我的手要管不住了—— SAMSUNG 三星 850 PRO 2TB SATA3 固态硬盘 206.19+36.63直邮中国(约￥1820)
被砍单了[s:ac:瞎]感谢亚马逊又一次为我省钱...…来自张大妈：[url]/p/6349331/[/url]中国亚马逊512G的三桑850pro都要2000多！此时不剁更待何时？[img]./mon_/c4Q2f-j4cmZbT3cSk3-gy.jpg[/img]
同价位750只能买400GPCIE的SSD还是贵一逼啊
都上山了，说得好像你有那么多东西可以存似的。
卧槽神价格啊这是
昨天看了一下pcie ssd，价格快吓死
貌似是没有全球联保吧好像ssd全球联保的就是intel
卧槽，我的手
这个价格管什么保修……
玛德，连我这个没电脑的人都心动了[s:ac:抓狂]
[s:pst:牙疼]我的手啊，这才买的ssd，咋就又想买了。
暂时没货，但是还能买的样子
[b]Reply to [pid=85946,1]Reply[/pid] Post by [uid=389043]yincthh[/uid] ( 22:04)[/b]我正在百度“法亚直邮教程”[s:ac:上]
结账界面点了以后毫无反应[s:ac:呆]
已下单不知道会不会砍单
下了4台，不知道会怎样。
换Chrome后搞定了，这种价格堪称跳楼甩卖了。虽然目前1.5T的SSD还没满，但是如果拿到这盘的话我连2T希捷HDD都可以扔掉了。
有没有多买的人转我一块啊
不要为不需要的东西买单。要存储东西买个机械的来装，ssd主盘一般256g的够用。真需求的请随意。
[b]Reply to [pid=85946,1]Reply[/pid] Post by [uid=1123452]Priest_Chan[/uid] ( 22:13)[/b]这不是跳楼甩卖~只是标错价了吧。。法亚很可能只是发个sorry的邮件然后砍单。。。850 PRO登场 迈入3D V-NAND新纪元
过去几年，三星凭借其在NAND领域的深厚底蕴、OEM市场的长期积累以及强大的垂直整合能力，自首款消费级SSD 470系列于2010年上市以来，就逐渐地对展现出了三星对消费级市场的强大的渗透能力。更多人印象最深刻的其实是曾火爆一时的830系列，而2012年推出840 PRO和840则成为占据市场制高点的两大利器，如今840 EVO更成为目前电商渠道最畅销的型号。
三星消费级SSD的发展
固态硬盘的更新迭代，每一次新产品的成本都比之前更低，很大程度上是得益于闪存制程的不断升级。表面上看起来这种步伐还会稳健地持续下去，但事实上目前业内在将闪存制程步入到1ynm阶段后，面临着越来越棘手的问题，其中最核心的就是其耐久性越来越低，控制难度越来越高。毫不夸张地讲，这种传统平面型闪存的发展几乎已接近极限。
于是，在去年8月的闪存峰会上，三星发布了全球首款基于其第一代采用24层堆叠技术的3D NAND（按照三星的叫法为Vertical NAND即V-NAND）闪存的固态硬盘产品。相比传统的平面型闪存，3D V-NAND拥有众多难以抗拒的优点：可以实现更高的存储密度、写入速度、更低的功耗以及比传统2D平面型NAND更高的耐久性！
不过去年发布的产品，仅面向数据中心市场。一年之后的今天，3D V-NAND终于来到消费市场，也就是我们今天要介绍的850 PRO系列，采用第二代32层堆叠技术的3D V-NAND闪存，同时也是业内首款采用这种闪存技术的消费级SSD。而闪存架构的变化也是三星850 PRO系列相较上一代840 PRO系列最重要改进，并随之带来了一系列的全新特性。
【SATA 6Gbps接口、最大容量1TB】
三星850 PRO依然采用了SATA 6Gbps规格，这使得它在性能上无法比840 PRO实现大幅度的提升，毕竟后者的速度已经达到了SATA 6Gbps的极限，而且在当今来看依然是旗舰级的性能。850 PRO包含128GB、256GB、512GB和1TB四种容量，其实以3D V-NAND的存储密度，做到2TB容量理论上是完全可以的，但要保证性能，需要更复杂的映射表和更大的缓存容量，固件开发难度更高。
【三核心MEX主控制器】
三星850 PRO继续使用了和840 EVO一样的MEX主控，看似有些令人意外，但考虑到去年三星在840 EVO推出一个月之后就发布了首款3D V-NAND技术闪存的SSD，所以我们认为MEX主控早就为对3D V-NAND的支持做好了准备，而不是像发布840 EVO时那样看上去只有频率的提升以及支持TurboWrite。
三星850 PRO 128GB样品和包装和图赏，注：评测样品的包装注释为5年质保，最终零售版本延长为10年（）
【写入速度显著提升】
850 PRO的最大的亮点其实是128GB，它的最高持续写入竟达到470MB/s，上一代840 PRO仅为370MB/s。往往这个容量做到400MB/s以上的持续写入速度需要通过模拟SLC工作模式来实现，比如OCZ的Vector系列和三星840 EVO系列。但是850 PRO系列可没有应用这种机制，它的性能暴增显然也是来自更高主频的MEX主控和3D V-NAND的采用。
【支持更多加密特性】
和840 EVO一样，三星850 PRO可以让用户自己选择Class 0、TCG Opal或者Encrypted Drive（BitLocker驱动器加密）模式增强数据的安全性。对TCG Opal和BitLocker的支持，这是840 PRO所不具有的特性。
三星850 PRO支持TCG Opal和BitLocker
【更出色的节能效果】
同样得益于3D V-NAND的采用，三星表示850 PRO在DevSleep模式下功耗只有2毫瓦，比840 PRO更为出色，这对台式PC用户可能关系不大，但对笔记本、超极本等用户来说，任何能节省耗电的配件都是至关重要的。
【提供更长的10年质保】
借助3D V-NAND的高耐久度，此次三星850 PRO一举提供了十年的质保时间，上一代840 PRO则为5年！其实三星最初是计划850 PRO继续延续5年的质保，既然3D V-NAND实现了更高的可靠性，因此做了这种带有野心的决定。不久前，闪迪发布的至尊超极速（Extreme Pro）系列SSD是第一款提供十年质保的消费级固态硬盘。
作为三星SSD最重要的两款软件Data Migration数据迁移软件和Magician管理工具，随着850 PRO的到来也迎来了更新。Data Migration是比Acronis True Image更简单的迁移工具，通过一根SATA-USB连接线将SSD和电脑相连，经过&开始、设置、克隆&三个步骤便可完成当前系统的迁移工作。
Samsung Magician 4.4开始支持850 PRO
Samsung Magician从4.4版开始支持新的产品，可以对SSD进行认证、优化、固件更新等。值得说明的是，850 PRO支持RAPID 2.0版本，它可以使用最多25%的空闲系统内存作为SSD的高速缓存，加速SSD的性能表现，而去年发布的1.0版本则是最多只能利用1GB的空闲系统内存。此次的升级，可以将性能提升至最多1.8倍。
提示：试试键盘 “← →” 可以实现快速翻页&新极速霸主诞生 三星850 PRO首发评测
日 01:10&&&出处：&& 作者:宋阳&&
　　泡泡网频道7月4日&在去年的9月底，三星面向全球发布了840系列固态硬盘，三星840 PRO现身之后即成为当时的极速霸主，三星固态硬盘的发展非常迅猛，短短数年时间已经成为中国乃至全球的SSD销量大户，从早期到现在每年都保持着一年发布一个新系列产品的习惯，继人们熟知的830系列到840系列，而昨日，全球存储领军品牌三星电子在首尔召开“2014三星固态硬盘全球峰会”，并发布了850 PRO固态硬盘(SSD)。该产品采用了三星电子尖端3D V-NAND闪存技术，并将于本月起在全球53个国家和地区上市，为固态硬盘带来全新的性能体验。　　 全新850 PRO固态硬盘，基于三星V-NAND专利技术，适用于高端个人电脑和工作站。三星的V-NAND闪存采用垂直单元结构，不仅突破了具有平面架构的传统闪存在容量上的局限性，更能大幅提高产品的读写速度、耐用性和能效。该固态硬盘还具有“动态散热保护”功能，能在工作中保持适宜环境温度，避免产品过热造成的数据损失。　　 三星专利的32层3D V-NAND技术，可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。去年，三星为数据中心批量生产的24层3D V-NAND产品已经在市场上有良好表现。现在，三星推出了全球首个针对客户端的3D V-NAND SSD。通过改为32层柱状细胞结构，可以垂直堆叠更多个细胞层，从而提高密度，降低碳足迹。因此，850 PRO可提供用户更快、更持久的性能。　　 去年的三星840 PRO作为一个专为高级用户设计的高性能SSD，可提供100.000 IOPS 的随机读取速度和540 MB/s的连续读取速度。但是，低密度型号(128GB)的随机读取和连续写入性能较其他产品相对较低。850 PRO通过采用3D V-NAND技术和MEX控制器，可提供100,000 IOPS的随机读取速度和470MB/ s的连续写入速度。另外，利用RAPID模式，用户可以达到比之前型号快两倍的写入速度。Magician软件可让用户将空闲内存(DRAM)用作缓存，在系统层面上处理数据，从而提高电脑的性能。　　 850 PRO为客户端PC提供业界最高级的质量保证和总计写入字节数(TBW)。32层3 D V-NAND 闪存拥有超过传统2D平面型NAND闪存2倍的耐用性。850 PRO可满足用户不间断工作的需求。同时其节能功能让用户得到更持久地使用工作。三星850 PRO是采用 3D V-NAND 技术的SSD中有功功耗最低的一款产品。此外，与2.5寸的SSD相比，850 PRO可为超薄本和台式机的高端主板提供最低功耗的“设备睡眠”（DEVSLP）模式。三星V-NAND技术详解　　 作为此款产品最大特色，3D V-NAND闪存拥有的优势：容量提升两倍以上，速度提升两倍，寿命提升十倍，能耗降低一倍。三星宣称3D V-NAND MLC闪存颗粒的寿命超过了SLC！　　 到底什么是3D V-NAND？我们要先从NAND制程变化开始说起了。去年NAND闪存向20nm过渡，最直接的好处是可实现Die（逻辑单元，也称LUN）尺寸以及成本的逐渐减小，34nm制程下甚至生产不出8GB的Die（需要两个Die），如果基于IMFT的25nm工艺，Die大小为167平方毫米，而如果改用IMFT的20nm工艺可进一步减少到118平方毫米，面积缩减了30%，芯片产量则可以提高40%，成本大大降低。　　 在成本降低的同时，负面的影响也很明显，对于NAND Flash，越先进制程技术生产的晶片，因为其物理特性，在相同的空间要针对更多单元做充放电的动作，完成数据读写的延时就会越久，换个方式讲，就是性能会出现下降。同时寿命也在降低。50nm时代，P/E次数是10000次，编程时间只有900us，随着制程工艺的前进，P/E次数从1000次降到5000次再降到3000次，这还只是MLC的变化，要是TLC，P/E次数已经降低到了1000次了。　　 同时，新制程下在数据处理时的错误率也比较高，需要提供更好的错误校正能力。从目前的资料看，20nm制程的L84颗粒Page会有8KB（L84A）和16KB（L84B/L84C）两种，L85则都是16KB Page，由于密度的上升，每KB需要ECC数据也在增加，比如说25nm时，每1KB需要24b的ECC，当制程进步到20nm后，每1KB需要40b的ECC。　　而三星的V-NAND闪存放弃了传统的浮栅极MOSFET，改用自家的电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）设计。每个cell单元看起来更小了，但是里面的电荷是储存在一个绝缘层而非之前的导体上的，理论上是没有消耗的。这种看起来更小的电荷有很多优点，比如更高的可靠性、更小的体积，不过这些还只是其中的一部分。　　使用CTF结构的V-NAND闪存被认为是一种非平面设计，绝缘体环绕沟道（channle），控制栅极又环绕着绝缘体层。这种3D结构设计提升了储存电荷的的物理区域，提高了性能和可靠性。　　可靠性和性能提升是V-NAND闪存的一个方面，还有就是3D堆叠。由于三星已经可以垂直方向扩展NAND密度，那就没有继续缩小晶体管的压力了，所以三星可以使用相对更旧的工艺来生产V-NAND闪存，现在使用的是30nm级别的，介于30-39nm之间。　　使用旧工艺的好处就是P/E擦写次数大幅提升，目前的19/20nm工艺MLC闪存的擦写次数普遍是3000次，三星的V-NAND闪存可达35000次，这也是三星说可靠性提升2-10倍的由来。　　使用旧工艺甚至也没妨碍三星提高NAND密度，三星之前公布的V-NAND是128Gb核心的，目前主流19/20nm工艺的核心容量是64Gb，如果用传统工艺制造128Gb核心的NAND，那么工艺需要15nm。　　更大容量的NAND有着更少的干扰，编程时间会更短，这意味着性能会提高。此外，更大容量的NAND的读写不需要那么多次的重试，因此总功耗也会更低。三星850 PRO拆解分析　　 在产品的外观方面，我们可以发现三星850 PRO与840 PRO并没有什么差距，再让我们看看内部拆解图，正面分别为一颗512MB缓存颗粒，与三星MEX主控——S4LN045X01-8030，以及四颗闪存颗粒，型号K9HQGY8S5M，背面也为四颗闪存颗粒，型号为K9PRGY8S7M，共同组成了512B容量，在这点上比较奇怪，三星采用了两种不同型号闪存组成的512GB容量，目前笔者还不清楚这两个闪存芯片具体容量分别为多少，后续会从三星获取，再高速大家了。正面面板搭配主控、缓存与四个闪存芯片背面面版的四个闪存芯片S4LN045X01-8030主控512MB缓存三星K9HQGY8S5M芯片&& &为了弥补闪存在制造工艺提高，同时带来的性能下降，三星去年将MDX主控方案进一步改良，制造MEX主控——S4LN045X01-8030。它内建三个ARM Cortex-R4核心，其工作频率从上代主控的300MHz提升至400MHz。缓存从最大512MB提升至1GB。今年850 PRO仍沿用了这款主控芯片。测试平台与软件介绍&& 测试平台方面此次使用了Z87芯片组主板。详细配置如下：　　 ◎ 测试项目　　 AS SSD Benchmark：是一个专门为SSD测试而设计的软件，可以测试出固态硬盘的持续读写性能，包括单线程和多线程下的4KB小文件的传输性能等等，成绩显示可以分为两种，一种是MB/S的形式，另一种是IOPS形式。　　 CrystalDiskMark：这是一款比较主流的硬盘基本性能测试工具，通过五次测试取平均值，因此拥有较高的准确率。对于持续传输率，这款软件的测试是比较准确的。这里我们采用1000MB数据量的测试。　　 ATTO Disk Benchmark：一款简单易用的磁盘传输速率检测软件，可以用来检测硬盘、优盘、存储卡及其它可移动磁盘的读取及写入速率。采用分级测试模式，让测试结果更加精准可靠。　　 PCMark 7：PCMark 7是一套针对PC系统进行综合性能分析的测试套装，包含七个不同的测试环节，由总共25个独立工作负载组成，涵盖了存储、计算、图像与视频处理、网络浏览、游戏等PC日常应用的方方面面。　　 FastCopy：FastCopy是Windows 平台上最快的文件拷贝、删除软件。由于其功能强劲，性能优越，一时间便超越相同类型的所有其他软件。由于该软件十分小巧，你甚至可以在安装后，直接将安装目录中的文件复制到任何可移动 存储设备中，方便携带，随取随用。三星850 PRO读写性能测试　　 Atto Disk Benchmark是一款用来测试硬盘性能的工具，可以设置写入文件块的大小和数据总量。文件大小设置为从0.5KB至8192KB，总数据量设为256MB。这项测试也能比较准确说明持续传输率。　　 通过测试可以看出，三星850 PRO读取与写入速度依然很出色，读取达到了563.1MB/s，写入达到533.3MB/s。　　 接下来用CrystalDiskMark来进行测试。这是一款比较主流的硬盘基本性能测试工具，通过五次测试取平均值，因此拥有较高的准确率。对于持续传输率，这款软件的测试是比较准确的。这里我们采用1000MB数据量的测试。　　 从结果来看，三星850 PRO持续读取的速度为512MB/s，写入的速度484.8MB/s，在512K文件以及4K文件随机读写的性能也都比较出色。　　 AS SSD Benchmark是专门针对SSD的测试软件，测试项目和Crystal DiskMark优点类似，具备自己的评分系统，测试SSD比较常用。读写性能不错文件拷贝速度14.45秒　　 在AS SSD Benchmark测试下，三星850 PRO读取速度依旧，读取速度为503.5MB/s，写入速度为479.6MB/s，文件拷贝速度为14.45秒。　　 PCMark 7是由Future Mark推出的最新系统综合性能测试工具，其测试组件采用了大量模拟真实使用环境下的应用和操作，测试结果可以真实反映出系统在实际应用中的性能，十分具有参考价值。本次测试中使用了硬盘测试套件。测试结果如下：成绩为4982三星850 PRO开启RAPID功能测试与总结　　 另外从850 PRO开始,三星提供了拥有全新DRAM使用算法的Magician 4.4。当系统内存是16GB时，Magician 4.4将RAPID模式的最大内存改为 4GB，也就是说是PC系统内存的25%。这意味着如果用户拥有更多未使用的系统内存，那么他们就能享受更方便的PC用户体验。笔者此次测试内存为8GB，我们来测试一下开启PAPID模式之后，可以为产品带来多大的性能提升。安装Magician 4.4开启RAPID测试结果　　 总结：可以看到，在开启了RAPID之后，产品性能得到了惊人的提升，如此的传输速度，即使是PCI-E接口SSD组RAID也很难达到，而三星如今在3接口下完成了。　　 此次850 PRO采用了3D V-NAND 技术，其平均主动写入功耗下降高达40%。而当DEVSLP 启用时，850 PRO的功耗甚至可低于2mW。这对于笔记本用户来说，是一个极大的福音，可以令笔记本可以进行更长时间的工作。如今该产品已确定在7月21日上市开卖，并注明10年质保！这个十年质保是目前固态硬盘里质保时间最久的，十年的概念非常惊人，同时也显示了三星对3D V-NAND果然信心十足！　　 三星的配套服务一直是在所有SSD品牌中做得最出色的，其特有的Magician软件更是让用户可以无压力操作，功能非常齐全，新版本的Magician4.4笔者也将在之后为大家带来详尽测试，敬请期待。■
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