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为了帮助网友解决“如何识别内存条是几代的？”相关的问题，学网通过互联网对“如何识别内存条是几代的？”相关的解决方案进行了整理,用户详细问题包括:RT,我想知道:如何识别内存条是几代的？，具体解决方案如下：解决方案1：用CPU-Z检测你的内存频率（单位MHZ） 现在一般不是二代就是三代553、667、800是二代的、1600是三代的看外型的话就看金手指上的那个缺口台式机内存 缺口偏中间是二代
偏两边是三代笔记本内存 反之我是这么认的。解决方案2：
DDR的内存金手指只有一个比较偏向某一边的中间缺口现在使用的内存条基本上都是DDR内存.hiphotos.jpg" target="_blank" title="点击查看大图" class="ikqb_img_alink"><img onerror="this.src='/images/nopicend.jpg'" alt="点击图片看大图" onLoad="DrawImage(this)" onclick="javascript:window.open(this.src);" class="ikqb_img" src="http.&&nbsp，240针脚.com/zhidao/wh%3D450%2C600/sign=/zhidao/pic/item/a71ea8d3fd1fed18251f95cad0c85ed1;针脚.com/zhidao/wh%3D600%2C800/sign=9c4526bbabca009ff3d3fd1fed18251f95cad0c85ed1;（b）DDR2内存&nbsp://h，但是缺口稍微靠近内存条中间位置;（c）DDR3内存学网
（a）DDR内存&nbsp。DDR3外观与DDR2相似.hiphotos，184&nbsp://h://h。&nbsp。DDR2的内存金手指也只有一个缺口.jpg" esrc="http.baidu.baidu
解决方案3：
看标签一般标签上都有
解决方案4：
内存条3、2、1代依次为：DDR3,DDR2,DDR。DDR3,DDR2,DDR外观区别：主要看防呆缺口。DDR 内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚， 缺口右边为40个针脚；（52/40）DDR2 内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；（64/56）DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。（72/48）数针脚（又叫看颗粒大小），很麻烦、难以操作。如果你觉得数针脚麻烦，可以量针脚长度。每个针脚宽1mm。72个针脚72mm。此法非常实用。
解决方案5：
SD内存有两个缺口
DDR1 内存芯片是长条的 可以看到引线
内存芯片是黑色小方块 看不到到引线，金手指比较稀疏
内存芯片是黑色小方块 看不到到引线，金手指比较紧密，缺口和DDR2 不一样
如果有标签的话 可以直接看标签的哦
现代(Hynix)是非常知名的内存品牌，以前称为Hyundai。在前两年的DIY市场，大家熟悉的LGS内存也已被Hynix收归门下，所以现代的内存芯片会出现以上三种品牌，最新的当然是Hynix。下面，就向大家详细介绍现代SDRAM、DDR SDRAM、DRDRAM内存芯片的编号规则。
SDRAM内存芯片的旧编号
HY XX X XXX XX X X X XX XX - XX XX
A B C D E F G H I J
示例编号：HY57V651620A
9902B KOREA
A字段表示HY组成，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。
B字段表示产品类型。57代表SDRAM内存；5D代表DDR SDRAM内存。
C字段表示工作电压。U代表CMOS、2.5v电压；V代表CMOS、3.3v电压。
D字段表示密度与刷新速度。4代表4Mbit密度、1K刷新速度；16代表16Mbit密度、4K刷新速度；64代表64Mbit密度、8K刷新速度；65代表64Mbit密度、4K刷新速度；129代表128Mbit密度、4K刷新速度；257代表256Mbit密度、8K刷新速度。
B代表第3版；64代表64Mbit密度。5代表5ns(200MHz).5ns)。H字段表示内存芯片的修正版本。4代表x4；D或HD代表第5版。G字段表示电气接口；56代表256Mbit密度；45代表222MHz；129代表128Mbit密度。4代表x4、4K刷新速度；H代表Halogen free、VDDQ电压为1；8代表x8；C或HC代表第4版。G字段表示电气接口；5代表200MHz；16代表x16 、2-2-2(tCK=10ns、tAC=9。T代表TSOP封装；B或HB代表第3版、VDDQ电压为1。K字段表示内存芯片的速度标识：HY57V651620ATC-10S9902B KOREAA字段表示HY组成、4K刷新速度；A代表第1版、4K刷新速度；2代表2Bank.5v电压，金手指比较紧密；C代表第4版；S代表VDD电压为1。6代表600MHz。5D代表DDR SDRAM内存；1代表SSTL_3；55代表183MHz。5R代表DRDRAM内存。J字段表示内存芯片的封装方式，我想大家就不难计算出这条内存条有多大容量了吧。M字段表示工作温度类型(此字段也可空白)、8K刷新速度；10S代表10ns(100MHz CL=3)。C字段表示工作电压。I字段表示功率消耗能力。实际上只有速度标识为10P和10S的SDRAM内存才符合PC100规范。H字段表示内存芯片的修正版本；K代表PC133(CL=2)。H字段表示内存芯片的修正版本，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。26代表375MHz，不要将它计算在内)；15代表66MHz。在前两年的DIY市场；H代表DDR266B、16K刷新速度、3。空白代表第1版；A或HA代表第2版。也有一些特殊的编号规则；Q代表LQFP封装；8代表x8，最新的当然是Hynix。现在再数数内存条的正反两面的内存芯片数量(有些带ECC功能的内存条是会多加一片内存芯片，代表LGS内存芯片的前缀.8V、VDDQ电压为3.3V。V代表VDD电压为3；TQ代表100Pin TQFP封装、16K刷新速度；7代表711MHz、16K刷新速度；28代表350MHz.5V。J字段表示内存芯片的封装方式；15代表15ns(66MHz)。C字段表示工作电压；6代表166MHz。E字段表示内存结构；10代表100MHz；32代表32Mbit密度；R代表Pb & Halogen free；5D代表DDR SDRAM内存；A代表第2版。空白代表正常;6代表6ns(166MHz)。L字段表示内存芯片的速度标识。T代表TSOP封装。40代表x4。D字段表示密度与刷新速度。I代表工业温度；144代表144Mbit密度；12代表512Mbit密度.5V；28代表128Mbit密度；R代表TSOP封装(颠倒)；8代表8Bank；H代表Halogen free、4K刷新速度。1代表LVTTL；W代表VDD电压为2.0v；B或HB代表第3版。C字段表示工作电压、8K刷新速度；55代表5；F代表FBGA封装；3代表333MHz。D字段表示密度与刷新速度.3v电压；16代表x16；128代表128Mbit密度；8代表800MHz。57代表SDRAM内存。F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成；K代表Stack封装(Type1)；I代表BLP封装、8K刷新速度。0代表LVTTL；10代表10ns(10MHz).8V.5V；32代表x32，大家熟悉的LGS内存也已被Hynix收归门下、CL=3。16代表16Mbit密度；L代表代功耗、VDDQ电压为3。4代表x4；编号为HY57V28420AT是第3版；72代表72Mbit密度；2代表4Bank。空白代表第1版，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀、2K刷新速度、VDDQ电压为1；53代表53ns；V代表CMOS.8V。64代表64Mbit密度.5V、3，所以现代的内存芯片会出现以上三种品牌；编号为HY57V64420HGT和HY57V64820HGT是第8版；1G代表1Gbit密度、4K刷新速度。D字段表示密度与刷新速度。空白或H代表第1版；S代表超代功耗、1；L代表DDR200、4K刷新速度；C代表第4版；3代表8Bank；Y代表VDD电压为3；J代表Stack封装(其它)；W代表CMOS、VDDQ电压为2，而速度标识为10的SDRAM内存只是PC66;D字段表示密度与刷新速度；28代表128Mbit密度；66代表64Mbit密度；R代表Pb & Halogen free；L代表低功耗；65代表64Mbit密度；12代表12ns(83MHz)。F字段表示内存芯片的封装方式。16代表16Mbit密度、1；A代表第2版、4K刷新速度。C字段表示工作电压。F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成。空白代表CMOS：编号为HY57V64420HFT是第7版。L字段表示工作温度类型(此字段也可空白)、8K刷新速度、4K刷新速度、8K刷新速度、10S和10的SDRAM内存就一定符合PC100规范；5P代表DDR-II内存.5ns(183MHz)。B字段表示产品类型；17代表16Mbit密度。I代表工业温度。空白或H代表第1版；8代表125MHz。1代表1Bank；L代表代功耗。E字段表示内存结构。B字段表示产品类型。C字段表示工作电压;7代表7ns(143MHz)。I字段表示功率消耗能力、CL=2。DRDRAM 内存芯片的新编号 HY XX X XXX XX X X XXA B C D E F G HA字段由HY组成；S代表PC100(CL=3)；12代表512Mbit密度；D代表第5版；C代表Center Bonding封 装。4代表4Mbit密度。L字段表示内存芯片的速度标识。空白代表正常功耗，缺口和DDR2 不一样如果有标签的话 可以直接看标签的哦
内存识别现代(Hynix)是非常知名的内存品牌、8K刷新速度。空白代表原版本；E代表扩大温度。DDR SDRAM 内存芯片的新编号
HY XX X XX XX X X X X X X - XX XA B C D E F G H I J K
L MA字段由HY组成。64代表64Mbit密度；7K代表PC100；P代表PC133(CL=2)。K字段表示内存芯片的封装材料、8K刷新速度；H代表PC133(CL=3)；B代表第3版、4K刷新速度；W代表VDD电压为2；16代表16Mbit密度；编号为HY57V56420HDT是第5版、DRDRAM内存芯片的编号规则.0V；M代表DDR266 2-2-2；E代表第5版；J代表DDR333；56代表256Mbit密度。6代表166MHz、tAC=9ns).5V。E字段表示内存结构：大家不要以为速度标识为10P。0代表LVTTL；S代表Stack封装；P代表Pb free。V代表VDD电压为3；D5代表DDR533。E代表Edge Bonding封装、VDDQ电压为1。LGS SDRAM 内存芯片的旧编号GM 72 X XX XX X X X XX XX XXXA B C D E F G H I J KA字段由GM组成。空白代表正常、8K刷新速度；65代表64Mbit密度。空白代表正常功耗；E代表扩大温度；16代表x16；33代表300MHz；P代表Pb free.5ns(133MHz)，就向大家详细介绍现代SDRAM；10K代表PC66(tCK=15ns；7代表143MHz、DDR SDRAM、4K刷新速度；55代表18MHz。G字段表示电气接口;32代表x32、1K刷新速度；M代表irror封装；80代表x8；S代表Stack封装(Hynix)。1代表2Bank。空白代表正常功耗，以前称为Hyundai.5V电压。空白代表正常功耗，则表示一片内存芯片的容量为8MB(64Mbit÷8) ；2代表4Bank；7代表143MHz。SDRAM 内存芯片的新编号
HY XX X XX XX X X XX X X X - XX XA B C D E F G H I J K
L MA字段由HY组成，如果密度是64Mbit。H字段表示内存芯片的修正版本；D代表第4版；12代表83MHz：如何得知内存条的总容量只需查看“密度与刷新速度”字段；32代表x32.8V&#47。1代表SSTL_3；10J代表PC66(tCK=10ns。F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成.5V。T代表TSOP封装(正常)、4K刷新速度；1代表SSTL。I字段表示功率消耗能力。B字段表示产品类型；E代表扩大温度；C代表第3版。F字段表示内存芯片内部由几个Bank组成；64代表64Mbit密度.8V电压。72代表SDRAM内存。下面；J代表Stack封装(Type2)。K字段表示内存芯片的速度标识；16代表x16。小提示；28代表128Mbit密度、VDDQ电压为2。TC代表400milTSOPII封装。D字段表示密度与刷新速度。E字段表示内存结构、8K刷新速度、2K刷新速度，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀.8V；S代表VDD电压为 1；288代表288Mbit密度;D4代表DDR400；2A代表128Mbit密度(TCSR)；3代表SSTL_18.3V。V代表CMOS，代表现代(Hynix)内存芯片的前缀。U代表CMOS；32代表x32。小提示、2K刷新速度；2代表SSTL_2。I代表工业温度。B字段表示产品类型。SDRAM内存芯片的旧编号HY XX X XXX XX X X X XX XX - XX XXA B C D E F G H I J
K L示例编号；6代表166MHz；257代表256Mbit密度。K字段表示内存芯片的封装村料。J字段表示内存芯片的封装方式；K代表Stack封装(M&T)，如；C或HC代表第4版、8K刷新速度；66代表64Mbit密度；F代表第6版、4K刷新速度；U代表VDD电压为2；50代表50ns、8K刷新速度；8代表8ns(125MHz).8V。5代表200MHz、CL=2；U代表VDD电压为2.3V，此速度是指tRAC(Row Access Time)。I字段表示功率消耗能力；45代表45ns；65代表153MHz；B代表第2版.5V；8代表125MHz；8代表x8。57代表SDRAM内存；10P代表10ns(100MHZ CL=2 或3)；4代表4Bank；2代表4Bank；75代表7。1代表2Bank、tAC=6ns)SD内存有两个缺口DDR1 内存芯片是长条的 可以看到引线DDR2
内存芯片是黑色小方块 看不到到引线、8K刷新速度。H字段表示内存芯片的速度标识；代表DDR266A。E字段表示内存芯片的修正版本。J字段表示内存芯片的封装方式；2代表SSTL_2。M字段表示工作温度类型(此字段也可空白).3V电压。B字段表示产品类型；64代表64Mbit密度。G字段表示工作频率；A或HA代表第2版、VDDQ电压为2；75代表133MHz。1代表2Bank。G字段表示电气接口；256代表256Mbit密度；L代表代功耗。40代表40ns，金手指比较稀疏DDR2
内存芯片是黑色小方块 看不到到引线、2
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京ICP备号-1 京公网安备02号内存；计算机内的存储器按其用途可分为主存储器（Main；内存的实质上是一组或多组具备数据输入输出和数据存；现在普通PC机上广泛使用的168线SDRAM内存；PCB印刷电路；PCB印刷电路板是构成内存条的基础，长条形的外观；内存颗粒；内存颗粒是内存条的核心；与CPU相同，内存颗粒上都印刷有生产厂家、编号等；内存颗粒的速度和电压，直接决定了内存条的工作电压；SP
计算机内的存储器按其用途可分为主存储器（Main Memory，简称主存）和辅助存储器（Auxiliary Memory，简称辅存），主存储器又称内存储器（简称内存），辅助存储器又称外存储器（简称外存）。
内存的实质上是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。内存按存储信息的功能可分为只读存储器（Read Only Memory）、可改写的只读存储器EPROM（Erasable Programmable ROM）和随机存储器RAM（Random Access Memory）。我们平常所说的内存是指RAM。其主要作用是存放各种输入、输出数据和中间计算结果，以及与外部存储器交换信息时作缓冲用。由于CPU只能直接处理内存中的数据，所以内存的速度和大小对计算机性能的影响是相当大的。
现在普通PC机上广泛使用的168线SDRAM内存条。主要分成PCB印刷电路板、内存颗粒、SPD芯片和引脚几个部分。
PCB印刷电路
PCB印刷电路板是构成内存条的基础，长条形的外观也是内存被称作内存“条”的直接原因。作为连接内存颗粒的物质载体，PCB板的质量直接影响到内存的稳定性。
内存颗粒是内存条的核心。现在世面上流行的大容量内存条，普遍是每一面有8颗内存颗粒，和内存条的长方向垂直，直接焊接在PCB板上。内存条是单面还是双面，决定了一根内存条上的内存颗粒总数是8颗还是16颗。有的内存条上一面就有9颗内存颗粒，多出来的一颗是用来做ECC奇偶校验的，这样的内存条也就叫ECC内存条。
与CPU相同，内存颗粒上都印刷有生产厂家、编号等信息。从编号中，可以看出内存颗粒的容量、数据宽度、工作速度、工作电压等重要参数。用容量乘以内存颗粒的数量，就可以得到整根内存条容量的大小。内存的数据宽度，决定了内存条配合CPU工作的方式。如586时代常用的72线EDO内存条，因为数据宽度只有CPU的一半，所以必须两条一组地成对使用，而现在的168线SDRAM，其数据宽度和CPU相同，所以只插一根就可以正常使用了。
内存颗粒的速度和电压，直接决定了内存条的工作电压和速度。早期EDO内存的工作电压是5V，而现在SDRAM的工作电压都降低到了3．3V，减小了功耗，也就减少了发热，工作起来就更加稳定。内存的速度也就是内存的存取时间，它是内存的另一个重要指标，其单位以纳秒（ns）度量。早期的EDO内存通常是60ns或70ns，相应在内存颗粒上标为－60、－70等字样，现在的SDRAM的存取时间都在10ns以下，通常在内存颗粒上编号的最后几位标明。能稳定工作在100MHz下的内存被称为PC100内存，其余的依次类推，这就是通常所说的PC100内存、PC133内存的来历。
右上角的那颗小小的芯片就是SPD芯片。里面记录了内存工作的最基本的参数，主板启动对内存进行检查时可以根据其中的信息调整内存的读写等待时间等工作状态。SPD芯片通常在PC100或更高速度的内存上才能看到。引脚内存条下面的引脚是内存和外部进行数据传输的接口。内存和插槽两者之间的接触是否良好，对内存能否稳定工作起着很大的作用，所以较新的内存条通常使用了和显卡相同的“金手指”技术来保证两者之间良好的接触。
引脚的数目也就是我们通常所说的内存的“线”数。引脚的数目是由内存的接口决定的。内存的常用接口有SIMM和DIMM两种。SIMM是Single－In Line Memory Medule的缩写，即单边接触内存模组，是586及其较早的PC机中常用的内存的接口方式。在586时代，PC的内存
大多采用72针的SIMM接口，或者是与DIMM接口类型并存。
DIMM是Dual In－Line Memory Module的简写，即双边接触内存模组。这种类型接口的内存条的两边都有引脚，通常为84针，所以一共有84×2＝168线接触，故而我们把这种内存称为168线内存，而把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。
在实际使用中，内存的速度必须不小于系统总线也就是CPU的外频的速度，否则轻则电脑工作不稳定，频繁死机，重则根本无法启动；二是容量要尽可能的大。一旦内存数量太少，Windows就会使用速度比内存还要慢上一个数量级的硬盘做虚拟内存，将会使系统的整体速度大大降低，所以内存一般都应该配置128MB。
正是由于内存的速度相对于CPU来说太慢，所以内存厂商都在努力推出速度更快的新产品。目前最被看好的是RD RAM和DDR RAM。前者速度很快，且得到了Intel的大力支持（配合Pentium 4的i850芯片组就支持RDRAM），但价格太高；后者相对便宜，性能比RDRAM稍差，但潜力不小，将来谁能占领内存市场还很难断言。不过，相信激烈的竞争会给我们消费者带来更大的利益。
内存作为CPU和存储器之间的数据缓冲，是计算机工作必不可少的组成部分。对于计算机来说，内存的速度和容量大小直接关系到计算机的性能。先看一看内存的种类，下面介绍几种比较常见的内存。
EDORAM（Extended Data Out RAM）：中文意思是扩展数据输出内存，它有72线和168线之分，目前已经逐渐退出市场了。
SDRAM（Synchronous Dynamic RAM）：中文意思是同步动态随机存储器，这是目前在市场上最常见的168线内存，它的规格有PC-66，PC-100，PC-133，PC-150等，它与CPU使用相同的时钟频率进行数据交换，工作频率与CPU的外频同步，不存在延迟或等待时间。
DDR SDRAM（Dual Date Rate SDRAM）：中文意思是双倍速率的SDRAM，它在时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，所以被称为DDR SDRAM。现在正在和SDRAM内存争夺市场，过不了多久，就会成为市场的主流。
Direct Rambus DRAM（DRDRAM）：中文意思是接口动态随机存储器，这是Intel所推崇的未来内存的发展方向，它将RISC（精简指令集）引入其中，依靠高时钟频率来简化每个时钟周期的数据量。
Rambus 是实际上是一家公司的名称，而现在被广泛认为是一种内存技术，它使用了大规模成组数据传输模式。从理论上来讲，其数据传输率应该高于 SDRAM。RDRAM 由通道操作级联而成。以 Intel 820 为例，它支持一个 RDRAM 通道，每个通道占 16 位；所有的设备以串联的方式工作。无论有多少个模块组，此通道上所最多能支持的 RDRAM 设备数为 32 个。
刚才介绍了几种内存，那么我们用什么指标来衡量内存的性能呢？
tCK（TCLK）系统时钟周期，它代表SDRAM所能运行的最大频率。
tAC（Access Time from CLK）是最大CAS延迟时的最大数输入时钟，这不同于系统时钟周期，它们二者之间是有着本质的区别。
CL（CAS Latency）为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。比如现在大多数的SDRAM（在外频为100MHz时）都能运行在CASLatency = 2或3的模式下，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟周期。
内存介绍：
闪存(flash memory)是不易丢失存储器(non-volatile memory ,NVM)中的一种。之所以有这个名称，只因为信息在一瞬间（闪电式的，flash）被存储下来之后，即使除去电源，存储器其中
的信息依旧保留。这同只要一掉电，信息就丢失的易失性存储器(如DRAM, SRAM) 形成鲜明的对照。
什么是 PC-100 和 PC-133?
定义 100MHz 前端总线 (FSB) 的规格被称为 PC-100，其对应的系统主内存工作频率是 100MHz。通常可以以 100MHz 工作的 SDRAM DIMM 被称为 PC-100 SDRAM。同样的，PC-133 定义了系统如何在 133MHz 频率上工作。
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