&&&电子态密度 在 无线电电子学 分类中
的翻译结果:
查询用时：1.543秒
&在分类学科中查询
&&&&Using an over-layer cluster of Ag_4,we have obtained the stable adsorbed geometry of the Ag_4 clusteron Si(111) surface,and the density of electronic states agrees fairly well with someUPS results.
&&&&得到了 Ag集团在 Si(111)面上稳定的吸附构型和与一些UPS实验结果符合得较好的电子态密度.
&&&&A model based on the assumption that the density of electronic states (DOS) ofamorphous materials may be approximated by an average of that of the so called"quasi-crystals" constructed by certain random procedure is proposed for theore-tical studies on electronic structure of amorphous materials.
&&&&本文提出了一个非晶态材料的电子态密度理论计算模型. 模型的基本思想是:先用某种随机方式构造一系列“类晶”,而非晶态材料的电子态密度可由这一系列类晶的电子态密度的平均值来近似.
&&&&Si\|K\-β and Si\|L
emission band spectra are measured, where the Si\|K\-β reflects the valence\|band density of states with p\|symmetry and the latter reflects the one with s\| and /or d\|symmetry.
&&&&然后测量了这两种锰硅化物的软 X射线发射光谱 Si- Kβ发射光谱和 Si- L2 ,3发射光谱 ,Si- Kβ发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的 Si- p部分电子态密度 ,而 Si- L2 ,3发射光谱反映的是硅化物的价电子能带的 Si- s,d部分电子态密度 .
&&&&The density of states and band structures of α-V2O5 and Li-intercalated V2O5 (LixV2O5, x= 0.5 and 1.0) have been studied using a first-principles calculation based on density function theory with the local density approximation.
&&&&采用第一性原理局域密度近似法计算了V2O5的电子态密度和能带结构以及Li嵌入后对其电子结构和光学性质的影响。
&&&&Using the density-functional theory combining non-equilibrium Green's function technique, the density of states and transport properties of (5,5) metallic SWCNT with Stone-Wales defects have been studied.
&&&&运用密度泛函结合非平衡格林函数方法,对含有Stone—Wales缺陷的(5,5)金属型SWCNTs的电子态密度和输运性能进行了研究。
&&&&Different impurity locations and different impurityeffective energy levels are considered. The interface local density of states at the semiconduc-tor side is calculated.
&&&&并以Ni-ZnO系统为例,对不同的杂质及其处于不同的位置时分别计算了界面处半导体一边的电子态密度和界面态能级,以此来观察杂质对界面电子态的影响.
&&&&The metal Pt and sub-strate Si are described by the finite d-orbital chain and the semi-infinite sp-hybrid orbitalchain, respectively. The Pt/Si interface energy and the interface local density of states at Siside are computed pefore and after H was absorbed.
&&&&分别以紧束缚的 d轨道模型和sp杂化轨道模型描述金属 Pt和衬底Si,计算了在H被吸附前、后 Pt/Si的界面能和吸附前、后 Pt的厚度对局域在Si一边的界面电子态密度的影响.
&&&&An Improvement on the LDOS of Crystal by EHMO Method
&&&&用EHMO方法计算晶体电子态密度的一种改进
&&&&Electronic Structure of Amorphous Silicon——Model Calculation
&&&&非晶态材料硅的电子态密度的理论计算
&&&&Influence of Bond Rings on Electronic Densities of State in Tetrahedral Bonded Semiconductors
&&&&键环作用对四面体配位半导体的电子态密度的影响
&&&&So the one-dimension band structures of [poly (para-phenylene)] (PPP) and its alkoxyl derivatives are calculated by the EHMO method (BICON-CEDiT code).
&&&&因此,我们利用该方法,采用BICON-CEDiT程序包优化了聚对苯撑(PPP)及其系列2,5位烷氧基取代衍生物的几何结构,并计算了各自的一维能带结构和电子态密度图。
&&&&The densities of electronic states for alloy Al_Si_(1-x)are calculated by the VCA and CPAmethods.
&&&&本文用VCA和CPA方法计算了Al_xSi_(1-x)合金的电子态密度.
查询“电子态密度”译词为用户自定义的双语例句&&&&我想查看译文中含有：的双语例句
为了更好的帮助您理解掌握查询词或其译词在地道英语中的实际用法，我们为您准备了出自英文原文的大量英语例句，供您参考。&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& The effect of non-ideal surface of three-dimensional crystal on the electron state density is discussed by the bi-time Green's function method and the- conditions for higher electron state density are analysed: 本文利用双时格林函数方法,讨论三维晶体非理想表面对电子态密度的影响,分析了提高电子态密度的条件. A model based on the assumption that the density of electronic states (DOS) ofamorphous materials may be approximated by an average of that of the so called"quasi-crystals" constructed by certain random procedure is proposed for theore-tical studies on electronic structure of amorphous materials.As an example for thismethod,the calculation of DOS of amorphous silicon is made.The results obtainedshow fairly good agreement with that of the experiments.Some problems related tothe essence of the model are also discussed.... A model based on the assumption that the density of electronic states (DOS) ofamorphous materials may be approximated by an average of that of the so called"quasi-crystals" constructed by certain random procedure is proposed for theore-tical studies on electronic structure of amorphous materials.As an example for thismethod,the calculation of DOS of amorphous silicon is made.The results obtainedshow fairly good agreement with that of the experiments.Some problems related tothe essence of the model are also discussed.本文提出了一个非晶态材料的电子态密度理论计算模型.模型的基本思想是:先用某种随机方式构造一系列“类晶”,而非晶态材料的电子态密度可由这一系列类晶的电子态密度的平均值来近似.作为本方法的一个例子,我们具体计算了非晶态硅的电子态密度,计算结果与实验结果符合得很好.最后,讨论了一些有关模型的问题. The electronic densities of state (DOS) of ST-12 structure polymorphs are cal-culated using "Cluster-Cactus Lattice" model (CCLM) and compared with the result of"Cluster-Bethe Lattice" model (CBLM).The results calculated show that the influe-nce of long-range bond rings on DOS is so weak that on calculation of DOS, reasonableresults can be obtained by simpler CBLM without detailed consideration of the long-range rings. 本文用“原子集团-仙人掌格子”模型对ST-12结构计算其电子态密度,并与用“原子集团-Bcthe格子”模型而得的结果加以比较.计算结果表明,长程的键环作用对电子态密度影响甚小,以致在计算电子态密度时我们往往可以不必详细考虑这种作用.&nbsp&&&&&相关查询
在英文学术搜索中查有关的内容
在知识搜索中查有关的内容
在数字搜索中查有关的内容
在概念知识元中查有关的内容
在学术趋势中查有关的内容
2008 CNKI－中国知网
北京市公安局海淀分局 备案号：110 1081725
&2008中国知网(cnki)
中国学术期刊(光盘版)电子杂志社您的位置： &
三角晶格光子晶体能态密度的研究
优质期刊推荐君，已阅读到文档的结尾了呢~~
《半导体光电学》课后习题,半导体光电子学,半导体物理学课后答案,半导体光电子学 答案,半导体光电子学 pdf,工程力学课后习题答案,材料力学课后习题答案,结构力学课后习题答案,土力学课后习题答案,流体力学课后习题答案
扫扫二维码，随身浏览文档
手机或平板扫扫即可继续访问
《半导体光电学》课后习题
举报该文档为侵权文档。
举报该文档含有违规或不良信息。
反馈该文档无法正常浏览。
举报该文档为重复文档。
推荐理由：
将文档分享至：
分享完整地址
文档地址：
粘贴到BBS或博客
flash地址：
支持嵌入FLASH地址的网站使用
html代码：
&embed src='/DocinViewer--144.swf' width='100%' height='600' type=application/x-shockwave-flash ALLOWFULLSCREEN='true' ALLOWSCRIPTACCESS='always'&&/embed&
450px*300px480px*400px650px*490px
支持嵌入HTML代码的网站使用
您的内容已经提交成功
您所提交的内容需要审核后才能发布，请您等待！
3秒自动关闭窗口 上传我的文档
 下载
 收藏
该文档贡献者很忙，什么也没留下。
 下载此文档
【精品原创】《半导体光电学》课后习题
下载积分：1000
内容提示：【精品原创】《半导体光电学》课后习题
文档格式：DOCX|
浏览次数：113|
上传日期： 21:26:05|
文档星级：
全文阅读已结束，如果下载本文需要使用
 1000 积分
下载此文档
该用户还上传了这些文档
【精品原创】《半导体光电学》课后习题
官方公共微信微纳结构中光子-量子点相互作用强度的准确确定--《第九届全国光学前沿问题讨论会论文摘要集》2011年
微纳结构中光子-量子点相互作用强度的准确确定
【摘要】：正微纳结构中量子系统(原子、分子、量子点等,用"原子"表示)与光子的耦合相互作用强度正比于光子的取向局域态密度(或局域态密度),因此,光子的局域态密度准确计算是微纳量子光学的基础。基于FDTD和Pade数值方法,在国际上率先发展出一套功能强大的数值计算软件,它能够对
【作者单位】：
【分类号】：O572.31【正文快照】：
微纳结构中量子系统(原子、分子、量子点等,用"原子”表示)与光子的耦合相互作用强度正比于光子的取向局域态密度(或局域态密度),因此,光子的局域态密度准确计算是微纳量子光学的基础.基于FDTD和Pade数值方法,在国际上率先发展出一套功能强大的数值计算软件,它能够对任意微纳
欢迎：、、)
支持CAJ、PDF文件格式，仅支持PDF格式
【相似文献】
中国期刊全文数据库
张一方;[J];信阳师范学院学报(自然科学版);2002年03期
吴崇试,曾谨言;[J];科学通报;1988年24期
张穗萌;[J];皖西学院学报;2001年02期
廖伯琴,殷传宗;[J];西南师范大学学报(自然科学版);1989年03期
Soo Ryeon RIsao NYoung Mee J;[J];生命科学仪器;2011年03期
刘泽专;杨志安;;[J];物理学报;2007年03期
周艳珍;张素英;;[J];山西大学学报(自然科学版);2012年04期
B.Monemar,L S[J];国外发光与电光;1975年06期
周书华;[J];中国原子能科学研究院年报;2004年00期
汪友梅;曹义刚;;[J];杭州电子科技大学学报;2007年02期
中国硕士学位论文全文数据库
薛岩频;[D];厦门大学;2006年
&快捷付款方式
&订购知网充值卡
400-819-9993
《中国学术期刊（光盘版）》电子杂志社有限公司
同方知网数字出版技术股份有限公司
地址：北京清华大学 84-48信箱 大众知识服务
出版物经营许可证 新出发京批字第直0595号
订购热线：400-819-82499
服务热线：010--
在线咨询：
传真：010-
京公网安备75号