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IXY美国电报半导体
结型(JFET)
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
IXY美国电报半导体
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:N-FET硅N沟道
IXY美国电报半导体
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,封装外形:CHIP/小型片状,类型:驱动IC,封装:SOT-23
IXY美国电报半导体
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:L/功率放大,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道
IXY美国电报半导体
沟道类型:其他,类型:其他IC,批号:10+,产品类型:其他,封装:TO-220F
IXY美国电报半导体
￥0.10/平方米
沟道类型:其他,用途:功放,类型:其他IC,批号:最新,封装:TO－220AB
IXY美国电报半导体
￥0.10/平方米
沟道类型:其他,用途:功放,类型:其他IC,批号:最新,封装:SOT-23
IXY美国电报半导体
种类:结型(JFET),沟道类型:P沟道,导电方式:耗尽型,用途:L/功率放大,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:P-FET硅P沟道,封装:TO-220AB
IXY美国电报半导体
￥0.10/PCS
沟道类型:其他,材料:硅(Si),集电极最大耗散功率PCM:/,封装形式:贴片型,集电极最大允许电流ICM:/,极性:NPN型,截止频率fT:/,结构:点接触型,封装材料:塑料封装,加工定制:否,击穿电压VCEO:/,应用范围:功率
IXY美国电报半导体
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:MAP/匹配对管,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,封装形式:TO-220,1:1,应用范围:功率
IXY美国电报半导体
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:MOS-INM/独立组件,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:N-FET硅N沟道
拆机场效应管
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STD5NM50-1，TO-251，ST，DIP/MOS，N场，500V，7.5A，0.8&O
绝缘栅(MOSFET)
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
&友情提示&具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场最新价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新正品!价格优惠!现货供应!MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.500V,P沟道场效应管（MOSFET）:FQD3P50& FAIRCHILD&& SOT-252& P场500V,N沟道贴片场效应管（MOSFET）:IRF840STRR,MOS,500V,8AFQD3N50CTMF101,FQD3N50C,FQD3N50,3N50&SOT-252&FAIRCHILD&SMD/MOS&N场&500V&2.5A&2.5ΩKF5N50DZ,KF5N50D,KF5N50,5N50DZ,5N50D,5N50&SOT-252&KEC&SMD/MOS&双N&500V&4.3A&1.4ΩKIA830H,KIA830&SOT-252&KIA&DIP/MOS&N场&500V&4.5A&1.5ΩFQD1N50TM,FQD1N50,1N50&FAIRCHILD&SOT-252FQD2N50TM,FQD2N50,2N50&FAIRCHILD&SOT-252FQD5N50TM,FQD5N50,5N50&FAIRCHILD&SOT-252IRFR420B,IRFR420,FR420B,FR420&FAIRCHILD&SOT-252IRFR430BTM,IRFR430B,IRFR430,FR430B,FR430&FAIRCHILD&SOT-252STD4NK50ZT4,STD4NK50Z,STD4NK50,D4NK50Z,4NK50&ST&SOT-252STD5NM50T4,STD5NM50,D5NM50,5NM50&ST&SOT-252IRF840STRR,IRF840S,IRF840,F840S,F840&IR&SOT-263IRFS11N50ATRL,IRFS11N50A,IRFS11N50,FS11N50A,FS11N50,11N50&IR&SOT-263IRFW830ATM,IRFW830A,IRFW830,FW830A,FW830&SOT-263&FAIRCHILD&SMD/MOS&N场&500V&4.5A&1.5ΩSTB10NB50T4,STB10NB50,B10NB50,10NB50&ST&SOT-263500V,N沟道直插场效应管（MOSFET）:STD5NM50-1&TO-251&ST&DIP/MOS&N场&500V&7.5A&0.8ΩKIA20N50HM&TO-247&KIA&DIP/MOS&N场&500V&20A&0.24Ω&4VMDI5N50TH&TO-251&MagnaChip/美格纳&DIP/MOS&N场&500V&4.4A&1.4ΩMDD5N50TH&SOT-252&MagnaChip/美格纳&SMD/MOS&N场&500V&4.4A&1.4ΩMDF5N50TH&TO-220F&MagnaChip/美格纳&DIP/MOS&N场&500V&5A&1.4ΩMDP5N50TH&TO-220&MagnaChip/美格纳&DIP/MOS&N场&500V&5A&1.4Ω2SK3563，TO-220F，TOSHIBA，DIP/MOS，N场，500V，5A，1.5ΩFQA20N50,FAIRCHILD,TO-3P,DIP/MOS,N,500V,20A,1.2Ω2SK2876-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,6A2SK3522-01，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，21A，0.26Ω2SK1982-01MR,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,10AFMV16N50E,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,16AFMV08N50E,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,7.5AFMV07N50E,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,500V,6.5AFMV20N50E，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，20A，0.31ΩFMH23N50E，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，23A，0.245Ω2SK3696-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，13A，0.55ΩFMV05N50E，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，5A，1.5Ω2SK4004-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，9A，0.85Ω2SK3683-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，19A，0.38Ω2SK2640-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，10A，0.9Ω2SK2642-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，15A，0.55ΩIRF840B,MOS,500V,8A,TO-220FMV12N50E，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，12A，0.52Ω2SK3505-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，14A，0.48Ω2SK3520-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，8A，0.85Ω2SK3518-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，6A，1.5Ω2SK3469-01MR，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，12A，0.52ΩFMH20N50G，TO-3P，FUJ，DIP/MOS，N场，500V，20A，0.31ΩIRFI840BTU&TO-262&FAIRCHILD&DIP/MOS&N&500V&4.5A&0.85Ω&4V2SK4097LS&TO-220F&SANYO&DIP/MOS&N&500V&9.5A&0.65ΩBLV830&TO-220F&上海贝岭&DIP/MOS&N场&500V&4.5A&1.5ΩBLV830&TO-220&上海贝岭&DIP/MOS&N场&500V&4.5A&1.5ΩIRF830B&TO-220&FAIRCHILD&DIP/MOS&N场&500V&4.5A&1.5Ω2SK3563&TO-220F&TOSHIBA&DIP/MOS&N场&500V&5A&1.5Ω2SK4084LS-S,TO-220F,SANYO,DIP/MOS,N场,500V,14A,0.52ΩTK8A50DA,TO-220F,TOSHIBA,DIP/MOS,N场,500V,7.5A,1.04Ω2SK3561&TO-220F定型脚&06NPB&TOSHIBA&DIP/MOS&N场&500V&8A&0.85Ω2SK2188&TO-220F&02+&日本新电元&DIP/MOS&N场&500V&10A&1ΩKIA830H&SOT-252&KIA&DIP/MOS&N场&500V&4.5A&1.5ΩTK8A50D,K8A50D,TK8A50,K8A50,8A50&TO-220F&TOSHIBA&DIP/MOS&N场&500V&8A&0.85ΩHFU4N50,U4N50,4N50&TO-251&Semihow&DIP/MOS&N场&500V&2.6A&2.7ΩIPI50R140CP,IPI50R140,5R140P,5R140,50R140&TO-262&infineon&DIP/MOS&N场&500V&23A&0.14ΩSPI16N50C3,SPI16N50,16N50C3,16N50&TO-262&infineon&DIP/MOS&N场&500V&16A&0.28ΩSPI21N50C3,SPI21N50,21N50C3,21N50&TO-262&infineon&DIP/MOS&N场&500V&21A&0.19ΩHFP9N50,9N50&TO-220&Semihow&DIP/MOS&N场&500V&9A&0.73ΩIPP50R520CP,IPP50R520,5R520P,5R520,50R520&TO-220&infineon&DIP/MOS&N场&500V&7.1A&0.52ΩIRFB11N50A,IRFB11N50,FB11N50A,11N50&TO-220&IR&DIP/MOS&N场&500V&11A&0.52ΩBLV840&TO-220&STEK&DIP/MOS&N场&500V&8A&0.85Ω2SK&TO-220F&TOSHIBA&DIP/MOS&N场&500V&5A&1.5Ω2SK&TO-220F&TOSHIBA&DIP/MOS&N场&500V&12A&0.52Ω2SK&TO-220F&TOSHIBA&DIP/MOS&N场&500V&15A&0.3ΩIPW50R250CP,IPW50R250,5R250P,5R250 TO-247 infineon N场 500V 13A 0.25ΩIPW50R299CP,IPW50R299,5R299CP,5R299 TO-247 infineon N场 500V 12A 0.25ΩIPW50R350CP,IPW50R350,5R350P,5R350 TO-247 infineon N场 500V 10A 0.35ΩIPW50R399CP,IPW50R399,5R399P,5R399,50R399 TO-247 infineon N场 500V 9A 0.399Ω2SK2642-01MR,2SK,FUJ,TO-220F,N场,500V,15A,0.55ΩIPI50R140CP,infineon,TO-262,N场,500V,23A,0.14ΩSPI16N50C3,infineon,TO-262,N场,500V,16A,0.28ΩSPI21N50C3,infineon,TO-262,N场,500V,21A,0.19Ω2SK1010-01MR&FUJ&TO-2202SK1981&FUJ&TO-220FQP4N50&FAIRCHILD&TO-220FQP6N50&FAIRCHILD&TO-220IRF820&IR&TO-220IRF840&IR&TO-220IRF840&ST&TO-220RFP9N50&HARRIS/哈里斯&TO-220STP12NM50N&ST&TO-220STP25NM50N&ST&TO-220STP8NC50&ST&TO-2202SK2842&TOSHIBA&TO-220F2SK3469&FUJ&TO-220F2SK3505-01MR&FUJ&TO-220F2SK3561 &TOSHIBA&TO-220F2SK3683-01MR&FUJ&TO-220F2SK4012&TOSHIBA&TO-220FFQPF11N50CF&FAIRCHILD&TO-220FFQPF13N50C&FAIRCHILD&TO-220FFQPF3N50C&FAIRCHILD&TO-220FFQPF9N50CF&FAIRCHILD&TO-220FFS10KM-10&三凌/MITSUBISHI&TO-220FIRFIB7N50APBF &IR&TO-220FIRFS830A&FAIRCHILD&TO-220FIRFS830BTU&FAIRCHILD&TO-220FIRFS840A&FAIRCHILD&TO-220FSTK830F&AUK&TO-220FSTP10NC50FP&ST&TO-220FSTP11NK50FP&ST&TO-220FSTP4NB50FP&ST&TO-220FSTP5NK50FP&ST&TO-220FSTP9NK50ZFP&ST&TO-220F2SK3505-01MR&FUJ&TO-220F定型脚2SK3568&TOSHIBA&TO-220F定型脚IRFIB7N50APBF&IR&TO-220F定型脚2SK1102&FUJ&TO-220F短2SK1805&HIT&TO-220F短2SK2364&NEC&TO-220F短2SK2543&TOSHIBA&TO-220F短2SK3313&TOSHIBA&TO-220F短2SK3326&NEC&TO-220F短2SK3505&FUJ&TO-220F短2SK3561&TOSHIBA&TO-220F短IRFP22N50A&IR&TO-247IRFP460A&VISHAY&TO-247STW14NC50&ST&TO-247STW14NK50Z&ST&TO-247STW20NK50Z&ST&TO-2472SK2715&ROHM&TO-251IRFU420A&IR&TO-251STD4NK50Z-1&ST&TO-251STD5NK50-1&ST&TO-251FQI9N50CTU&FAIRCHILD&TO-262FQA13N50&FAIRCHILD&TO-3PFQA20N50&FAIRCHILD&TO-3PFQA28N50&FAIRCHILD&TO-3PIRFP450A&FAIRCHILD&TO-3PIXFH24N50&IXYS&TO-3PIXFH26N50&IXYS&TO-3PFQAF16N50&FAIRCHILD&TO-3PFIRFS450B&FAIRCHILD&TO-3PFFQL40N50&FAIRCHILD&TO-3PL&550V,N沟道场效应管（MOSFET）:17N55GX,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,550V,17AFMV16N55G，TO-220F，FUJ，DIP/MOS，N场，550V，16A，IPB50R250CP&infineon&SOT-263STB12NM50T4&ST&SOT-263STB25NM50N-1&ST&TO-262560V,N沟道场效应管（MOSFET）:SPD04N50C3&infineon&SOT-252SPD08N50C3&infineon&SOT-252 500V 7.6ASPA21N50C3&infineon&TO-220FFMV19N57ES,TO-220F,FUJ,DIP/MOS,N场,570V,19A当前位置：&&&
原装正品场效应管IXYS IXFH26N50 TO247 专
品牌：IXYS/艾赛斯
型号：IXFH26N50
种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：N沟道
导电方式：增强型
用途：L/功率放大
封装外形：CER-DIP/陶瓷直插
材料：硅(Si)
慧聪网厂家深圳市华洪发科技有限公司为您提供原装正品场效应管IXYS IXFH26N50 TO247 专的详细产品价格、产品图片等产品介绍信息，您可以直接联系厂家获取原装正品场效应管IXYS IXFH26N50 TO247 专的具体资料，联系时请说明是在慧聪网看到的。
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