在本征半导体的杂质掺杂形式中掺入"什么"价元素得N型半导体的杂质掺杂形式

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-04-28 07:06 标签： 半导体掺杂浓度
半导体例题；一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判；（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可；（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负；（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零；(4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移；解：（1）√（2）×（3）√（4）×；二、选择正确答案填入空内；（1）PN结加正向电压时，空间电荷区
半导体例题
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（
（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（
（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（
(4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（
解：（1）√
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
B. 基本不变
（2）稳压管的稳压区是其工作在
A. 正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
解：（1）A
三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。
解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
解：UO1＝6V，UO2＝5V。
五、电路如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问：
（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？
（2）若T临界饱和，则Rb≈？
（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为
VBB?UBE?26RbμA
IC?? IB?2.6mA
UCE?VCC?ICRC?2V
所以输出电压UO＝UCE＝2V。
（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以
VCC?UCES?2.86mARcIC??28.6?AVBB?UBE?45.4k?IB
六、选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入P型半导体。
（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为
解：（1）A ，C
七、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？
解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。
八、电路如图所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。
解：ui和uo的波形如解图所示。
九、 电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b）所示，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出输出电压uO的波形，并标出幅值。
十、现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：
（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？
（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？
解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。（据说有十种电压值）
十一、已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，最大功耗PZM＝150mW。试求图所示电路中电阻R的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流
IZM＝PZM/UZ＝25mA
电阻R的电流为IZM～IZmin，所以其取值范围为
UI?UZ?0.36～1.8k?IZ
12、 已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；
（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
解：（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小
于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故
RL?UI?3.33VR?RL
当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最
小稳定电流IZmin，所以，不
接负载电阻时：
UO＝UZ＝6V
接入负载电阻后，若稳压值为6V，负载电流为6/0.5=12mA，流过限流电阻的电流最小为12mA，其压降为12V，稳压管电压为3V，不能稳定在6V，所以，稳压管没有击穿，负载电压为5V。
当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。
IDZ?(UI?UZ)R?29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。
13、 在图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5～15mA时才能正常工作。试问：
（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？
（2）R的取值范围是多少？
解：（1）S闭合。
（2）R的范围为
Rmin?(V?UD)IDmax?233?
Rmax?(V?UD)IDmin?700?。
14、 电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。
解：波形如解图所示
15、有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？
解：选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
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在本征半导体中参入微量三价元素形成的杂质半导体,其多数载流子是什么?
nn87790蓝低
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既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是增加电子载流子的数量.2.提高温度和增加的电子载流子的数量的数量和空穴载流子,电子和空穴成对.
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这个。。。真不知道啊
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街上寂寞°毽
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D.5价磷、砷、锑、铋等比碳硅多电子的元素,这些元素在碳硅中成键只需四个电子,多余电子可自由移动,由于是电子（negative)导电,故称N型杂质半导体.
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在本征半导体中加入三价元素,加入五价元素可形成什么半导体?
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在本征半导体中加入五价元素可以形成 N 型半导体,加入三价元素可以形成 P 型半导体.N型半导体中少子是 空穴 ,多子是 电子.
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