三氯氢硅与氢气的混合气体，送入还原炉内。在还原炉内通电的炽热硅芯/硅棒的表面，三氯氢硅发生氢还原反应，生成硅沉积下来，使硅芯/硅棒的直径逐渐变大，直至达到规定的尺寸。氢还原反应同时生成二氯二氢硅、四氯化硅、氯化氢和氢气，与未反应的三氯氢硅和氢气一起送出还原炉，经还原尾气冷却器用循环冷却水冷却后，直接送往还原尾气干法分离工序。还原炉炉筒夹套通入热水，以移除炉内炽热硅芯向炉筒内壁辐射的热量，维持炉筒内壁的温度。出炉筒夹套的高温热水送往热能回收工序，经废热锅炉生产水蒸汽而降温后，循环回本工序各还原炉夹套使用。还原炉在装好硅芯后，开车前先用水力射流式真空泵抽真空，再用氮气置换炉内空气，再用氢气置换炉内氮气（氮气排空），然后加热运行，因此开车阶段要向环境空气中排放氮气，和少量的真空泵用水（可作为清洁下水排放）；在停炉开炉阶段（约5－7天1次），先用氢气将还原炉内含有氯硅烷、氯化氢、氢气的混合气体压入还原尾气干法回收系统进行回收，然后用氮气置换后排空，取出多晶硅产品、移出废石墨电极、视情况进行炉内超纯水洗涤，因此停炉阶段将产生氮气、废石墨和清洗废水。氮气是无害气体，因此正常情况下还原炉开、停车阶段无有害气体排放。废石墨由原生产厂回收，清洗废水送项目含氯化物酸碱废水处理系统处理。7 、还原尾气干法分离工序从三氯氢硅氢还原工序来的还原尾气经此工序被分离成氯硅烷液体、氢气和氯化氢气体，分别循环回装置使用。还原尾气干法分离的原理和流程与三氯氢硅合成气干法分离工序十分类似。从变温变压吸附器出口得到的高纯度的氢气，流经氢气缓冲罐后，大部分返回三氯氢硅氢还原工序参与制取多晶硅的反应，多余的氢气送往四氯化硅氢化工序参与四氯化硅的氢化反应；吸附器再生废气送往废气处理工序进行处理；从氯化氢解析塔顶部得到提纯的氯化氢气体，送往放置于三氯氢硅合成工序的循环氯化氢缓冲罐；从氯化氢解析塔底部引出的多余的氯硅烷液体（即从三氯氢硅氢还原尾气中分离出的氯硅烷），送入氯硅烷贮存工序的还原氯硅烷贮槽。8、四氯化硅氢化工序经氯硅烷分离提纯工序精制的四氯化硅，送入本工序的四氯化硅汽化器，被热水加热汽化。从氢气制备与净化工序送来的氢气和从还原尾气干法分离工序来的多余氢气在氢气缓冲罐混合后，也通入汽化器内，与四氯化硅蒸汽形成一定比例的混合气体。从四氯化硅汽化器来的四氯化硅与氢气的混合气体，送入氢化炉内。在氢化炉内通电的炽热电极表面附近，发生四氯化硅的氢化反应，生成三氯氢硅，同时生成氯化氢。出氢化炉的含有三氯氢硅、氯化氢和未反应的四氯化硅、氢气的混合气体，送往氢化气干法分离工序。 氢化炉的炉筒夹套通入热水，以移除炉内炽热电极向炉筒内壁辐射的热量，维持炉筒内壁的温度。出炉筒夹套的高温热水送往热能回收工序，经废热锅炉生产水蒸汽而降温后，循环回本工序各氢化炉夹套使用。9、氢化气干法分离工序从四氯化硅氢化工序来的氢化气经此工序被分离成氯硅烷液体、氢气和氯化氢气体，分别循环回装置使用。氢化气干法分离的原理和流程与三氯氢硅合成气干法分离工序十分类似。从变温变压吸附器出口得到的高纯度氢气，流经氢气缓冲罐后，返回四氯化硅氢化工序参与四氯化硅的氢化反应；吸附再生的废气送往废气处理工序进行处理；从氯化氢解析塔顶部得到提纯的氯化氢气体，送往放置于三氯氢硅合成工序的循环氯化氢缓冲罐；从氯化氢解析塔底部引出的多余的氯硅烷液体（即从氢化气中分离出的氯硅烷），送入氯硅烷贮存工序的氢化氯硅烷贮槽。10、氯硅烷贮存工序本工序设置以下贮槽：100m3氯硅烷贮槽、100m3工业级三氯氢硅贮槽、100m3工业级四氯化硅贮槽、100 m3氯硅烷紧急排放槽等。从合成气干法分离工序、还原尾气干法分离工序、氢化气干法分离工序分离得到的氯硅烷液体，分别送入原料、还原、氢化氯硅烷贮槽，然后氯硅烷液体分别作为原料送至氯硅烷分离提纯工序的不同精馏塔。在氯硅烷分离提纯工序3级精馏塔顶部得到的三氯氢硅、二氯二氢硅的混合液体，在4、5级精馏塔底得到的三氯氢硅液体，及在6、8、10级精馏塔底得到的三氯氢硅液体，送至工业级三氯氢硅贮槽，液体在槽内混合后作为工业级三氯氢硅产品外售。11、硅芯制备工序采用区熔炉拉制与切割并用的技术，加工制备还原炉初始生产时需安装于炉内的导电硅芯。硅芯制备过程中，需要用氢氟酸和硝酸对硅芯进行腐蚀处理，再用超纯水洗净硅芯，然后对硅芯进行干燥。酸腐蚀处理过程中会有氟化氢和氮氧化物气体逸出至空气中，故用风机通过罩于酸腐蚀处理槽上方的风罩抽吸含氟化氢和氮氧化物的空气，然后将该气体送往废气处理装置进行处理，达标排放。12、产品整理工序在还原炉内制得的多晶硅棒被从炉内取下，切断、破碎成块状的多晶硅。用氢氟酸和硝酸对块状多晶硅进行腐蚀处理，再用超纯水洗净多晶硅块，然后对多晶硅块进行干燥。酸腐蚀处理过程中会有氟化氢和氮氧化物气体逸出至空气中，故用风机通过罩于酸腐蚀处理槽上方的风罩抽吸含氟化氢和氮氧化物的空气，然后将该气体送往废气处理装置进行处理，达标排放。经检测达到规定的质量指标的块状多晶硅产品送去包装。13、废气及残液处理工序 1、含氯化氢工艺废气净化SiHCl3提纯工序排放的废气、还原炉开停车、事故排放废气、氯硅烷及氯化氢储存工序储包含各类专业文献、行业资料、生活休闲娱乐、应用写作文书、文学作品欣赏、专业论文、多晶硅生产工艺85等内容。　
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　 多晶硅生产工艺_能源/化工_工程科技_专业资料。多晶硅生产工艺 冶金级硅(工业硅)是制造多晶硅的原料,它由石英砂(二氧化硅)在电弧炉中 用碳还原而成。尽管二氧化硅...
　改良西门子法是目前生产多晶硅最为成熟、投资风险最小、最容易扩建的工艺, 国内外现有的多晶硅厂大多采用此法生产太阳能级与电子级多晶硅。 所生产的多 晶硅占当今...
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