N沟道结型场效应管当沟道形成楔型,并且一侧已经夹断,为什么还会有漏极电流?当栅源电压＝0,讨论漏源电压对漏极电流的影响,当漏源电压为正,逐渐增大时,d、g之间反偏电压逐渐增大,到夹断电压时,PN结夹断,漏极电流达到最大值,漏源电压继续增大,夹断区增长,电流不增大.在这里不明白为什么都已经夹断了,且夹断区足够长,电子是如何穿过夹断区到达漏极,形成漏极电流的.
二极管、三极管有多子和少子,而在场效应管中只有多子.沟道夹断了,但是在电场作用下多子能在耗尽层中飘移,场效应管里只有一种载流子（电子或空穴,且能双向流动,这一点与二极管、三极管等双极型晶体管不同）,这也是单极型晶体管不同于双极型晶体管的地方.
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这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超过75伏.MOS管使用常识： 栅极悬空是不允许的,会击穿.
其次还应注意啥导师？
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栅极相当于晶体管的基极,源极相当于晶体管的射极,漏极相当于集电极,你可以连电路试一下就知道了
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nmos管导通后栅极和源极电压相等，还会继续导通吗？
&&未结帖(20)
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nmos管在导通以后，漏极和源极电压相等，如果栅极和漏极电压相等，那么MOS管会不会马上关断？如果会，那应该怎么使它保持导通？如果不会，怎么让它关断？
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导通还是关断，由MOS管门极源极之间电压决定，与漏极无关。
从MOS管输出特性曲线上可以看得很清楚。
现在有很多学生，根本不看曲线，看了也不清楚曲线的意义。这很可能与中学缺乏这方面训练有关。
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MOS管基本原理，书中没说这个吗?
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或许我还不够礼貌吧，引来很多人反问我，而不愿意给一个肯定的答案。那我就再礼貌点。
请问各路神仙，当Vgs大于开启电压时，mos管导通了，导通后电阻很小，可以认为Vd=Vs,此时如果有Vg=Vd，那么就有Vg=Vs，岂不是mos管又要关断了？
Vg=Vs，Vg-Vs=0,即 Vgs=0,mos管关断。正确。&
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或许我还不够礼貌吧，引来很多人反问我，而不愿意给一个肯定的答案。那我就再礼貌点。
请问各路神仙，当Vgs ...
我在2楼已经说过“导通还是关断，由MOS管门极源极之间电压决定，与漏极无关”。
只要Vgs小于导通电压，无论Vd多少，MOS管都会关断。
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或许我还不够礼貌吧，引来很多人反问我，而不愿意给一个肯定的答案。那我就再礼貌点。
请问各路神仙，当Vgs ...
你搞错了电压关系。不知道你说的Vg=Vd怎么来的，是把Vg和Vd连在一起？？那样不是做开关，而是二极管应用
Vd=Vs, Vs的电压由电路通路确定,两个Vs,导通前的和导通后的。
Vg的栅极电压是偏压，一般用个固定值。 你需要计算的是导通前的vgs和导通后的Vgs，像maychang说的，保证Vgs大于导通电压。
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我在2楼已经说过“导通还是关断，由MOS管门极源极之间电压决定，与漏极无关”。
只要Vgs小于导通电压，无 ...
可能楼主是想问“用NMOS管做电源开关”是否可行吧。
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不是LZ礼貌不礼貌的问题，是问题太绕了。
干吗说VG=VD呢？直接说VG=0V不就得了。
移动通信设计，GPS防盗定位终端设计。各种电子产品设计，温度仪表设计专家。
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MOS管的驱动取决于Vgs，Vgs不小于开启电压就导通，否则就关断。
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要加自举电路才能维持导通。
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导通还是关断，由MOS管门极源极之间电压决定，与漏极无关。
从MOS管输出特性曲线上可以看得很清楚。
现在有 ...
有点懂LZ的意思，如BULK同步开关电源，用NMOS管，上管必须要加自举电路。
或者使用独立电源。&
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你 在Vg和 Vs之间加个电阻不就好了。
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而且一般如果用作电源开关的话，建议用PMOS。
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NXP和VISHAY都做不到？
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那你们家真的是太牛逼了
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做buck电路别用NMOS，如用，要加自举电路，要求Vg要大于VIn（要降压的电源电压），因此比较困难，另一方面，这样做完全没有必要，正确的方式是用Pmos，因Pmos的Vgs 为负曲线，因此输入Vg=0时，VGS就是很小的负数（设Vin=12V，此时VGS=-12），而当输入高时关断。这样就不需要特殊的驱动电路，做BOOST电路时才使用NMOS，原理相同，VGS则为正。请参考，谢谢。
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wyt15985 发表于
或许我还不够礼貌吧，引来很多人反问我，而不愿意给一个肯定的答案。那我就再礼貌点。
请问各路神仙，当Vgs ...
之前你說的含糊。這樣Vds=Vgs_th，當然d极有負載電阻。就跟三极管的C丶B相接同一個長相。
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做buck电路别用NMOS，如用，要加自举电路，要求Vg要大于VIn（要降压的电源电压），因此比较困难，另一方面 ...
要看什么埸合，如用低频开关的，也不想花成本去驱动MOS，PMOS管最合适，如用在高频边沿比较陡的，NMOS管比较合适，在当今，NMOS管用的远大于PMOS管，因此在制造工艺上也最完备，性能上更优秀，如当年的NPN，PNP工艺一样。在早期PNP制作工艺有问题，高频的管子很难制作出来，因此，后级都用NPN，电路上修改。现在不存在这个问题，一般都PP输出，配对使用。
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对比NMOS和PMOS，还是NMOS的性能好些，据内行人说，PMOS的难做高指标，尤其高压。
BUCK电路如果采用共阳电路，用NMOS也很方便呀。
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栅极和源极电压相等当然不导通了，所以才不能用Nmos，如果要用Nmos要求栅极电压高于源极Vth，故栅极电压会很高。
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