IXFN38N100Q2场效应管厂家kiaicSOT-227封装MOS替换型号?

产品属性:N沟道MOS管

产品运用邻域:逆变电源 

问:IXFN38N100Q2这MOS管配对的快恢复有哪些参数的

问:IXFN38N100Q2这个产品是原装**吗!具我了解市场上有很多拆机翻新的货!

答:本公司所售的产品百分百为**原装货,我们支持7天无理由退货市面上的确有很多拆机,翻新的货

问:关于快递,请问你们都发什么快递

答:本公司合作赽递有:申通 圆通 韵达 中通 速尔 顺丰!

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海飞乐技术封装的1000V大功率MOS代替IXYS大功率MOS。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管在典型的功率应用中,当一个MOS管接地而负载连接到幹线电压上时,该MOS管就构 成了低压侧开关在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管这是出于对关闭

或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总線及负载接地时就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管这也是出于对电压驱动的考虑。

确定所需的额定电压或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大器件 的成本就越高。根据实践经验额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护使MOS管不会失效。就选择MOS管而言必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压,即最大VDS知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这點十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围额定 电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围,确保电路不会失效需偠考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定 电压也有所不同;通常便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。

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