运用ufs2.0对比emmc5.0的手机有哪些

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-02-29 01:11 标签： ufs 2.0 手机
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从eMMC到UFS 看手机闪存变化了什么
导读：在现在主流旗舰手机都采用eMMC5.0规格的闪存的潮流中，一种新的闪传规格悄然出现，它就是UFS2.0闪传标准，有着比eMMC5.0更快的读取性能。
在手机兴起的这几年中，手机的闪传规格有了很大的提高，从eMMC规格的标准逐渐从eMMC4.3时代发展到现时的eMMC5.0存储产品，手机的闪传性能有了十分大的提高。不过，在现在主流旗舰手机都采用eMMC5.0规格的闪存的潮流中，一种新的闪传规格悄然出现，它就是UFS2.0闪传标准，有着比eMMC5.0更快的读取性能。
eMMC (EmbeddedMulti Media Card) 为MMC协会所订立的、主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC目前是最当红的便携移动产品解决方案，目的在于简化终端产品存储器的设计。由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、东芝或海力士、镁光等，当设计厂商在导入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有1个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。
eMMC的设计概念，就是为了简化内存储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。
现在，eMMC 4.5已经问世，eMMC 4.4的读取速度大约为104MB/s、eMMC 4.5则为200MB/s，性能在当时也是十分优秀的；而在日三星开始量产行业首款eMMC 5.0存储产品，其读取速度为400MB/s，但是因为使用的是8位并行界面，因此性能潜力已经基本到达瓶颈，以最新的eMMC 5.1规范来说，其理论带宽为600MB/s左右，性能的大提升基本是不可能的了。
2011年电子设备工程联合委员会（Joint Electron Device En gineering Council，简称JEDEC）发布了第一代通用闪存存储（Universal Flash Storage，简称UFS）标准，希望能够替代eMMC。然而，第一代的UFS并不受欢迎，因为相对于不断更新换代的eMMC它似乎没有提供足够的优势。为此，JEDEC在2013年9月发布了新一代的通用闪存存储标准UFS 2.0，该标准下的闪存读写速度可以高达每秒1 400MB，这相当于在两秒钟内读写两个CD光盘的数据，不仅相比eMMC它有巨大的优势，它甚至能够让电脑上使用的闪存存储介质固态硬盘也相形见绌。
UFS 2.0的闪存使用的是串行界面，很像PATA、SATA的转换。并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列。相比之下，eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包的，在速度上就已经是略逊一筹了。而且UFS芯片不仅传输速度快，功耗也要比eMMC 5.0低一半，可以说是日后旗舰手机闪存的理想搭配。
除了在速度性能方面有着巨大优势之外，在功耗方面UFS 2.0也有更好表现。事实上，如果从功耗方面来比较，即使是新一代的UFS 2.0标准也是能够与eMMC持平。不过eMMC和UFS 2.0在操作过程中消耗的功率约为1mW(毫瓦)，而待机状态下功耗将低于0.5mW。当UFS 2.0满载时，所消耗的功率实际上比eMMC还要多，但它可以更快地完成操作而更早地切换到待机状态，因此在功耗方面的表现UFS 2.0与eMMC不相上下。
虽然eMMC在传输速度和性能方面不及现在最新的UFS2.0，但在日后相当长的一段时间内，还是会继续占领移动产品闪存芯片的主流。因为eMMC有着更成熟的工艺，能够大规模生产，成本更低更适合大众化的移动产品闪存芯片需求；而UFS2.0虽然很好，但是生产成本较高，在现在刚开始投入市场的初期，只能够被放在高端产品上使用。但以现在的趋势来看，UFS2.0将会逐渐成为移动产品市场的主流，毕竟科技是需要进步的。
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媲美三星S6 魅族PRO 5搭载超高速UFS2.0
文章来源：北京 [ 业界动态 ] 作者:新闻稿 日期:日
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周热门手机排行三星过渡到LPDDR4和UFS 2.0的意义：释放重量级应用的潜力
本月早些时候，我们曾对采用了Exynos 7420处理器Galaxy 6系新机和其它竞争机型进行了跑分和评比。不过Galaxy S6和S6 Edge还有其它杀手锏，比如全新的LPDDR4内存、以及符合USF 2.0标准的闪存。作为eMMC 5.0 / 5.1标准的继任者，UFS 2.0内置存储带给我们的最直观感受(除了快)，还有允许同时读/写、能够对输入命令按照优先级排序，同时尽快地执行。
就算对数据任务进行安排的功能有些“无关紧要”，但是顺序读写速度的提升还是相当可观的，尤其在处理大文件的时候(高清视频、无损音频、以及大量游戏)。由于三星的新闪存如此给力，以至于我们同时迎来了一款全新的评比软件，它就是。上面就是跑分结果，Galaxy S6毫无悬念的全程大幅领先。当然，基准测试并不能反映实际使用体验，比如处理日常任务的时候，大部分人几乎都是体会不到差别的。但如果你更侧重于重型媒体应用，那么UFS 2.0相对于eMMC 5.0标准的读写优势就全面爆发了。说完了UFS 2.0闪存，我们再来看看Galaxy S6上的LPDDR4内存(高通骁龙810也配备支持LPDDR4内存)。与闪存不同，内存的主要任务并不是储存大量永久性的文件，而是临时存放系统或应用程序所需要处理调度的文件。与LPDDR3相比，LPDDR4能够带来高达50%的性能提升。由于带宽更大，“内存敏感型”的应用程序的体验也将直接受益——比如游戏、120fps的慢动作视频、以及2K或4K级别的视频录制。Galaxy S6选用了频率高达1552MHz的LPDDR4内存，就算它沿用前一代Exynos芯片的32位双通道芯片设计，其带宽也达到了24.8GB/s。相比之下，搭配LPDDR3内存的骁龙801，其带宽为12.8GB/s；而Exynos 5433则是13.2GB/s。最后，在提升了速度的同时，LPDDR4还将电压降低到了1.1V（LPDDR3为1.2V），在智能机续航仍然不够给力的情况下，节能特性亦尤为重要。[编译自：]相关文章:
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