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GCC4.8编译器跑分为：整数764/G、浮点1120/G，使用LCC编译器跑分为：整数828/G、浮点1578/G。特别是其浮点性能已经接近了Intel IVY。3A2000也得益于新微结构实现相较于3A1000性能提升1倍，不仅一扫3A0时代的憋屈。从表中可以看出，龙芯和Intel，最大的差距在主频上。其次才是制程和微结构的差距。从表中可以看出，龙芯和Intel，最大的差距在主频上。其次才是制程和微结构的差距。龙芯正在流片的3A3000，针对GS464E的瓶颈做了改进，将定点发射队列从16项提升到32项，将浮点发射队列从24项提升到32项，并提升了缓存和主频。期待3A3000流片归来后的表现。申威因为某些原因申威始终带着神秘色彩，而且公开资料也非常少，即便了解到情况也怯于下笔。2015年申威的超算芯片性能达到Intel第一代至强PHI计算卡的水平，而且有着更好的性能功耗比，在设计理念上也更先进，并被用于采用纯自主技术的100P超算。笔者曾认为申威专注于超算芯片，放弃了桌面芯片的进一步研发，但事实证明笔者低估了申威的技术实力，在完成超算芯片研发的同时，申威还发布了新一代桌面芯片，该芯片采用中芯国际40nm制程，主频1.6G，功耗40-50W，根据SPEC2000测试，整数超过1000分（@1.6G主频）。目前，申威也积极进军党政军安全PC市场，并对龙芯、飞腾、兆芯等做安全市场的IC设计公司造成冲击。目前申威桌面芯片的性能基本满足党政军办公需求，真正的短板在软件支持上。此外，在服务器芯片方面，申威也正在积极开发一款16核服务器芯片。飞腾飞腾后仿制过德州仪器的DSP，做过Intel的安腾，仿制过流处理器，仿制过UltraSPARC\nT2，先后更换IA-64、SPARC、ARM三个指令集，将合作单位折磨的痛不欲生。在飞腾购买ARM指令集授权后，飞腾于2015年发布了自主设计的微结构和CPU。2015年，飞腾（ARM）有“火星”和“地球”2款产品。“地球”是一款4核CPU，微结构是国防科大自主研发的“小米”，是一款桌面CPU。“火星”的微结构也是“小米”，“火星”拥有64核心，主频达2G，制程工艺28nm，功耗120W。虽然“火星”单核性能较弱，但依靠核心数量优势，在Spec 2006的模拟器测试中，多核整数分数达672，浮点分数585，足以和Xeon E5－2699v3相媲美（Xeon E5－2699v3整数、浮点成绩分别是680和460）。诚然，目前的“小米”还无法与Intel的ivy、haswel相比，但在ARM阵营中，根据模拟器测试成绩，单核性能是强于ARM
Cortex A57的（笔者认为SPEC2006整数9.6/G是开auto parallel的结果，关auto\nparallel，使用GCC，将来实测有7/G就是胜利）。目前，“火星”和“地球”都在流片中，估计2016年年中会有好消息。君正君正在2015年和三星合作，使君正产品能够获得三星正在推广的Tizen系统的支持。并推出了针对智能穿戴芯片市场和物联网芯片市场的M200和X1000。这两块芯片最大的优势就是在性能够用的前提下，非常廉价且功耗很低。君正打算将X1000卖到15-20元，搭载X1000的开源开发板可以卖到100左右。极低的价格再加上芯片本身又集成了RAM，外围电路相对简单，X1000甚至可以跨界充当“超级单片机”。由于嵌入式芯片在软件方面也是底层+OS+应用软件，底层+OS往往由芯片供应商解决，而应用软件一般按需求定制。这导致在智能可穿戴市场，相当一部分可穿戴产品和应用软件具有专用性，软件生态链相对较短，加上应用需求的多样化，导致不能用一套通用方案来满足所有人的要求，所以在这个领域没有某个厂商可以实现垄断。因此，在智能穿戴市场未必会出现PC和手机市场那样赢着通吃的情况，而这就给君正一个机会，比如某个正在做WIFI音响的创客团队，就因飞思卡尔前段时间涨价30%，而选择了廉价的X1000芯片，并订购了1万片做测试。智能穿戴芯片和物联网芯片对性能要求不高，君正的产品完全满足性能要求，而Intel的爱迪生虽然性能强悍，但颇有大炮打蚊子的嫌疑。ARM阵营IC设计公司受制于相对较高的授权费，在芯片产量较小的情况下，并不具备价格上的竞争力。因为对性能要求较高的应用场景相对较少，大部分应用场景更关注低功耗、廉价、尺寸等因素，所以智能穿戴芯片和物联网芯片市场真正的竞争力不是性能，而是功耗、廉价和软件支持。因此，就不比较性能了。宏芯由于引进技术中，往往有这样一个过程，先贴牌，后仿制，再修改原始设计，最后在将引进的技术融会贯通后自主创新。因此，宏芯2015年发布的CP1，其实就是IBM的Power8的马甲。根据宏芯公布的PPT，要走完贴牌、仿制、修改、自主创新这个过程基本要到年的CP3。祝宏芯能用5年时间实现技术的消化吸收和推陈出新。兆芯2013年，上海市国资委下属的上海联投和台湾VIA合资兆芯，上海联投注资12亿元人民币，还承接了核高基1号专项，获得了不少于70亿的项目经费。兆芯的产品线很长，根据兆芯官网的资料，有智能机顶盒解决方案、智能手机解决方案、台式机解决方案、笔记本解决方案。其中智能机顶盒解决方案、智能手机解决方案的CPU核购买自ARM，GPU用的是购买自S3的技术，到底是买S3的技术授权，还是购买全套技术资料，因具体交易细节尚未披露也就不得而知了。如果是购买了S3全部知识产权，并可以此为平台开发自己的产品，那么兆芯（GPU）将会是景嘉微电子的强力竞争对手。兆芯的台式机和笔记本解决方案所用的X86芯片，但存在知识产权瑕疵——VIA的X86授权源自收购Cyrix，但在Intel收紧X86授权后，VIA遭受Intel专利大棒暴击，使VIA的桥片销声匿迹。在英特尔与美国联邦贸易委员会（FTC）达成协议后，英特尔需向VIA提供x86授权协议延长至2018年4月。目前，兆芯有ZX-A和ZX-C两款X86芯片，ZX-A是VIA Nano的马甲。2015年兆芯发布的ZX-C其实就是当年VIA做到一半，后被放弃掉的四核CPU，VIA/兆芯在拿到核高基的经费后，将当年的半成品做成成品。ZX-A和ZX-C使用同样的微结构，差距仅限于双核变四核，主频提升到2G，40nm变28nm。从图表中可以看出来，虽然ZX-C有2G主频，但是因为微结构性能有限，整体性能并不强。海思麒麟、展讯、联芯由于都是购买ARM IP核授权就索性一起说了。2015年海思和展讯在商业上都实现巨大成功——\n根据IC Insights发布 2015 年全球前十大 IC设计商排行与整体销售排名，海思和展讯双双挤入前10。麒麟950非常高的概率成为2015年能在市场上买到的安卓最强芯。而展讯在被紫光收购后，也成为不差钱的主，员工数量迅速扩充到4000余人，在拥有雄厚的资金后，和以廉价著称的联发科大打价格战，大幅侵蚀3G手机芯片市场，并将联发科打的丢盔弃甲，股价惨遭腰斩。而联芯则借小米的东风，将LC1860推向市场，虽然无法和海思和展讯相比，但毕竟是一个好的开始。不过在海思麒麟、展讯、联芯在商业市场取得成功的同时，也要注意到，这三家公司卖出的手机芯片没有一片是自主设计的微结构。三家公司都是购买ARM的CPU核、GPU核以及各种接口IP核，通过一定的流程，集成（高级组装）SOC。虽然通过购买国外技术大幅降低了技术门槛，缩短了研发周期，但整个过程根本不涉及最核心的微结构设计。因此，在芯片的性能、功耗、安全性、利润分配方面缺乏话语权，在完全依附于AA体系后，在发展路线和安全可控方面完全受制于ARM和谷歌。（因A72比A53强很多，麒麟950在表格中只列A72）由于都是购买ARM
IP核授权，产品高度同质化，性能差距的根源在于ARM不同微结构的性能差距，因此，麒麟950在性能上大幅领先SC9830A、LC1860。因为搭载三星猎户座8890和高通骁龙820的手机还无法在市场上买到，加上笔者对GK跑分不感冒，所以就比较已经在市场上可以买到的猎户座7420和麒麟950。麒麟950（4A53+4A72）和三星猎户座+4A57）比较的话，由于主频相差不大，就看A72和A57孰强孰弱了。根据华为公布的SPEC2006测试，A57整数得分为6，A72整数得分为6.7，因此，在CPU方面麒麟950也强于三星猎户座7420；GPU方面麒麟950是ARM的Mali T880MP4，猎户座7420是Mali T760MP8，根据ARM的资料，两者性能相当。结语在2015年的国产手机芯片中，麒麟在性能上950力压群雄，一枝独秀。在2015年的国产桌面芯片中，从微结构上看龙芯最佳，申威次之，兆芯再次之，而且GS464E和已Intel的Nehalem性能差距甚微，3A2000和I3 550的差距主要在主频上。从主频上看，ZX-C最高，申威四核次之，龙芯3A2000主频最低。因此，2015年的三款国产桌面CPU总体性能差距不大。据笔者了解，2016年VIA很可能拿不出Intel Nehalem、龙芯GS464E和AMD Steamroller一个等级的微结构，而申威在完成四核桌面芯片后，主要精力放在16核服务器芯片上，加上IC设计漫长的研发周期，因而笔者认为，2016年国产桌面芯片的最强者将从正在流片的“地球”和龙芯3A3000中产生。关于作者：铁流，自由撰稿人，瞭望智库特约科技观察员。半导体高薪职位推荐展讯通信：华虹设计：联芯科技：国民技术： (二维码自动识别)","updated":"T03:59:26.000Z","canComment":false,"commentPermission":"anyone","commentCount":8,"collapsedCount":0,"likeCount":50,"state":"published","isLiked":false,"slug":"","isTitleImageFullScreen":false,"rating":"none","titleImage":"/27de584ed4c22bf7d24f9_r.png","links":{"comments":"/api/posts//comments"},"reviewers":[],"topics":[{"url":"/topic/","id":"","name":"中央处理器 (CPU)"},{"url":"/topic/","id":"","name":"芯片（集成电路）"},{"url":"/topic/","id":"","name":"半导体"}],"adminClosedComment":false,"titleImageSize":{"width":385,"height":211},"href":"/api/posts/","excerptTitle":"","column":{"slug":"MooreRen","name":"半导体行业观察"},"tipjarState":"inactivated","annotationAction":[],"sourceUrl":"","pageCommentsCount":8,"hasPublishingDraft":false,"snapshotUrl":"","publishedTime":"T11:59:26+08:00","url":"/p/","lastestLikers":[{"bio":null,"isFollowing":false,"hash":"0e0da2bc87da7bbe81d8d2feae2fae82","uid":486000,"isOrg":false,"slug":"ying-zi-feng-ge","isFollowed":false,"description":"","name":"影子风阁","profileUrl":"/people/ying-zi-feng-ge","avatar":{"id":"da8e974dc","template":"/{id}_{size}.jpg"},"isOrgWhiteList":false},{"bio":"西班牙留学生","isFollowing":false,"hash":"23bfc632b164de042b512fb2c0df9cbe","uid":780200,"isOrg":false,"slug":"campesino-55","isFollowed":false,"description":"","name":"campesino","profileUrl":"/people/campesino-55","avatar":{"id":"da8e974dc","template":"/{id}_{size}.jpg"},"isOrgWhiteList":false},{"bio":"","isFollowing":false,"hash":"f78d0db5dce","uid":20,"isOrg":false,"slug":"chou-you-lu-xing-jia","isFollowed":false,"description":"","name":"臭鼬旅行家","profileUrl":"/people/chou-you-lu-xing-jia","avatar":{"id":"v2-bbdd83e32fe6dfdac57ea7741dceabf7","template":"/{id}_{size}.jpg"},"isOrgWhiteList":false},{"bio":null,"isFollowing":false,"hash":"c4e3b15dcd088","uid":04,"isOrg":false,"slug":"cui-yu-peng-13","isFollowed":false,"description":"","name":"lonng","profileUrl":"/people/cui-yu-peng-13","avatar":{"id":"da8e974dc","template":"/{id}_{size}.jpg"},"isOrgWhiteList":false},{"bio":"","isFollowing":false,"hash":"20ba4563ffc73d0e4bfaf03c0a9c06da","uid":12,"isOrg":false,"slug":"zhong-yi-wen-4","isFollowed":false,"description":"迷影党成员","name":"北野文","profileUrl":"/people/zhong-yi-wen-4","avatar":{"id":"e20e8de91ea3e7e5feed","template":"/{id}_{size}.jpg"},"isOrgWhiteList":false}],"summary":"一直以来缺“芯”少“魂”是中国计算机产业的心病，除国防军工和信息安全领域使用龙芯、申威、飞腾等国产CPU之外，民用市场上的国产计算机基本没有“中国芯”，中国每年需要进口的芯片的资金已经超过每年进口的石油总价，高达2000多亿美元。近年来，国家对…","reviewingCommentsCount":0,"meta":{"previous":{"isTitleImageFullScreen":false,"rating":"none","titleImage":"/3f86d0fddfe_r.png","links":{"comments":"/api/posts//comments"},"topics":[{"url":"/topic/","id":"","name":"MOS（微软Office专家认证）"},{"url":"/topic/","id":"","name":"半导体"},{"url":"/topic/","id":"","name":"招聘"}],"adminClosedComment":false,"href":"/api/posts/","excerptTitle":"","author":{"bio":"摩尔精英.创始人兼CEO","isFollowing":false,"hash":"a041bc84af3b04f2298645","uid":488500,"isOrg":false,"slug":"jyzzzz2012","isFollowed":false,"description":"Linkedin主页：/in/jyzhang8 个人微信：MooreRen001\n摩尔精英()是全球领先的专业半导体服务平台，愿景是“让中国没有难做的芯片”，通过连接全球半导体精英，重构半导体基础设施，打造行业的效率杠杆。旗下业务包括“半导体垂直招聘、芯片设计服务、运营供应链服务、半导体媒体智库、培训直播App”。覆盖包括“IC设计、EDA/ IP、晶圆代工、封装测试、半导体设备与材料、方案设计、分销代理”等半导体全产业链1500多家企业和50万专业用户。","name":"张竞扬 摩尔精英","profileUrl":"/people/jyzzzz2012","avatar":{"id":"v2-5e305b94f675efe2d64427","template":"/{id}_{size}.jpg"},"isOrgWhiteList":false},"column":{"slug":"MooreRen","name":"半导体行业观察"},"content":"来源：芯苑网
小桂讲起FinFET当然是很advanced的东西，尤其大陆现在还停留在28nm的时候，自然对这玩意还很陌生，不过究其源头还是要从传统的平面MOS讲起。传统的MOS我们已经非常烂熟于胸了，靠栅极控制Gate的“开”和“关”，所以很多国内的做MOS的人都说是“门电路”，或者说“开关管”。也有\n很多教材直接比喻成水龙头，这些都是很不错也很形象的比喻。当然要求就是开的时候就要沟道电流要大，关的时候漏电流要尽可能小。要满足上面提到的“High Ion”以及“Low Ioff”，那我们就来探讨一下传统MOS在这两块是如何突破的？首先讲\"High \nIon\"，它取决于Gate对沟道的控制能力，也就是书上讲的跨导(Gamma)，而这个东西主要取决于Cox，所以我们一直在减小GOX的厚度，并且一\n路发展到Advance的HKMG，当然Isat还有一个决定因素就是载流子的迁移率(Carrier \nMobility, u)，它取决于晶格以及应力，所以到了High-K时代的时候需要引入Strain \nSilicon或SiGe来提升迁移率。接下来到“Low Ioff”，它主要来自Short-Channel-Effect \n(SCE)，也就是DIBL效应，或者叫做“沟道长度调制效应” \n(我觉得他们都是一样的原理只是命名不一样而已)。所以要降低Ioff就必须要降低DIBL效应，所以传统的做法是LDD+Spacer+ \nPockage + AntiPunchThrough等等。(这些理论如果不懂，可以查阅前面关于MOSFET的文章)到了HKMG时代，我们的Cox足够大的时候，沟道表面的Subthreshold漏电以及DIBL漏电都应该没有问题了，主要的漏电来自于远离沟道表面\n的PN junction到Well里了，所以到了28nm再往下就衍生出FD-SOI制程，做一个BOX (Buried OXide)使得PN \njunction停留在BOX上，这样就解决了Body漏电的问题。(详细参阅我之前的文章&&)从FD-SOI继续往下shrink的时候，PN junction也再shrink(UTB: Ultra-Thin-Body \nMOSFET)，Metal-Gate的line也在shrink，又遇到新的挑战。第一个挑战是随着Gate长度减小，Gate 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\nOX隔离开，然后在上面做源漏Si或者SiGe的沉积和蚀刻即可，所以我们称之为SOI-FinFET结构，但是这种结构就是有SOI技术天生的缺点，无\n法导热(参阅《》)。所以逐渐Bulk-FinFET成为主流并且制程更加简单。最后介绍一下FinFET的Layout，其实在layout上应该还是和传统的CMOS一样，只是Source/Drain变成了条状，这个比较容易理解。还有一个跟Layout相关的因素就是晶向，我们都知道在不同晶向上载流子迁移率是不同的，&111&比&100&大，所以\nBJT用&111&而MOSFET用&100&，因为&100&的界面特性比较好。但是到了3D时代，你的\nLayout角度发生变化的时候你的电流走向就会朝着不同晶向在走，所以很容易有的朝着&110&，有的朝着&100&在走，这\n样的结果就是各个晶体管之间的Idsat不同了。如果我们继续选用&110&晶向平边的衬底，则垂直衬底表面为&100&晶向，\n则Fin的垂直于平边时，它的鳍(Fin)为(110)晶面，此时电子迁移率下降，空穴迁移率上升。如果Fin与平边成45度夹角，则Fin的晶面为\n(100)，迁移率变化则相反。(我也不懂书上看来的)讲完了Normal的FinFET结构，我们继续来讲FinFET如何做HV器件，因为我们的CPU的供电一定都是外围电路(18BCD)，所以输入给处\n理器的电压一定是&=1.8V的，所以FinFET一定要有1.8V或者3.3V的HV器件来处理电压给Core \nFinFET，那如何做HV-FinFET？其实也很简单就是在Drain端加一个漂移区(Drift)的Fin-Extention即可。制程难点以及Inline量测的challenge我就直接引用AMAT的material了，我也不懂期待有人来补充吧。转载请注明来自 ，本文标题：职位推荐：10K-20K/杭州/工作经验不限/本科及以上/全职10K-15K/上海/3年以上/硕士及以上/全职10K-20K/上海/工作经验不限/本科及以上/全职","state":"published","sourceUrl":"","pageCommentsCount":0,"canComment":false,"snapshotUrl":"","slug":,"publishedTime":"T15:15:05+08:00","url":"/p/","title":"《FinFET-3D Transistor》-Strive for Moore’s Law from TSU-Jae King Liu","summary":"来源：芯苑网 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最近，伯克利分校成立了一座新的研究中心专注于研发NC-FET。英特尔(Intel)和台积电(TSMC)都参加了，也分别投资了14万美元。“如果我们能吸引更多成员，就能实现伟大的成果，目前的规模仍小于一般的政府合约。”此外，包括Globalfoundries、三星(Samsung)、Synopsys和台积电等公司都加入了伯克利组件建模中心，该中心创建的BSIM模型可以为软件设计工具解读晶圆厂的实体数据。“我们正为免授权的新组件准备精简模型，不过没有什么东西是真正免费的。”他指出，FinFET模型就让至少12位研究人员花了11年的时间。图2：NC-FET在传统晶体管上增加了创新的铁电层与NC-FET并驾齐驱的是，研究人员正使用十多种备选材料层来开发2D半导体，这些材料层能以分子或原子厚度进行沉积。胡正明透露，“其中一种材料层可以制造出完美的晶体，最终成为理想的薄体材料，让我们无需担心量子效应。”“2D半导体着实令人振奋，因为不管是用于内存还是逻辑单芯片多层整合……以氧化物分隔的电路层……使用像钼原子等原子自组装……这真的令人相当兴奋，可说是让我们得以继续进行研究的理想接口。”胡正明并展示了在于去年12月首次提出的2D NMOS和PMOS组件成果，这些组件被沉积于单硅层上，“并自行堆栈。”这种技术可使晶体管尺寸缩小45%。图3：仅以一个分子或原子厚的分层即可搭建2D半导体组件Source：Synopsys这种新设计基本上是目前FinFET和完全耗尽型绝缘硅(FD-SOI)工艺中使用的各种薄体组件变异。他预测这些使用各种新材料的设计将具有很长的寿命。鳍高晶体管由于具有性能方面的优势，可望继续流行。未来的工艺将混合不同高度的鳍片，以便针对特定用途优化工艺，胡正明指出，“我可以预见薄体设计将一直延用到微影技术。”当今的FinFET和FD-SOI结构“可以一直发展到全包覆式晶体管(GAA)或柱或导线，取决于哪一种制造起来最经济实惠……一切都和成本与性能密不可分。”胡正明对于穿隧晶体管和自旋电子的看法就没那么乐观。穿隧晶体管的导通电流较当今组件的更低，使其仅适用于物联网节点。自旋电子必须使用全新的逻辑工具组，因而并不实用。他指出，“我们的设计基础设施非常昂贵……真的难以用于导入一种使用完全不同概念的晶体管。”图4：de Geus表示，在产业成熟期之后将迎来第二春。现在正是芯片设计业的艰难时期。随着半导体公司持续整并以因应不断攀升的芯片制造成本，新的设计案和EDA工具销售情况都“很平淡”，Synopsys首席执行官Aart de Geus引用数据指出，芯片业营收的复合年成长率(CAGR)为4.4%，而“去年和今年的成长率更趋近于零。”尽管如此，就像胡正明一样，de Geus在大会开幕时对于该公司在EDA方面的进展仍显得乐观。de Geus表示：“我了解这个产业正承受经济的压力和变化，但我们正处于再次改变世界的浪潮中……让每样事物实现智慧化的机会十分巨大，并将彻底改变这个世界。”de Geus并打趣地说，IoT正象征‘无限乐观思维’(ImmenselyOptimistic Thinking)，因为，“它虽不足以驱动半导体销量，但十分适于将我们与真实世界的实体特性连接在一起。无论如何，如果我们能将性能功耗比再提高10至 100倍，那么IoT将出现令人意料不到的爆炸式成长。”尽管FinFET还有诸多早期的问题，但Synopsys已经以14/16nm工艺投片超过50种测试芯片了。例如，瑞萨电子(Renesas Electronics)有一款高阶车载信息娱乐SoC就在台积电16FF+工艺中导入Synopsys的完整工具流程。de Geus并引用一些其它进展： 今年夏天推出的测试算法将加快运作时间，并减少25%的测试向量· 一款14nm的网络SoC使用IC CompilerII使导线长度缩短了17%· 一款7nm测试芯片以ICC II在1%的PTSI内完成了99%的端点布线· 使用Prime Time系统，让包含5,000万个实例和20个场景的设计在8小时内完成ECO收敛一款名为Cheetah的最新验证算法可自动适应处理器上的CPU和GPU核心，使RTL级的工作速度快上5倍。De Geus还介绍了Synopsys透过收购包括Coverity等公司，建立了日益成长中的安全业务。“对于我们来说，这已经是一个1亿美元的业务了，因此，它不再只是业余爱好，而是一个极其关键的方向，”De Geus表示，“每个物联网设备相当于银行中的一扇窗户……事实上，世界上的所有软件中都有这样的窗子。”De Geus指出。 来源：RickMerritt EE Times展讯职位推荐：15K-20K/上海/3年以上/本科及以上/全职22K-35K/上海/5年以上/硕士及以上/全职","state":"published","sourceUrl":"","pageCommentsCount":0,"canComment":false,"snapshotUrl":"","slug":,"publishedTime":"T14:59:15+08:00","url":"/p/","title":"FinFET教父说半导体产业还能持续发展100年，我是认真的","summary":"“不必担心‘摩尔定律’（Moore’s law)走到尽头，因为在整个半导体发展蓝图上还有许多好办法。”被誉为“FinFET教父”的中研院院士胡正明在日前于美国举行的“新思科技产品用户研讨会”(Synopsys Users Group；SNUG)上指出，新的晶体管概念能够为芯片产业…","reviewingCommentsCount":0,"meta":{"previous":null,"next":null},"commentPermission":"anyone","commentsCount":0,"likesCount":5}},"annotationDetail":null,"commentsCount":8,"likesCount":50,"FULLINFO":true}},"User":{"jyzzzz2012":{"isFollowed":false,"name":"张竞扬 摩尔精英","headline":"Linkedin主页：/in/jyzhang8 个人微信：MooreRen001\n摩尔精英()是全球领先的专业半导体服务平台，愿景是“让中国没有难做的芯片”，通过连接全球半导体精英，重构半导体基础设施，打造行业的效率杠杆。旗下业务包括“半导体垂直招聘、芯片设计服务、运营供应链服务、半导体媒体智库、培训直播App”。覆盖包括“IC设计、EDA/ 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