异质半导体材料有哪些系统有哪些

半导体异质结物理_图文_百度文库
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半导体异质结物理
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Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应分析.pdf90页
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内蒙古大学 博士学位论文 姓名:郭子政
申请学位级别:博士 专业:理论物理 指导教师:梁希侠 座机电话号码 II一Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应 摘要 本文研究压力对II~Ⅵ族半导体异质结构中激子的影响。 ,j
种量子阱的光致发光强度随静压快速衰减的实验现象不是应变转型 LH―HH交
叉 造成的;三是说明这种应变转型可以在量子阱中实现 以前应变转型都是在
使镉浓度x O.17。我们还发现:镉浓度的微小改变会造成很大的调制压力的改
PL峰的更明显分裂现象。 为讨论压力导致的激子和L0声子耦合增强从而影响激子稳定的可能性,我
们用变分法计算了压力下zm,。cd。。。seQw中基态HH激子结合能并比较了在压力
计入了电子一声子互作用的影响。结果显示,对于中等阱宽的量子阱,激子结合
造成激子和LO声子耦合增强。我们还发现,在所有随压力变化的参数中晶格常
数的影响是最重要的。有效质量和介电常数同时改变对激子结合能有明显效应,
但它们各自独立的影响恰好相反。 考虑压力下势垒高度和激子结合能的改变等诸多因素对压力系数的影响,
系数。我们利用变分法计算了激子结合能并考虑了压力和电子一声子相互作用的
该结论与实验结果完全吻合。计算表明体弹性模量对压力系数影响很大,而采
用SCPA近似计算禁带宽度等三元混晶参数可使跃迁能量的计算值与实验值更加 同变化规律以及本文计算压力系数方法的误差问题作了简单讨论。 结构中激子光跃迁的差异很可能是由于超晶格和量子阱的体弹性模量不同所
致。为解释上述两种结构中激子光跃迁的差异,我们用变分法并考虑晶格蔼邀、
介电常数、有效质量特别是体弹性模量等物理参
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