为什么是正电荷和负电荷失去电子带正电

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-12-21 16:28 标签： 正电子是什么
为什么原子失去反而回带正电?得到电子反而会带负电?
原子核中的质子带正电,中子不带电,原子核外的电子带负电.在原子中,原子核中质子数与电子数相同,所以原子不显电性.而当原子失去电子后,带负电数小于带正电数,所以会带正电.反之亦然.
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因为电子带负电，而原子是电中性的，当原子失去电子时，原子中的负电荷就少了，就带正电了反之，也如此解释
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氧空位为什么会使空位带正电？如何做施主？
氧空位为什么会使空位带正电？如何做施主？请不吝赐教，感激不尽！
请问哪本书上有提到呢？谢谢你的解释，受益匪浅，
补充二楼的，关于带正电，二楼说的很好，但是关于施主的解释有待商榷。
我的理解是这样的，Vo在形成带正电荷Vo（简称Vo+）时，Vo-2e》Vo+，这个过程Vo将电子释放到半导体中，故而称为施主，这是通俗理解，事实上本质原因是Vo在禁带中的能级位置（靠近导带）决定了它的电子容易跃迁到导带上，因而角色定为DL。
DL是什么意思？什么叫“但他依然属于施主缺陷”，谢谢，
DL应该是donor level 施主能级
很多奖缺陷的书上都会提到为什么负离子空位带正电吧，我看的是无机非金属材料科学基础
DL九楼正解，“但他依然属于施主缺陷”是说带正电的Vo+表观上成为了electron acceptor，似乎像是受主缺陷的表现，但其实它是施主缺陷Vo演变而来的，故而仍称之为施主缺陷
似乎有矛盾啊。说带正电的Vo+表观上成为了electron acceptor，似乎像是受主缺陷的表现，但其实它是施主缺陷Vo演变而来的，，怎么演变来的？
这里也有，一直在关注，从来不发表意见。冒个泡！
施主缺陷Vo，是说氧空位已经形成？然后是中性的？还是说早已失去O，但呈正电的空位可吸引电子，获得电子后，成为施主？
好吧，可能我为了说全把你闹糊涂了。简单点说，Vo在禁带中的能级位置（靠近导带）决定了它的电子易于进入导带，因而成为施主。成为Vo+的过程就是其实现施主功能的过程，Vo+是结果。
而后面说的“Vo+表观上成为了electron acceptor"其实是说在某些反应情况下（如光催化、气敏等），体相中会因为反应（光电、化学反应等）产生载流子，此时的Vo+就成为了捕获电子的中心，有利于分离载流子，因此说它此时相当于electron acceptor。
但本质上，Vo+应归为施主缺陷（因为它是由施主产生的）
这些解释有些勉强。光催化指的是吸收光子能量而非电子。再说了价带上的电子也可以吸收光子能量而跃迁。这种解释与氧空位没什么关系。判断施主与受主主要还是看杂质能级或者缺陷能级给与电子还是接受电子。
氧空位就是带正电滴。氧化锡是n型导电不错，这是因为物质总体上是电中性，而氧空位自身带正电，与之相对应的负电荷是自由电子（氧空位作为施主缺陷）。
0.”这些解释有些勉强。“——这一点可能是我表述出了问题，不辩解。
1.”光催化指的是吸收光子能量而非电子。“我文中并未提出这个观点的反对意见吧？（关于这一点，我确实很冤。。。我会说光催化是吸收电子能量这种弱智的话吗？）
2.文中为了解释我上一句”表观上的electron acceptor“，我告知本帖楼主原因”例如光催化时光生载流子产生，此时的Vo+被相当一部分文献认为作为电子捕获中心来分离电子和空穴，防止复合“，因而称它为表观上的AL。（这个课本上没有，是我在数篇文献中读到的，当然也接受的观点，为了区别，特定加上了”表观上“这个修饰）
3.对于施主受主的判断我一直强调使用”本质上“这个修饰来说明是由缺陷在禁带中的能级位置决定的（与你说的”判断施主与受主主要还是看杂质能级或者缺陷能级给与电子还是接受电子“有本质矛盾吗？）。
你对文献的理解肯定有偏差，不管你所谓的“表观”。光生载流子即使使V0＋能级上的电子与空穴电离就能说明是表观上的accept?电子和空穴同时产生，怎么判断的caccept?一般杂质能级电子的产生是通过外电场电离，从而判断杂质的类型。也就是施主能级形成正电中心，受主杂质形成负电中心。
另外一个问题；施主能极或者受主能级的位置未必在禁带中，要根据参杂的浓度来判断。
终于知道你我为啥都奇怪对方的说法了。。。你误解了我的话，我说的光生载流子不是Vo+产生的，而是体相中产生的。。。Vo+选择性捕获体相产生的光生电子，从而达到抑制复合的目的。（ps：我的表达真有那么烂？烂到让人直接误解我的意思？）
另：问一个问题：光子能让Vo+缺陷产生载流子？求扫盲。。。
我没误解你的意思，总而言之你说的像是受主缺陷的表现，但其实它是施主缺陷Vo演变而来的，故而仍称之为施主缺陷这句话有问题。 Vo+选择性捕获体相产生的光生电子，从而达到抑制复合的目的。在这个过程中即使选择性地捕获电子，依然是受主能级，否则怎么会俘获点子呢？
你搞错了，氧化锡的完美晶体是电中性的，但是实际上的氧化锡结构里面是有很多氧空位的，氧的缺失留下了电子，所以氧化锡一般情况下是n型导电。我是做氧化锡的......
呵呵，你点混淆概念了。
氧的缺失确实留下了电子，n型导电也是这么来的，但n型半导体宏观上还是电中性的，只不过电子可以自由迁移而已（n型只是代表传输性质）。
具体为什么能形成自由电子呢，这是因为氧空位还没到稳定状态，剩下的电子很容易进入导带，因此说氧空位是施主。失去电子前，氧空位保持电中性而吸引正电荷；失去电子后氧空位区域体现的是正电荷，总的电量与自由电子相等。
哈哈，你别怪他跟你纠缠，你的表述确实有点问题，显得累赘。其实把光生载流子的情况去掉大家都好理解，lz也是问的这个。你在文献上看到的受主表观是另一个话题，很有趣，但跟之前的话题混在一起有点绕。不过我能理解你的意思。施主缺陷讲的是特性来源，正是由于给出了电子，才有在其他状态下获得电子的空间。
其实，我只是从载流子的种类来看的，也就是说氧空位在不同的晶格中出现，由于电负性的原因会相对的出现以电子或空位为载流子的NP导电。氧的缺失虽然会留下空位，但是其产生的载流子是不一定的
终于有人理解了。。。眼泪哗哗的...
这点没错，我说的是你提出的SnO2的情况。
我对未掺杂的SnO做过霍尔效应测试，结果是显负电，切载流子是电子
是啊，SnO2是n型导电（很多氧化物都是如此，例如ZnO，TiO2）。载流子为电子，只是说明电子可以自由迁移，并不是说样品内部负电荷比正电荷多。霍尔效应测试的是传输特性，无法移动的正电荷是测不出来的。前面提到的样品带负电，不知道是怎么定义的？我的理解是负电荷电量多于正电荷。但样品本身是电中性的，正负电量相等。可能是定义上理解的偏差。
我知道了 可能我表达错一个问题了，SNO是电中性的N型半导体
氧离子变成氧原子跑掉了,留下两个电子,如果这两个电子是自由的,不在原来氧的位置,则该位置在相应的结构环境中,将显示正电性,能吸引自由电子且能束缚电子,然而这个空位只能束缚一个电子,因为两个电子在一起是相互排斥的.因
这样的话,氧空位束缚一个单位的负电荷,仍然显示正电性.同时,如果氧空位足够多的话,这些被氧空位束缚的电子,有可能彼此耦合起来表现出一定的磁性.即空位缺陷导致的磁性.
氧空位具有相当多的研究价值.
尤其是纳米材料方面,比如表面磁性.
受教了！！谢谢，这个空位只能束缚一个电子这句一定吗？
所以基础概念要搞清楚，呵呵，
氧空位保持电中性而吸引正电荷？？
正解，专业太细不好，
版主，向你请教，在CASTEP中怎样设置带电荷的空位？拜托啦
鼓励整理下
《半导体物理》吧 我记得是
求相关文献或书籍。
我们当时是ppt授课，忘了具体的书名了，不好意思
物质整体肯定是呈电中性的，因为电子和质子数相等，电荷抵消，这一点毋庸置疑。至于说“脱氧后，有大量电子”是指自由电子含量增多，注意此处的自由二字。实际上脱氧前后物质中电子总量，包括成键电子和自由电子总量基本不变，但脱氧处理后有更多的成键电子（因为缺少氧结合）转化为自由电子，使材料表现出n型导电行为。这也是为什么说氧空位为n型掺杂（施主掺杂）的原因。
总结的很赞！后来者一目了然。
不知道用第一性原理算这种氧空位的能级有没有谱，最近在查，楼主有关注不？
计算我不会。期待您的探索！
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扫描下载二维码怎样理解失去电子带正电,并举例子
韩晓柒系列565
原子核内质子带正电''''原子核外电子带负电''''且质子数=核外电子数
所以原子显中性'''但是一旦核外电子失去了一个或两个''''内外正负电荷不相等了''
比如钠原子''里面十一个正电荷''外面十一个负电荷'''失去一个电子后'只剩下十个负电荷了'''那么正电荷多了一个''就显示Na+
11少掉一个不是等于10么，怎么是多了一个正电核呢，求详解
原子分内部'跟外部的''''内外正负电荷在一起才能显示是否带电''''而且外面电子有些不稳定容易失去
非诚谢谢您
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