ADS中,低噪声运算放大器放大器的匹配电路与偏置电路 当设计低噪声运算放大器放大器时,要分别仿真匹配电路和偏置电路,

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基于ADS的低噪声放大器设计与仿真论文
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基于ads的s波段低噪声放大器设计
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宽带低噪声放大器ADS仿真与设计
[导读]介绍一种X波段宽带低噪声放大器(LNA)的设计。该放大器选用NEC公司的低噪声放大管NE3210S01(HJFET),采用微带阻抗变换型匹配结构和两级级联的方式,利用ADS软件进行设计、优化和仿真。最后设计的放大器在10~13 GHz范围内增益为25.4 dB+0.3 dB,噪声系数小于1.8 dB,输入驻波比小于2,输出驻波比小于1.6。该放大器达到了预定的技术指标,性能良好。
&&& 低噪声放大器(low noise amplifier,LNA)是射频接收机前端的重要组成部分。它的主要作用是放大接收到的微弱信号,足够高的增益克服后续各级(如混频器)的噪声,并尽可能少地降低附加噪声的干扰。LNA一般通过传输线直接和天线或天线滤波器相连,由于处于接收机的最前端,其抑制噪声的能力直接关系到整个接收系统的性能。因此LNA的指标越来越严格,不仅要求有足够小的低噪声系数,还要求足够高的功率增益,较宽的带宽,在接收带宽内功率增益平坦度好。该设计利用微波设计领域的ADS软件,结合低噪声放大器设计理论,利用S参数设计出结构简单紧凑,性能指标好的低噪声放大器。
1 设计指标
&&& 下面提出所设计的宽带低噪声放大器需要考虑的指标:
&&& (1)工作频带:10~13 GHz。工作频带仅是指功率增益满足平坦度要求的频带范围,而且还要在全频带内使噪声系数满足要求。
&&& (2)噪声系数:FN&1.8 dB。FN表示输入信噪比与输出信噪比的比值,在理想情况下放大器不引入噪声,输入/输出信噪比相等,FN=O dB。较低的FN可以通过输入匹配到最佳噪声匹配点和调整晶体管的静态工作点获得。由于是宽带放大器,难以获得较低的噪声系数,这就决定了系统的噪声系数会比较高。
&&& (3)增益为25.4 dB。LNA应该有足够高的增益,这样可以抑制后面各级对系统噪声系数的影响,但其增益不宜太大;避免后面的混频器产生非线性失真。
&&& (4)增益平坦度为O.3 dB。指工作频带内增益的起伏,低噪放大器应该保持一个较为平坦的增益水平。由于是宽带放大器,使得增益平坦度比较小,应该在高频段匹配电路,使频带低端失配,从而改善放大器的增益平坦度。
&&& (5)输入/输出匹配。为了满足良好的噪声性能,输入端口通常失配。此时,增益将下降,端口驻波比性能变差。此外,由于微波晶体管自身增益大约是以每倍频程下降6 dB,为了获得工作频带内良好的增益平坦度,也要牺牲一定的端口驻波性能。
&&& (6)稳定度。它是保证放大器正常工作的基本条件。当放大器的输入端和输出端的反射系数模都小于1(即|Γ1|&1,|Γ2|&1)时,不论源阻抗和负载阻抗如何,网络都是稳定的,称为绝对稳定;反之,则称为相对稳定。对条件稳定的放大器,其负载阻抗和源阻抗不能任意选择,而是有一定的范围,否则放大器不能稳定工作。
&&& 根据以上的论述,该设计的重点是保证在较宽带宽内噪声系数低和增益平坦。为保证上述设计指标的实现,采用了两级级联的设计方案:第一级根据噪声最小设计输入匹配电路获取优良噪声系数;第二级根据功率最大准则设计输出匹配电路以获取最大的放大增益。设计LNA一般选择砷化镓场效应晶体管(GaAsFET),其优点是频率高,噪声低,开关速度快以及低温性能好。本文即是选用NEC公司的砷化镓异质结场效应晶体管NE3210S01。
2 设计方案
2.1 稳定性分析
&&& 放大器稳定性的判定条件如下:
式中:△=S11S12-S12S21;K为稳定因子。当同时满足上面3个条件时,放大器绝对稳定。
&&& 根据NE3210S01的S参数模型,通过软件仿真计算,该放大器在全频带内并非绝对稳定。在漏极串联电阻能够有效地改善稳定性并且不会增加设计的复杂度。设计中在第一级放大器漏极串联1个10Ω的电阻,使放大器在全频带内保持绝对稳定,而对增益的影响却很小。高频段放大管都存在内部反馈,当反馈量达到一定强度时,将会引起放大器稳定性变坏而导致自激。因此,必须保证放大器的绝对稳定,若放大器不满足绝对稳定条件时,需要采取一些措施来改善放大器的稳定性。主要方法有:源极串联负反馈;漏极与栅极间并联负反馈;漏极串联电阻和漏极并联电阻;插入铁氧体隔离器。
2.2 输入匹配电路
&&& 微波器件的二端口网络方框图如图1所示。其中,Γ1,Γ2分别为输入和输出反射系数;Γs,ΓL分别为信源和负载的反射系数。
&&& 图1中输入匹配电路设计主要考虑放大器的噪声系数,按照放大器的噪声系数可表示为:
式中:FNmin是最佳噪声系数;Γs是信源反射系数,Γopt是最佳信源反射系数;RN是等效噪声电阻。当Γs=Γopt时可以得到最小的噪声系数FNmin。但是是通过输入端的失配达到电抗性器件之间噪声相消,所以一般情况下输入驻波比比较大,也会降低放大器的增益,需要综合考虑噪声系数与输入驻波比之间的取舍。
&&& 匹配电路的形式选择微带阻抗变换型匹配法,该匹配法在形式上相当与若干条微带线相互串联而成。在匹配过程中,可以先用史密斯圆图得到合适的LC型匹配电路,再通过ADS附带的微带线计算工具解出等效微带线型的电路形式。该匹配方式的优点在于高频段可以大大减少尺寸,与分支线匹配相比电路尺寸会比较紧凑,并且适合构造宽带匹配。可以适当的增加串联微带线的数量,以保证在宽带条件下达到比较好的增益平坦度。
2.3 级间匹配电路
&&& 由于采用两级级联的设计方式,所以合理的级间匹配电路会对电路整体性能产生重要的影响。级间电路的目的是使后级微波管输入阻抗与前级微波管输出阻抗共轭匹配,以获得最大增益,同时兼顾输出平坦度的要求。级间电路共使用了4节微带线,增加的尺寸参数改善了输出平坦度。两级之间需要加隔直电容,但是由于隔直电容很难在X波段保持良好的特性,电路中用λ/4耦合微带线代替。取耦合线宽为O.2mm,耦合间隙为0.1 mm,在很宽的频带内隔直效果好且传输损耗小。
2.4 输出匹配电路
&&& 根据图1所示,第二级二端口网络的输入匹配电路其实是级间匹配电路,根据功率增益最大准则设计输出匹配电路,采用共轭匹配方式,要求此时级间电路的输出阻抗与后级微波管输入阻抗共轭匹配,后级微波管输出阻抗与输出匹配电路的输入阻抗共轭匹配。放大器具有最大功率增益和最佳的端口驻波比性能。当信源和负载都为50 Ω时,放大器的实际功率增益为:
2.5 偏置电路设计
&&& 由于噪声系数与晶体管的静态工作点有密切的关系,所以必须选择合适的偏置电路,才能让放大器工作在最佳状态下。该电路采用双电源供电,所谓双电源是指漏极正电压和源级负电压分别用正压和负压两个电源供电。在初步的电路设计中,可以根据器件的S参数模型提供的偏置条件,用串联分压电阻将放大器的静态工作点设置为VD=2 V,IDS=10 mA。馈电方式选择λ/4高阻微带线端接70°的扇形线,λ/4高阻微带线以遏制交流信号对直流电源的影响,扇形线对高频短路,又相当于电容,可以滤除电源噪声,尤其适合宽频带的设计。当在低频段时,引入衰减,把增益的尖峰消除,改善增益平坦度。在以后的调节优化过程中,可以适当改变分压电阻,以追求更好的整机性能。
3 仿真与优化
&&& 首先要在ADS中定义介质参数,本文选用Rogers4003介质板,在进行ADS仿真时需要设置介电常数εr=3.38和介质板厚度h=0.5 mm。
&&& 其次要建立晶体管芯的模型,模型的形式有两种,一种是SP模型:属于小信号线性模型,模型中已经带有了确定的直流工作点,和在一定范围内的S参数,仿真时要注意适用范围。该模型只能得到初步的结果,对于某些应用来说已经足够,不能用来做大信号的仿真,或者直流馈电电路的设计,不能直接生成版图。另一种是晶体管的SPice电路参数模型,一般由芯片公司提供,可以在ADS中安装NEC公司提供的Design Kit,该工具包集成了NEC系列低噪声放大器的FET,JBJT,HJ-FET,选择FET中的NE3210S01。由于Design Kit中的元器件是已经封装好的晶体管,其仿真的结果要比使用S参数模型的晶体管模型要可靠。很多时候,在对封装模型进行仿真设计前,通过预先对SP模型进行仿真,可以获得电路的大概指标。
&&& 考虑过孔寄生效应,在高频段对电路的仿真效果影响较大,所以晶体管源级与地之间加入接地过孔。在微带线连接处用阶梯变换接头或T型接头进行连接,从而获得更精确的仿真模型。在输入和输出的最前段,采用标准的50 Ω传输线与λ/4耦合微带线相连。
&&& 上述的仿真都是在f=12 GHz单频点内仿真得到的微带线的大致尺寸,为了能够使得电路在3 GHz的带宽下依然保持优良的性能,就必须要对电路实施优化。在优化前可以先用调谐工具手动调整各元件参数,观察哪些参数对电路的性能比较敏感,在优化时应当优先考虑调节。
&&& 常用的优化方式分为随机优化(random)和梯度优化(gradient),随机法通常用于大范围搜索,梯度法则用于局域收敛。优化时可设定少量的可变参数,对放大器的各个指标分步骤进行优化,先用100~200步的随机法进行优化,后用20~30步的梯度法进行优化,一般可达最优结果。
&&& 最后再整体仿真,看是否满足到指标要求。若优化结果达不到要求,一般需要重设参数的优化范围、优化目标或考虑改变电路的拓扑结构,然后重新进行仿真优化。在仿真中要考虑到实际微带线加工的精度和最小尺寸,按照加工精度,有些线条太细是不能实现的,另外追求小数点后面的多位精确也是无实际意义的。一般微带线线宽不应该小于0.2 mm,保留小数点后2位即可(单位:mm)。
&&& 经过反复的优化仿真,最终的参数满足了所提出的设计指标:在10~13 GHz频带内,噪声系数:小于1.8 dB,增益为25.4 dB±0.3 dB,输出驻波小于1.6,输入驻波小于2。ADS优化后的各个参数指标如图2、图3所示。
4 版图设计
&&& 利用AutoCAD将优化后的最终结果绘制成版图,注意要在匹配微带线加入隔离小岛,以便以后的调试,可以适当地更改微带线的尺寸,获得更好的性能。在电路的四周大面积附铜,并留下较密集的金属化接地过孔,增强电路的接地性能。四个角处留有螺丝孔,可以将电路板固定在金属屏蔽盒内。最终的版图如图4所示。
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馆藏&78814
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基于ADS仿真的宽带低噪声放大器设计
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  低噪声放大器(LNA)是现代微波通信、雷达、电子战系统中的重要部件,它处于接收系统的前端,对天线接收到的微弱射频信号进行线性放大,同时抑制各种噪声干扰,提高系统灵敏度。由于LNA在接收系统中的特殊位置和作用,该部件的设计对整个接收系统的性能指标起着关键作用。当今低噪声放大器主要采用单片微波集成电路(MMIC)技术,将所有有源器件(如双极性晶体管或
  低噪声放大器(LNA)是现代微波通信、雷达、电子战系统中的重要部件,它处于接收系统的前端,对天线接收到的微弱射频信号进行线性放大,同时抑制各种噪声干扰,提高系统灵敏度。由于LNA在接收系统中的特殊位置和作用,该部件的设计对整个接收系统的性能指标起着关键作用。当今低噪声放大器主要采用单片微波集成电路(MMIC)技术,将所有有源器件(如双极性晶体管或场效应晶体管)和无源器件(如电阻器、电感器、电容器和传输线等)全部集成在一块半导体晶片上,以实现低噪声放大功能,具有尺寸小、重量轻、成本低及可靠性高的特点。
  本文介绍了一种宽带低噪声放大器的设计方法。设计时首先根据性能指标要求选择合适的有源器件,确定相应的工作状态和偏置条件及器件的稳定状态,然后合理设计匹配电路和负反馈电路,最后对整体电路进行优化。设计中采用微波仿真软件ADS对电路进行CAD辅助设计并给出了仿真结果。
  仿真结果表明,放大器各性能参数满足设计指标。
2 低噪声放大器电路设计与仿真
  2.1 放大器主要技术指标
  本文设计的低噪声放大器主要技术指标:工作频率2.7~3.1GHz,噪声系数(NF)小于0.8dB,带内增益G&30dB,带内平坦度小于&1dB,输入输出驻波比(VSWR)小于1.6dB,1dB增益压缩点输入功率P1dB&-15dBm。
  2.2 器件的选择和设计方案
  考虑到增益和噪声系数要求较高,所以选用PHEMTGaAsFET低噪声放大管。另外,在进行电路设计前,首先要建立放大器件的小信号模型。为了设计简便,一般选择具有现成模型的放大器件。由于安捷伦公司为其产品提供了精确的ADS模型,因此采用安捷伦公司的一种增强型E-PHEMT管ATF541M4,该管工作频率为0.45~10GHz,具有线性度好、噪声系数低的特点,而且工作时不需要负的栅极电压,便于单电源供电,在Vds=3V,Ids=60mA的偏置条件下,3GHz时最小噪声系数约为0.5dB,增益为17.5dB,1dB压缩点输出功率21.4dBm,为了得到30dB的增益,采用两级级联放大结构,将两个晶体管集成在同一基片上,输入输出端口之间通过微带线匹配到50&O。
  2.3 偏置电路的设计
  根据ATF541M4管的数据手册,在Vds=3V,Ids=60mA的偏置条件下,Vgs=0.58V,因此可以采用单极性无源偏置网络,在管子的漏极和栅极加偏置,源极为直流接地状态,采用常用的电阻自偏压结构为晶体管提供相应的直流电压和电流,偏置电路如图1所示。
  在供电电压为5V的条件下,经过计算R1为290&O,R2为1195&O,R3为286&O,电路中的C1、C2、C3为旁路电容,C4为隔直电容,L1和L2为高频扼流电感。为了进一步得到精确的偏置电阻值,可以对偏置电路进行直流仿真,根据源极和漏级电压值对电阻进行微调,以满足偏置条件。
  2.4 稳定性分析
  因为有源器件都存在内部反馈,反馈的大小取决于放大器的S参数、匹配网络以及偏置条件,当反馈量达到一定程度时,将会引起放大器输入或输出端口出现负阻,产生自激振荡,因此在做端口匹配前首先要判定放大器是否绝对稳定,射频放大器绝对稳定的充分必要条件是:
  如果根据晶体管数据手册中的S参数进行计算分析,则计算过程复杂,可以使用ADS中的稳定性判定系数stab_face(s)和stab_meas(s)直接对器件进行稳定性分析,只有在工作频段内两个稳定性判别系数都大于1时,才能保证器件绝对稳定。通过仿真得到稳定性判定系数如图2所示。由图可知,两个稳定性系数在2.7~3.1GHz频率范围内都大于1,所以器件绝对稳定。
  2.5 放大器带宽的拓展
  在宽带低噪声放大器设计中,为了保证放大器增益的线性度和带宽,一般选用平衡放大或负反馈电路结构。前者使用器件较多,电路复杂,而负反馈电路结构简单,一般是在晶体管的输入和输出端口之间串联一个电阻和一个电容,除了可以得到平坦的增益特性,而且可在宽频带内降低输入输出驻波比,降低晶体管参数的离散性对放大器特性的影响。
  本设计采用负反馈电路形式,在晶体管的栅极和漏极间引入负反馈。由于加入负反馈电路使得放大器增益有所下降,同时增加一定的噪声系数,所以只将负反馈电路加在第二级放大器中。
  2.6 匹配电路设计
  对于工作在S频段的放大器,输入输出匹配电路通常采用分布参数元件,这种类型的匹配网络由几段串联或并联的微带线组成。为了在整个频段内得到良好的匹配效果,一般先选定中心频率进行匹配电路设计,然后再对电路在整个频带内进行微调优化,因为输入端采用最小噪声匹配,首先对器件进行ADS噪声仿真得到各频率的噪声系数以及对应的最佳噪声源反射系数,应用ADS中单枝节匹配工具对输入端口进行快速匹配,其电路如图3所示。图中各段微带线的特性阻抗都为50&O,以减小匹配电路的复杂程度。在确定第一级放大器输入匹配电路后,可以得到对应输出阻抗,级间匹配电路按照最大增益原则进行设计,同时要兼顾第一级的输入驻波比以及整个电路的噪声系数,所以采用T型结构,输出匹配电路主要用于提高增益,改善增益平坦度以及输出驻波比。在初步确定各匹配电路后,使用优化工具对整体电路优化仿真,为了减小输入驻波比,一般要对输入匹配电路进行微调,同时严格控制噪声系数,确保各项指标满足要求。
  2.7 低噪声放大器拓扑电路
  本设计采用Rogers公司的TMM10i型基板,介电常数&r=9.6,基片厚度H=0.635mm,导体厚度T=0.01mm,金属电导率Cond=5.88e+7。根据前面所述的放大器设计方法,将两级晶体管级联,得到低噪声放大器的电路拓扑图,如图4所示。
3 仿真结果与分析
  通过S参数及谐波平衡仿真得到低噪声放大器的各项参数,功率增益如图5所示。图中表明,放大器在工作频段内增益大于30dB,并具有良好的增益平坦性能,增益平坦度小于1dB。
  放大器的输入输出驻波比与噪声系数如图6所 由图6可知,输入输出驻波都低于1.6dB,特别是输出驻波比小于1.2dB,主要是因为输出匹配电路按最大增益设计,有效地降低了输出端反射系数。放大器输出端口噪声系数在整个频带内低于0.6dB,噪声匹配良好。
  放大器的增益线性特性如图7所示,其中,1dB压缩点输入功率为-10dBm,输出功率为20dBm,具有良好的线性度。
  本文讨论了一种增强型E-PHEMT管的宽带低噪声放大器设计,介绍了设计的具体流程和方法,并充分利用ADS仿真软件的各项功能对低噪声放大器进行优化设计,省去了复杂的理论分析计算,大大简化了设计过程,提高了工作效率,对低噪声放大器的CAD设计具有很大的现实意义。
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应用与方案分类
&&& 目前,处理器性能的主要衡量指标是时钟  2 低噪声放大器的设计理论
  图1是放大器
原理框图,其中r 表示源反射系数,r 表示反射系数。不同的r 和r。. 将影响放大器的稳定性、噪声系数、增益、驻波等参数。设计放大器的过程就是根据放大器的s参数,以及噪声系数、增益、驻波等的要求来确定TS和TL,然后根据TS和TL确定输入、输出匹配网络。
放大器电路原理框图
  低噪声放大器主要指标是噪声系数Ts ,其与源反射系数的关系如下:
  其中 Nin和Rn分别是晶体管的最小噪声系数和等噪声
,Topt是最佳源反射系数。当Ts=Topt时,可以获得最低噪声系数 NFmin。
  一般的低噪声放大器的输入匹配电路是按照噪声最佳来设计的,为了获得较高的功率增益和较好的输出驻波比,输出端采用输出共扼匹配。
  3 低噪声放大器设计仿真和优化
  3.1 设计目标
低噪声放大器设计的关键是电路的第一级。对于低噪声放大器的第二级及后续电路,可以使用MM微波单片放大器来完成,其设计相对来说比较简单。
  利用ATF一 33143 完成电路第一级的设计目标是::1260M一1280MHz;增益:≥10dB;噪声系数:≤0.5dB;输入驻波比:≤1.5;输出驻波比:≤1.5。
  3.2 仿真设计
  (1)建立模型
  上网下载ATF一33143的器件手册,其器件手册中提供了标准模型 J。
  (2)确定工作点及偏置电路
  根据 芯片 在各直流工作点条件下的性能选择直流工作点。本文选取的直流工作点为:VDS:4V,IDS=40mA。在该直流工作点状态下的芯片最小噪声系数ⅣF i =0.34dB 。
  (3)稳定性判断
  在ADS软件中,根据Mu控件和Mu—Prime控件来判断电路的稳定性。电路绝对稳定的充要条件是Mu&1和Mu—Prime&1。
  一般的改善稳定性的措施为:
  a.串联负反馈
  在 场效应管 的源极和地之间串接一个阻抗元件,从而构成负反馈电路。反馈元件常用一段微带线来代替,它相当于
性元件的负反馈。
  b.稳定 衰减器
  P型阻性衰减器是一种简易可行的改善放大器稳定性的措施,通常接在低噪声放大器末级输出口。
  采取的改善稳定性措施为:在芯片源极添加电感构成负反馈;在漏极添加LRC串联电路。图2为添加反馈电路后的稳定性仿真结果。电路在0.7GHz~3GHz频率处于绝对稳定状态,而工作频率为1260MHz一1280MHz,故满足稳定性要求。
图2 改善后的稳定性仿真结果
  (4)设计输入、输出匹配电路
  首先通过等噪声系数圆和等增益圆来设置合理的源反射系数r ,然后根据源反射系数r 和放大器的s参数,按照最大增益匹配来确定负载反射系数Tl根据增益大于10dB和噪声系数小于0.5dB的设计目标,如图3所示,设置等噪声系数圆控件和等增益圆控件。
图3 等噪声系数圆控件和等增益圆控件
  图4是等增益圆和等噪声系数圆以Smith圆图形式表示的仿真结果。源反射系数点的选取是在噪声系数、增益这两个指标间的折衷,选择m1点为源反射系数点。m1点源反射系数对应的噪声系数小于0. 3,增益为11dB。
  确定源反射系数后,根据公式:
  计算出负载反射系数Tl,然后利用Smith原图设计输入、输出匹配电路。
图4 噪声系数圆、等增益圆和输入匹配点的确定
  (5)优化
  在上述中,分别设计了直流偏置电路和输入、输出匹配网络,但是输入、输出匹配网络的加入会改变场效应管的S参数,从而恶化某些指标。为了满足所有的设计目标,有必要进行全局的电路优化。首先选取优化变量,设置变量的变化范围,然后根据设计目标设置仿真目标,优化仿真变量,得到达到预设目标的最佳电路设计参数。优化后的仿真结果如图5所示。
图5 优化后的仿真结果
  4 结束语
  由仿真结果可知,所设计的低噪声放大器在频带1260Mhz~1280MHz工作时,增益约为l1dB,输入、输出驻波均小于1.5,噪声系数约为0.2dB,在1 GHz一3Ghz内绝对稳定,所有指标均满足设计要求。该设计对于低噪声放大器的设计研究有着一定的参考价值。
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