ns=np*(vo+vf)/vor怎么来的

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反激式的RCD吸收回路
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&&反​激​式​的​R​C​D​吸​收​回​路
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你可能喜欢FLYback变压器中反射电压是怎么计算出来的?还有占空比的具体算法是怎么样的?_百度知道
FLYback变压器中反射电压是怎么计算出来的?还有占空比的具体算法是怎么样的?
提问者采纳
1-1)输出12V首先求T=1&#47:首先做一个反击电源我们需要知道一些参数和假设一些参数例如做一个15W的电源;(1-0;(160*0.27*31)=102匝
NS= NP*(Vo+Vf)&#47:MOS耐压在650V
频率:(这个要看你是固定频率还是变频)65K
D.35=5.3US
求Ton=(TXD)15,输入电流会越小.35&#47.35&#47.5*0.35
输入电压在欧规,而占空比也会相对变小,在恒定功率参数不变的情况下面.3*0;Vor=13匝求LP=Vin*Ton&#47.8)0.1-0,电压越高,并且需要给MOS留一定的余量;Bmax*AE
(这里的B值指的磁饱和 一直在0.35US
(自己根据前面MOS管设定)求平均输入电流.537*1=1.84)=0首先VOR(反射电压) 和输入整流后的DC最小(Vmin)电压就决定了你的占空比.1116A求峰值输入电流;(0.36
=0,假定 你前面的MOS管用的是700V 那么在高压的时候你因该要知道 VOR+Vdcmax +漏感引起的电压尖峰 (假设反射电压130V)那么就有380+130+50=560V 这个时候你的MOS电应力在550V了
应该要考虑其他一些因素;Vin*效率
15/(1-0;0.594MH
你可以通过测试去验证 Bmax的值
这个值在低压满载最好不要超过0.1116&#47:Ipk= Iave&#47,而电压尖峰太高容易将MOS瞬间击穿;Ipk*Krp
160*5:180-264
KRP系数决定电源工作在何种模式(0.3之间取值)AE代表你的磁芯AE面积
NP=160*5.5*KRP)*D
0:0,导致MOS损坏我给你一个公式 你看了就应该知道.537A求有效电流我这里就不写了 因为那个根号不好描述求初级匝数
NP=Vin*Ton/F =15:Iave=P&#47,当然这个我说过了是在输出负载不变的情况下面反射电压取多高要看你前面MOS的耐压有多高,为什么要留一定的余量 在因在264V 满载启动的瞬间是有一个电压尖峰存在
提问者评价
谢谢,虽然答案有点长,有的我还不是很懂。以后有什么问题 再向你请教。
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