脉冲激光沉积法论文投哪个国际期刊合适

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脉冲激光沉积(PLD)原理及其应用
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山东师范大学硕士学位论文
脉冲激光沉积GaN薄膜研究
近年来，由于宽禁带半导体材料在短波长发光器件、光探测器以及抗辐射、
高频和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注，发展十分迅速，成为近
些年来持续研究的热点。Ⅲ一V族的第三代半导体材料氮化镓(GaN)，在室温下禁
带宽度为3．4eV，是制作光电子器件，尤其是蓝、绿发光二极管(LEDs)和激光二
极管(LDs)的理想材料。此类光源在高密度光信息存储、高速激光打印、全色动
态高亮度光显示、固体照明光源、高亮度信号探测、通讯等方面有着广阔的应用
前景和巨大的市场潜力。此外，GaN也是制作高温、高频、大功率器件的理想材
料。随着材料生长和器件工艺水平的不断发展和完善，尤其一些关键性技术的突
破使GaN材料的研究空前活跃。
由于生长大尺寸的单晶氮化镓是比较困难的，用异质外延的方法来制备高质
量的氮化镓薄膜便成了研究开发GaN基器件的基础。目前，金属有机气相沉积
主流工艺，但是采用这些方法制各GaN，工艺复杂，设备昂贵，限制了GaN材料
的制各、生产和应用。现在国际上有许多科研机构正在探索新的工艺方法，试图
在合适的衬底上制备高质量的GaN薄膜。脉冲激光沉积就是近年来发展起来的先
进的薄膜生长技术，与其它沉积方法相比，该工艺具有薄膜生长温度低、生长条
件易于控制、生长速度快和成膜质量高等优点。
目前，蓝宝石是GaN异质外延最常用的衬底材料，但蓝宝石衬底自身绝缘、
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脉冲激光沉积光致发光薄膜和激光烧蚀产物的分布（原版论文）
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脉冲激光沉积光致发光薄膜和激光烧蚀产物的分布（原版论
官方公共微信脉冲激光沉积环境对MgZnO成膜特性影响--《第十四届全国光学测试学术讨论会论文（摘要集）》2012年
脉冲激光沉积环境对MgZnO成膜特性影响
【摘要】：正利用KrF准分子激光器,采用MgZnO陶瓷靶(纯度99.99%,ZnO和MgO按原子百分比80:20混合),以Si(111)或石英为基底,通过脉冲激光沉积法制备MgZnO薄膜。利用分光光度计和光学多道光谱仪研究沉积过程中氧压和衬底温度对MgZnO薄膜光学性能的影响。研究结果表明:1.在不加氧环境下,衬底温度对MgZnO薄膜的透过率的影响不是很大;2.在不加氧条件下,分别在温度为300℃和600℃时沉积MgZnO薄膜,通过248nm激光激发获得光致荧光光谱。实验表明:随着衬底温度的升高,紫外光激发光
【作者单位】：
【分类号】：O484.1;TN24【正文快照】：
利用KrF准分子激光器，采用MgZnO陶瓷靶(纯度99.99%，ZnO和MgO按原子百分比80:20混合)，以si(111)或石英为基底，通过脉冲激光沉积法制备MgZnO薄膜。利用分光光度计和光学多道光谱仪研究沉积过程中氧压和衬底温度对MgZnO薄膜光学性能的影响。研究结果表明:1.在不加氧环境下，
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