为什么长波长的 ingaasp 等材料的俄歇复 合比短波波长范围长材料严重

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InP晶片键合技术的研究
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高精度温度控制系统论文--半导体激光器温度控制系统的设计
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3秒自动关闭窗口InGaAsP/InP DH光源中的俄歇复合载流子受热和载流子漏泄增强--《半导体光电》1983年01期
InGaAsP/InP DH光源中的俄歇复合载流子受热和载流子漏泄增强
【摘要】:正 对发光二极管的输出饱和进行仔细分析后就能有根据地认为,俄歇复合是1.3μm InGaAsP/Inp DH光源的输出饱和及激光器阈值的温度敏感性高的主要原因。另外,在最近的实验中观察到大量载流子意外地穿过异质结势垒,像载流子受热一样很可能对器件性能也有影响。本文想统一认识这些现象发生的可能性,认为俄歇复合引起载流子受热,继而载流子泄漏增强。如果采用参考文献1的表示法,那末由俄歇过程引起每单位受热体积的产生率P=E_9An~2,并以速率R向晶格散失。有效能量
【作者单位】:
【关键词】:
【正文快照】:
歇系数以及它们与温度关系的价,在恒定输出电流情况下‘观察了工_.与电流关系和叽与下关系曲线,这些都与sa着咋一个能单独训整的今数相一致,正如图1一3所示。!月111,︵百︶蛇、御叹.J叭 。君怂*‘、…丫/,-厂公厂卜丫。.卜归 对发光二极竹的输出饱和进行仔细分析后〔”“,就
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