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管螺纹配合问题R,Rc,Rp,G
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在设计过程中遇到管件连接需要用管螺纹连接问题，因为之前没用过，查设计手册遇到几个问题，向前辈们请教。
1，管螺纹分 R圆锥外螺纹，Rc圆锥内螺纹，Rp圆柱内螺纹。但是G设计手册上查不到 是什么螺纹？
2，管螺纹怎么配合使用？ Rp圆柱内螺纹 和那种外螺纹配合使用？&&R圆锥外螺纹和Rc圆锥内螺纹配合么？
3， 什么情况下非得用管螺纹使用 ，使用是要注意什么 ？
诚请前辈们赐教！！！
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G是不带锥度的管螺纹，温度计接口、压力表接口常用形式！！
2，管螺纹怎么配合使用？ Rp圆柱内螺纹 和那种外螺纹配合使用？&&R圆锥外螺纹和Rc圆锥内螺纹配合么？
圆柱螺纹当然是内螺纹配相应的外螺纹了，都应该是圆柱螺纹的，Rc和R应该是配合使用的，他们两都是55度角锥管螺纹。
3， 什么情况下非得用管螺纹使用 ，使用是要注意什么 ？
置于这个嘛？不太好说，连接方便，拆装也方便，一般的液位计和压力表、温度计等的接口常采用这种连接方式。
个人意见，仅供参考、
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G表示圆柱管螺纹，比如G1/2表示内螺纹，外螺纹还需加注螺纹公差等级标记（A或B级）G1/2A。此形式为非螺纹密封。
Rc表示圆锥内螺纹，Rp表示与圆锥外螺纹配合的圆柱内螺纹，R表示圆锥外螺纹。此形式为螺纹密封。
还有NPT螺纹等。
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机械设计手册第二卷有2-60 2-61中有这两种螺纹的介绍，另外也有R螺纹的配合。
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55°非密封管螺纹的内外螺纹的特征代号都是G。
55°密封管螺纹的特征代号分别是：与圆锥外螺纹旋合的圆柱内螺纹Rp，与圆锥外螺纹旋合的圆锥内螺纹Rc；
& && && && && && && && && && &&&与圆柱内螺纹旋合的圆锥外螺纹R1，与圆锥内螺纹旋合的圆锥外螺纹R2.
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Rp与R1的配合，是圆柱内螺纹与圆锥外螺纹的配合，二者接触面较小，是过盈配合，用于压力较小的场合;使用寿命较短。
Rc与R2的配合，是圆锥内螺纹与圆锥外螺纹的配合，二者接触面较大，是过盈配合，用压力较大、密封性较高的场合;使用寿命较长。
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又学了不少知识，谢谢以上海友热情的参与，标准变化的太快，以前只知道G和ZG
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该用户从未签到&
谢谢分享！太好了
消防安全漫画（1.23）看图猜装置（年前大放送，回复有奖励！）2017年到了，你们加薪了吗？不玩套路的良心企业，涨薪水才是实实《化学工程手册》，又被我发现了个错误？！双吸化工泵密封
）是电梯的防超速和断绳的保护装置的重要机械装置，主要作用是使轿厢（或对重
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Discuz! X3请教这里的电容和电阻串联起什么作用
请教这里的电容和电阻串联起什么作用
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神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师 17:06:54
的电阻串联的作用
MOS管开通瞬间，C9上没有电压，R42跟R46分压，SCR-B点电压比较大，提供高电器启动，当C9上充满电后R43跟R46分压，低电压维持。
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91716|主题：134|帖子：41787积分:91716版主 17:12:43&MOS管开通瞬间，C9上没有电压，R42跟R46分压，SCR-B点电压比较大，提供高电器启动，当C9上充满电后R43跟R46分压，低电压维持。 ||blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 17:58:11&Q2 有没有画错？ ||
神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师 18:22:20&嗯 画错了 原图是N沟道增强型MOS管
blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 10:19:09&N沟道???? ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 18:22:57&应该是个阻容吸收电路，很明显Ｑ２工作在开关状态，所以ＲＣ的吸收电阻并联在Ｑ２的漏极和源极之间比较好,但并联在漏极电阻上,也问题不大.
因为Q2的开关,会在与负载的回路中产生感应电压(由于环路的分布电感引起的),加入RC吸收后,显然RLC电路会抑制振荡,因为R为5.6欧姆,还是应该足够的.
简单地说就是,MOSFET的开关导致环路电流在短时间内发生很大的变化,所以L* di/dt为很大的脉冲电压,但经过RLC的滤波后,震荡幅度减小,这主要是电阻R的功劳,因为LC只能是震荡加剧.
||神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师 18:32:09&在一本书上也见过类似的放在这个位置上的吸收电路,但忘了在哪本书了,自己分析理解不了抑制尖峰的过程. 从瞬间开关的过程,感觉1楼说的挺好理解的. ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 18:35:37&嗯,对.涉及到分布参数的问题,总是不太好说,或怎么说都行.
但定性的来说,就是开关过程产生感应电压,通过RC的吸收,而大幅度降低感应电压,或认为是感应电压通过ＲＣ释放了，所以就是RC吸收电路了!
||神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师 18:37:22&并联在漏源极间的吸收电路号理解,电容电压不能突变,放在这个位置上咋理解呢????困惑 ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 18:39:16&没区别!
本来两者就比较近,而且感应电压是在mosfet和负载的大回路中产生的 ,所以哪里吸收问题不大! ||
神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师 18:46:06&嗯 我再想想. 这个电路是用来驱动可控硅的,实际上源极电阻是100欧姆,为了便于直接分析电路,改成50欧姆的.可控硅导通后门极电压在1-2V ,驱动电流在20-100ma. ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 18:57:40&嗯,对!
其实不管MOSFET是开还是关,环路都有感应电压,RC都起到缓冲吸收至作用.
既然是实际电路,你可以做实验看看,有没有RC,源极电阻电压的变化,或改变一下RC的位置,来看看电压波形,就能大概其知道其作用了.
就算是效果不明显,但原理和作用应该就是如此了.至于是否还有其他的作用,那当然还值得探讨.
但作为设计者,可能是设计之初,就这样设计了,也可能是调试过程中发现RC吸收还是很有必要的.
实践是检验的标准,试试看!
神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师 19:12:22&好的 明天我把(有没有这个串联电阻电容)实测漏源电压的波形发上来 谢谢 ||bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 19:14:02&好! ||
神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师 21:01:48&实测一些节点的波形,一楼分析的有道理 ||
神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师 21:04:36&实测波形 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91716|主题：134|帖子：41787积分:91716版主 08:22:49&没有这个电阻电容，估计你的可控硅就无法正常工作了。可以肯定的告诉你，这个RC不是阻容吸收。 ||
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91716|主题：134|帖子：41787积分:91716版主 08:18:10&这个不是RC吸收，这个应该是软启动电路，Q2也应该不是工作在开关状态。 ||神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师 21:00:01&实测了一些节点的波形 ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 21:16:30&知道了！
Ｃ　主要是个加速作用，不是针对分布电感问题，而是对付分布电容，使得ＭＯＳＦＥＴ栅极为高电平的时候，迅速导通。就是说如果没有C，那么漏极的150R电阻对分布电容的充电会导致MOSFET的导通滞后，而有了Ｃ起到短路作用，就是５．６Ｒ的电阻对分布电容充电，这就快多了！
YTDFWANGWEI离线LV7版主积分：91716|主题：134|帖子：41787积分:91716版主 09:35:27倒数2&这个电容的作用不是针对分布参数，是针对的后面的负载，也就是可控硅。 （当然你要非说对分布电容充电有影响，我也不反对） ||
神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师 21:18:50倒数10&从实测波形观察Q2,不仅仅工作在开关状态,中间是有段时间是处于放大区.佩服电路设计者当初的想法是不是想增加可控硅的瞬间触发电流,确保可控硅正常工作??这个启动时间怎么掌控?可控硅也没说启动要大电流啊,正常工作时门极电流为20-100MA,最大也就限制为100MA. 不过这里的电流是连续的. 最大峰值门极电流倒是为2A.设计电路两者都要兼顾吗?困惑.以我个人的观点 完全可以不要这个电路 ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 21:25:10倒数9&你测试的不是源极电阻吗？
驱动栅极的高电平是多少V?
这个可以决定MOSFET到底是饱和方式还是线性方式.
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 21:38:40倒数8&不会工作在饱和区的!
就算高电平是3V,源极电流也接近0.1A,电阻是50+150=200R,这可是20Ｖ的电压，你电源电压才１２Ｖ，所以不可能，ＭＯＳＦＥＴ肯定是在线性区，ＤＳ间电压很小的．
神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师 21:59:58倒数7&栅极电压没测,但在8V+以上,最终50欧姆的电阻并联后一级的电路,它上面的电压在1V左右,电流约为20ma,而150V电阻上的电压在11V左右,电流为75ma左右,也就是有55ma的电流流过后级负载.这时管子压降小接近0V,以为在饱和区呢,不对吗? ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 22:26:57倒数6&对，但MOSFET的饱和区对应三极管的放大区，都是恒流区。MOS的线性区对应三极管的饱和区。
你的测试结果肯定是对的。按我的估算，如果没有负载的话，源极电阻电压为3V，漏极电阻为9V，MOS的漏源电压接近0V。
如果去掉ＲＣ，测试过吗？
神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师 22:37:24倒数5&RC电路只在管子导通瞬间对输出电压有影响,其他时刻有没有一样.按你说的mos管的线性区对应三极管的饱和区,那一般mos作为开关管工作在线性放大区和截至区?看来我搞错了,我再看看mos管 ||
bridgnsl离线LV8副总工程师积分：4816|主题：17|帖子：2080积分:4816LV8副总工程师 22:51:00倒数4&那就对了，看来RC在MOS的导通瞬间，的确能起到加速之作用。你要是可以肯定这一点，那这个RC电路的作用问题，也就应该解决了！
MOS开关方式 工作在线性区，就像三极管的饱和区一样。
钜微电源-小罗离线LV8副总工程师积分：2809|主题：37|帖子：1142积分:2809LV8副总工程师 09:29:44倒数3&一般我们设计的电路 工作在线性区的时间很短的吧
神奇的电离线LV6高级工程师积分：417|主题：16|帖子：137积分:417LV6高级工程师最新回复 19:49:52倒数1&嗯 是的 MOS管的饱和区又叫恒流区 相当于三极管的放大区
而mos管作为开关管 主要工作在可变电阻区和截至区
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如下两图,RC滤波电路中,电阻R所起到的作用是什么（就并一电容同样可以滤波）?
A图是普通的滤波器原理：当脉动电流到来的时候,电容充电很快,电压和电源电压同时达到最高点,然后电源电压低于当前电容所充电压的时候,电容通过负载放电,负载有一定电阻,所以放电较慢（电压平缓）,不断循环下去,电压就趋于平缓.问题,由于充电时速度很快,所以,在充电的这个阶段,电压有波动.下-左图是RC滤波,R的加入让电容在充电的时候速度变慢,所以电压平缓下-右图是RC pai型滤波,是把之前的俩个电路中和起来用 可以达到更好的滤波效果
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