190n80q是那种场效应管是什么器件？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2014-10-25 00:50 标签： 13007是场效应管还是
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石墨烯场效应管（GFET）氧化层电容是算顶栅的还是算背栅的？
石墨烯场效应管（GFET）氧化层电容是算顶栅的还是算背栅的？请问计算GFET中石墨烯迁移率时，公式里有一项是氧化层的电容Cox，请问Cox是底栅介质SiO2的电容还是顶栅介质的电容？
没大明白你的问题，你是用石墨烯层做沟道还是做栅极？你说的氧化层是指什么，是硅片上的SiO2层吗？还是你用别的绝缘层？ : Originally posted by sgquan at
没大明白你的问题，你是用石墨烯层做沟道还是做栅极？你说的氧化层是指什么，是硅片上的SiO2层吗？还是你用别的绝缘层？ 石墨烯做沟道的，下面是SiO2，上面是Al2O3，请问你计算迁移率时用什么公式？我用的公式里面有一项是Cox，我就不清楚这个Cox指的是什么？ Cox应该是绝缘层的电容，如果你的栅极是在Al2O3上面，那么Cox就是Al2O3的电容了，如果栅极是SiO2下面的硅的话，那么Cox就是SiO2的电容了。 最好是把结构图给我们看看。公式里的电容是源漏电极和栅极之间的绝缘层的电容。顶接触和底接触是依据源漏电极与半导体的接触方式不同而划分的。要是再加上栅极的话，应该有四种结构。 : Originally posted by jtamour828 at
最好是把结构图给我们看看。公式里的电容是源漏电极和栅极之间的绝缘层的电容。顶接触和底接触是依据源漏电极与半导体的接触方式不同而划分的。要是再加上栅极的话，应该有四种结构。 我说的再加上是，就是栅极的位置。 : Originally posted by jtamour828 at
最好是把结构图给我们看看。公式里的电容是源漏电极和栅极之间的绝缘层的电容。顶接触和底接触是依据源漏电极与半导体的接触方式不同而划分的。要是再加上栅极的话，应该有四种结构。 你好，我做的是双栅结构，既有顶栅电极又有背栅电极。你的意思是我在背栅电极上加压Cox就是背栅介质（SiO2）的电容，若我在顶栅上加压，Cox就是指顶栅介质（Al2O3）的电容，请问是这样吗？ : Originally posted by sgquan at
Cox应该是绝缘层的电容，如果你的栅极是在Al2O3上面，那么Cox就是Al2O3的电容了，如果栅极是SiO2下面的硅的话，那么Cox就是SiO2的电容了。 你好，我做的是双栅结构，既有顶栅电极又有背栅电极。你的意思是我在背栅电极上加压Cox就是背栅介质（SiO2）的电容，若我在顶栅上加压，Cox就是指顶栅介质（Al2O3）的电容，请问是这样吗？ : Originally posted by haohaowind at
你好，我做的是双栅结构，既有顶栅电极又有背栅电极。你的意思是我在背栅电极上加压Cox就是背栅介质（SiO2）的电容，若我在顶栅上加压，Cox就是指顶栅介质（Al2O3）的电容，请问是这样吗？... 导电沟道下面的电容 : Originally posted by jtamour828 at
导电沟道下面的电容... 所形成的导电沟道下面的绝缘层电容吧。双栅极我没接触过，要是两个栅极的话，半导体在两个栅极中间。那是不是两个栅极加不同方向的偏压啊？我觉得看看结构，再看看所加的偏压才能确定吧。好好研究一下结构，然后确定导电沟道是怎么形成的。 : Originally posted by haohaowind at
你好，我做的是双栅结构，既有顶栅电极又有背栅电极。你的意思是我在背栅电极上加压Cox就是背栅介质（SiO2）的电容，若我在顶栅上加压，Cox就是指顶栅介质（Al2O3）的电容，请问是这样吗？... 说的非常正确，在背栅电极上加压Cox就是背栅介质（SiO2）的电容，若在顶栅上加压，Cox就是指顶栅介质（Al2O3）的电容。如果双栅都加电压就是调控了...非常想知道你做双栅的目的是干什么？ 请问测量迁移率的公式是什么？

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