ε 这个怎么读 电介质的介电常数常数

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-09-08 22:32 标签： 相对介电常数怎么读
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◇本站云标签测量方法/介电常数
相对介电常数εr可以用静电场用如下方式测量：首先在两块极板之间为介电常数（偶极矩） 的时候测试电容器的电容C0。然后，用同样的电容极板间距离但在极板间加入电介质后测得电容Cx。然后相对介电常数可以用下式计算εr=Cx/C0在标准大气压下，不含二氧化碳的干燥空气的相对电容率εr=1.00053.因此，用这种电极构形在空气中的电容Ca来代替C0来测量相对电容率εr时，也有足够的准确度。（参考GB/T )对于时变电磁场，物质的介电常数和频率相关，通常称为介电系数。
常见溶剂/介电常数
附常见溶剂的介电常数，条件为室温下，测试频率为1KHz。H2O (水) 78.5HCOOH (甲酸) 58.5HCON(CH3)2 (N,N-二甲基甲酰胺)36.7CH3OH (甲醇) 32.7C2H5OH (乙醇) 24.5CH3COCH3 (丙酮) 20.7n-C6H13OH （正己醇）13.3CH3COOH (乙酸或醋酸) 6.15C6H6 (苯) 2.28CCl4 (四氯化碳) 2.24n-C6H14 （正己烷）1.88n-C4H10（晶华丁烷）1.78
电介质/介电常数
相对介电常数
相对介电常数
液态二氧化碳
固体氨固体醋酸
15%水湿砂（金刚石）
虫胶（紫胶）
4．01～4．1
2．0～2．1
2．4～2．6
5．5～16.5
相关解释/介电常数
"介电常数" 在工具书中的解释：1．又称电容率或相对电容率，表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要数据，常用ε表示。它是指在同一电容器中用同一物质为电介质和真空时的电容的比值，表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力。对于介电材料，相对介电常数愈小绝缘性愈好。空气和CS2的ε值分别为1.左右，而水的ε值特别大，10℃时为 83.83，与温度有关。2．介电常数是物质相对于真空来说增加电容器电容能力的度量。介电常数随分子偶极矩和可极化性的增大而增大。在化学中，介电常数是溶剂的一个重要性质，它表征溶剂对溶质分子溶剂化以及隔开离子的能力。介电常数大的溶剂，有较大隔开离子的能力，同时也具有较强的溶剂化能力。介电常数用ε表示，一些常用溶剂的介电常数见下表："介电常数" 在学术文献中的解释：1．介电常数是指物质保持电荷的能力，损耗因数是指由于物质的分散程度使能量损失的大小。理想的物质的两项参数值较小文献来源2.其介质常数具有复数形式，实数部分称为介电常数，虚数部分称为损耗因子.通常用损耗正切值(损耗因子与介电常数之比)来表示材料与微波的耦合能力，损耗正切值越大，材料与微波的耦合能力就越强3．介电常数是指在同一电容器中用某一物质为电介质与该物质在真空中的电容的比值.在高频线路中信号传播速度的公式如下：V=K4.为简单起见，后面将相对介电常数均称为介电常数.反射脉冲信号的强度，与界面的波反射系数和透射波的衰减系数有关，主要取决于周围介质与反射体的电导率和介电常数。
应用/介电常数
近十年来，半导体工业界对低介电常数材料的研究日益增多，材料的种类也五花八门。然而这些低介电常数材料能够在集成电路生产工艺中应用的速度却远没有人们想象的那么快。其主要原因是许多低介电常数材料并不能满足集成电路工艺应用的要求。图2是不同时期半导体工业界预计低介电常数材料在集成电路工艺中应用的前景预测。早在1997年，人们就认为在2003年，集成电路工艺中将使用的绝缘材料的介电常数（k值）将达到1.5。然而随着时间的推移，这种乐观的估计被不断更新。到2003年，国际半导体技术规划（ITRS 2003）给出低介电常数材料在集成电路未来几年的应用，其介电常数范围已经变成2.7~3.1。造成人们的预计与现实如此大差异的原因是，在集成电路工艺中，低介电常数材料必须满足诸多条件，例如：足够的机械强度（MECHANICAL strength）以支撑多层连线的架构、高杨氏系数（Young's modulus）、高击穿电压（breakdown voltage&4MV/cm)、低漏电(leakage current&10-9 at 1MV/cm)、高热稳定性（thermal stability &450oC)、良好的粘合强度(adhesion strength)、低吸水性（low moisture uptake）、低薄膜应力（low film stress）、高平坦化能力（planarization）、低热涨系数（coefficient of thermal expansion）以及与化学机械抛光工艺的兼容性（compatibility with CMP process）等等。能够满足上述特性的完美的低介电常数材料并不容易获得。例如，薄膜的介电常数与热传导系数往往就呈反比关系。因此，低介电常数材料本身的特性就直接影响到工艺集成的难易度。目前在超大规模集成电路制造商中，TSMC、 Motorola、AMD以及NEC等许多公司为了开发90nm及其以下技术的研究，先后选用了应用材料公司（Applied Materials）的Black Diamond 作为低介电常数材料。该材料采用PE-CVD技术 ，与现有集成电路生产工艺完全融合，并且引入BLOk薄膜作为低介电常数材料与金属间的隔离层，很好的解决了上述提及的诸多问题，是目前已经用于集成电路商业化生产为数不多的低介电常数材料之一。介电常数（偶极矩）
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介质的介电常量 怎么读
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介质的介电常量为希腊字母ε,近似读音为：“艾普西隆”（Epsilon ）
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一个半径为a的介质球，介电常数为ε，球内的极化强度P=exK／R，其中K为一常数。
悬赏：0&答案豆
提问人：匿名网友
发布时间：
一个半径为a的介质球，介电常数为ε，球内的极化强度P=exK/R，其中K为一常数。（1）计算束缚电荷体密度和面密度；（2）计算自由电荷密度；（3）计算球内、外的电场和电位分布。&
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1两种电介质的相对介电常数分别为εr1和εr2其分界面为z=0平面。已知介质1中的电场E1=2yex-3xey+(5+z)ez，那么对于介质2中的E2和D2，我们可得到什么结果?能否求出介质2中任意点的E2和D2?2z=0是两种介质的分界面，在z＞0时，μr1=1，B1=1.5ex+0.8ey+0.6ez；在z＜0时，μr2=100，求：3球形电容器的内导体半径为a，外导体内半径为b，其间填充介电常数分别为ε1和ε2的两种均匀介质，如图所示。设内球带电荷为q，外球壳接地。求：(1)介质中的电场强度和电位分布；(2)球形电容器的电容。请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！4电介质透镜可以用来使电场平直化。如图所示的透镜左表面为圆柱面，右表面为平面。如果区域①中点P(r0，处E1=5er-3eφ，为了使区域③中的电场E3平行于x轴，透镜的相对介电常数应该为多少?&&
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