导读：固态硬盘SSD的SLC、MLC和TLC三者的区别，来说说这个NAND闪存SLC、MLC和TLC三者的区别，但是内嵌式存储应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术，U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：，固态硬盘SSD的SLC、MLC和TLC三者的区别构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，有不少人认为单纯看主控就可以知道SSD的性能，其实这是错 固态硬盘SSD的SLC、MLC和TLC三者的区别 构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，有不少人认为单纯看主控就可以知道SSD的性能，其实这是错误的，就像某些厂商的产品线那样，用的都是SandForce SF-2281主控，但是通过不同的闪存与固件搭配划分出很多不同层次的产品，相互之间性能差异比较大，可见SSD所用的固件与闪存种类都是对其性能有相当大影响的。
来说说这个NAND闪存 SLC、MLC和TLC三者的区别
TLC是闪存一种类型，全称为Triple-Level Cell TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。 2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。如同上一波SLC技术转MLC技术趋势一般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。 TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。但是内嵌式存储应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。 2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别： SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命 MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约次擦写寿命 TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。 需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。
下面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异 SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。 MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC到MLC容量大了一倍，寿命缩短为1/10。 TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC到TLC容量大了2倍，寿命缩短为1/20。 闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了。鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大，强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品 许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。
什么是SLC？ SLC英文全称(Single Level Cell――SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC？ MLC英文全称（Multi Level Cell――MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。 英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
与SLC比较MLC的优势： 签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。
与SLC比较MLC的缺点： MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。 其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到６MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。 再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。 虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求
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还在介意TLC和MLC？SSD应该这么选
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SSD超高的读写速度让许多人以为只要加在老电脑上就会有起死回生的功效。但许多时候并非如此。之前爱好者的推送内容中，CFan也为大家详细介绍了应该如何正确的升级老电脑。想用上SSD，用好SSD，真的没那么简单！
至于你的电脑能不能用上SSD？得优先注意软硬两个方面：坚持使用Windows XP的不用换（系统不支持Trim）、主板不支持AHCI的不能用，传统IDE模式满足不了SSD性能需求（想看电脑是否支持AHCI，进BIOS翻&SATA XXXXX Mode选项&）。
除了上面那两条外，如果你现在使用的处理器单核性能太弱，会直接影响到SSD在4K读写上的表现，此时升级处理器的效果会远大于使用SSD，这也是许多人在使用SSD时感觉和机械硬盘性能相差无几的原因之一哦。
此外，针对SSD的接口也是有说法的，可以这么理解M.2&SATA 3&SATA2，如果你的电脑或笔记本有M.2接口，优先使用M.2类型的SSD（就是贵了辣么一点点）总是没错的，带来的效果会比其他两种接口规格带来的效果要好很多。至于台式机，只要不是5年之前的主板，接SSD的时候需要注意下接口位置和使用的SATA数据线，不要让它的性能损失在第三方芯片引出的扩展接口和劣质数据线上。
接下来就要聊聊钱的问题了，SSD的容量和品牌完全取决于你的荷包大小，128GB（120GB）起步，256GB、480GB、512GB，甚至1TB均有对应产品，小编建议能给出的建议是能买大绝对考虑小的，256GB是首选。至于品牌，那就是看个人喜好了，但无论如何不要过分追求所谓的&性价比&，当年低价闪存盘横行的时候，你还嫌宝贵的数据死的不够惨吗？
哦，说到闪存颗粒问题了，小编为朋友和大家推荐产品的时候，经常会被喷。喷点就是&为毛不是MLC而是TLC的，你不知道TLC寿命不行，性能孱弱吗？&
翻译：TLC的多层单元存储方式缩短了使用寿命
诚然，两种颗粒相比之下，MLC确实优秀很多，目前基于TLC闪存设计的SSD通常会在主控和固件层面虚拟SLC闪存工作模式，并设置OP冗余缓存，从而提升TLC SSD的性能和使用寿命。因此，你会发现几乎所有的TLC SSD容量都是240GB，哪怕是定位较高的三星850 EVO也仅为250GB，远远没有达到256GB的标准容量。此外，SSD厂商依靠优化主控、算法、ECC校验等方式得以改善了TLC SSD的可靠性，它们的质保时间普遍也都是3年起步，而我们升级PC的周期也不过如此。在TLC SSD&下岗&之前，也许你就已经购买了更新一代的SSD升级了。最关键的是，采用MLC的SSD也很难在市场上见到了（厂商们的良心都大大的坏掉了）。
大家就别纠结了这些了，多多注意上面的那些点吧。比起闪存颗粒，周边的&软硬配套设施&对SSD的速度影响会更大一些。
还有啥需要问的，小编在留言区等你呢！
　　　　　　　　　　
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