模拟电子技术第2章(1)半导体三极管及放大电路基础_伤城文章网
模拟电子技术第2章(1)半导体三极管及放大电路基础
模拟电子技术基础2 半导体三极管及放大电路基础2.1 半导体三极管 半导体三极管又称简称晶体管。 半导体三极管的放大作用和开关作用，促 使了电子技术的的飞跃。上页下页后退模拟电子技术基础半导体三极管图片上页下页后退模拟电子技术基础上页下页后退模拟电子技术基础2.1.1半导体三极管的结构三极管的主要类型 （1） 根据结构分: NPN型和PNP型 （2）根据使用的半导体材料分: 硅管和锗管 1. NPN型三极管结构示意图和符号上页下页后退模拟电子技术基础发射极E(e)发射结Je集电结Jc集电极C(c)发射区基区集电区NPN基极B(b)上页 下页 后退模拟电子技术基础发射极E(e)发射结Je集电结Jc集电极C(c)发射区基区集电区NP基极B(b)NC(c) T B (b) E(e)上页 下页 后退NPN型三极管符号模拟电子技术基础2、PNP型三极管结构示意图和符号发射区E(e)基区集电区C(c)PJeNJc B(b)PC(c)PNP型三极管符号B (b)T E(e)上页下页后退模拟电子技术基础E发射区基区集电区CNPBN3、三极管的内部结构特点（具有放大作用的内部条件） ：（1）发射区小，掺杂浓度大。 （2）集电区掺杂浓度低，集电结面积大。 （3）基区掺杂浓度很低，且很薄。上页 下页 后退模拟电子技术基础2.1.2三极管工作原理（以NPN型管为例）依据两个PN结的偏置情况 放大状态 饱和状态 晶体管的工作状态 截止状态倒置状态上页下页后退模拟电子技术基础1．发射结正向偏置、集电结反向偏置―放大状态 原理图IEe电路图NICN?PIEICTc? U BE ?IB?U CB?CU BE+bCIBU CB+RE V EEREVCCRCVEEVCCRC上页下页后退模拟电子技术基础(1) 电流关系IEN?PNec ? ??U BEb?U CBRE发射区向基区扩散电子VEEVCCRCa. 发射区向基区扩散电子形成发射极电流IE。称扩散到基区的发射 区多子为非平衡少子 上页 下页 后退模拟电子技术基础IEN?PNec ? ??U BEb?U CBREVEEVCCRC发射区向基区扩散电子基区向发射区扩散空穴b. 基区向发射区扩散空穴形成空穴电流。上页 下页 后退模拟电子技术基础IEN?PNec ? ??U BEb?U CBREVEEVCCRC发射区向基区扩散电子基区向发射区扩散空穴因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度，空穴电流忽略不记。上页 下页 后退模拟电子技术基础IEN?PNec ? ?非平衡少子在基区复 合，形成基极电流IB?U BEb?U CBIBREVEEVCCRCc. 基区电子扩散和复合非平衡少子向 集电结扩散上页下页后退模拟电子技术基础IEN?PNICec ? ??U BEb?U CBIBREVEEVCCRCd. 集电区收集从发射区扩散过来的电子 形成发射极电流IC 上页非平衡少子 到达集电区下页后退模拟电子技术基础IEN?PNICeICBOc ??U BE?b?U CBIBRE形成反向饱和电流ICBOVEEVCCRC少子相互漂移e.集电区、基区少子相互漂移上页下页后退模拟电子技术基础IETIC? U BE ?IB?U CB?输出回路输入回路RE VEEVCCRC发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。 基极是两个回路的公共端，称三极管这种接法为共基极接法。 定义? ?IC IEI CBO ? 0? 称为共基极直流电流放大系数上页下页后退模拟电子技术基础IEN?PNICeICB cO?U BE?b?U CB?IB 各电极电流之间的关系 IE=IC+IBI C ? ? I E ? I CBOREVEEVCCRCI B ? (1 ? ? ) I E ? I CBO上页下页后退模拟电子技术基础晶体管共射极接法原理图 ICc电路图PNIEN?eICBOIBIC?RC VCC?RBU BET U CEIE?U BE?bIBU CE?RC?RBVBBVCCVBB??上页下页后退模拟电子技术基础定义IEN?PNIC? ?ICBOIC IBI CB O ? 0ec?U BE?bIBU CE?RC?RBVBBVCC为三极管共射极直 流电流放大系数上页下页后退模拟电子技术基础各电极电流之间的关系?IENPNICcI C ? ? I B ? I CEOeICBOIE ? IC ? IB ? (1 ? ? ) I B ? I CEO?U BE?bIBU CE?RC?RBVBBVCCI CEO ? (1 ? ? ) I CBOICEO称为穿透电流 上页 下页 后退模拟电子技术基础由 由的关系式IE ? IC ? IB及 得 或与的定义? ?? ??1???1? ?? ? 0.95 ~ 0.995? ? 20 ~ 200上页 下页 后退模拟电子技术基础IEN?PNICc当输入回路电压 U 'BE =UBE+△UBE 那么 I 'B =IB+△IB I 'C =IC+△ICeICBO?U BE?bIBU CE?RC?RBVBBVCCI 'E =IE+△IE如果 △UBE &0，那么△IB &0， △IC &0 ，△IE &0 如果 △UBE &0，那么△IB &0， △IC &0 ，△IE &0 上页 下页 后退模拟电子技术基础定义???I C ?I E ?I C ?I B共基极交流电流放大系数? ?共射极交流电流放大系数?与?的关系? ? ?1? ?? ??1??一般可以认为：? ? ?，? ? ?上页 下页 后退模拟电子技术基础(2) 放大原理放大电路设输入信号ui=UimSinωt V 那么uBE = ube + UBEiB = ib + I BiB ui _ RB+ +iC+ RCT u CE iE _ VCC 其中iC = ic + I CuCE = uce + UCEuBE_ VBBuce = - icRCUCE = VCC- ICRC上页下页后退模拟电子技术基础由uCE = uce + UCEuce = - icRC可知 iB ui _ RB+ +iC+ RC a. 在RC两端有一个较大 的交流分量可供输出。 b. 交流信号的传递过程 ui →ib→ic→icRc上页T u CE iE _ VCCuBE_ VBB下页后退模拟电子技术基础2．发射结正向偏置、集电结正向偏置―饱和状态 饱和状态的特点IC?RC VCC（1）UCE≤UBE。（2）IC ≠ ?IB，IB失去了对 IC的控制。（3) 集电极饱和电压降UCES较小IBRBVBB?U BET U CEIE??小功率硅管0.3~0.5V。上页 下页 后退模拟电子技术基础（4）饱和时集电极电流I CS ? (VCC ? U CES ) / RCIBRBVBBIC?RC VCC?U BET U CEIE（5） UCE对IC的影响大， 当UCE增大，IC将随之增加。??上页下页后退模拟电子技术基础3．发射结反向偏置、集电结反向偏置―截止状态 截止状态的特点： （1） UBE小于死区电压。 （2） IC=ICBO，IB=－ICBOIBRBVBBIC?RC VCC?U BET U CEIE??上页下页后退模拟电子技术基础4．发射结反向偏置、集电结正向偏置―倒置状态IC?RC VCCIBRBVBB?U BET U CEIE特点:??（1）集电区扩散到基区的多子较少。（2）发射区收集基区的非平衡少数载流子的能力小。 （3）电流放大系数很小。上页 下页 后退模拟电子技术基础2.1.3 半导体三极管共射极接法的伏安特性曲线 三极管共射极接法iB?共射极输入特性iB μAiC?uBE ?iEuCE?uCE ? 0uCE ? 11．共射极输入特性iB ? f ( uBE ) UuBE VCE一定00.40.8上页下页后退模拟电子技术基础输入特性的特点：(1) 输入特性是非线性的， 有死区。 (2) 当uBE不变，uCE从零增大， iB减小。0iB μAuCE ? 0uCE ? 1uBE V0.40.8(3) 当uCE≥1V，输入特性曲线几乎重合在一起，uCE 对输入特性几乎无影响。上页 下页 后退模拟电子技术基础2．共射极输出特性iC ? f ( uCE )I B一定输出特性曲线4iC/mAiB =μ 100 A 80饱和区iB?360iC?2 1 0放大区40 20 0uBE ?iEuCE?2 4 6 8u CE/ V截止区上页 下页 后退模拟电子技术基础各区的特点：（1）饱和区4iC/mAiB =μ 100 A 80a. UCE≤UBE b. IC＜βIB饱和区360240120 0c. UCE增大， IC 增大。02468u CE/ V上页下页后退模拟电子技术基础（2） 放大区 a. UCE&UBE b. IC=βIB c. IC与UCE无关 （3） 截止区 a. IB≈0 b. IC≈04iC/mAiB =μ 100 A 80饱和区3602 1 0放大区40 20 02468u CE/ V截止区上页 下页 后退模拟电子技术基础NPN管与PNP型管的区别NPN管电路iB?PNP管电路iB?iC?iC?uBE ?iEuCE?uBE ?iEuCE?iB、uBE、iC、 iE 、uCE的极性二者相反上页 下页 后退模拟电子技术基础硅管与锗型管的区别（1） 死区电压约为硅管0.5 V锗管0.1V 硅管0.7 V（2） 导通压降|uBE|锗管0.3V（3）锗管的ICBO比硅管大上页 下页 后退模拟电子技术基础2.1.4 半导体三极管的主要电参数 1. 直流参数（1）共基极直流电流放大系数 ? （2）共射极直流电流放大系数 ?? ?? ?IC IEIC IBI CBO ? 0I CBO ? 0（3）发射极开路，集电极――基极间反向饱和电流 ICBO （4）发射极开路，集电极――发射极间反向饱和电流 ICEO上页 下页 后退模拟电子技术基础2. 交流参数（1）共基极交流电流放大系数α （2）共射极交流电流放大系数β ββ值与iC的关系曲线? ?? ??i C ?iE? 常数?i C ?i B0上页 下页iC后退模拟电子技术基础3. 极限参数(1) 集电极开路时发射极――基极间反向击穿电 压U（BR）EBO(2) 发射极开路时集电极――基极间反向击穿 电压U（BR）CBO(3) 基极开路时集电极――发射极间反向击穿 电压U（BR）CEO(4) 集电极最大允许电流ICM上页 下页 后退模拟电子技术基础(5) 集电极最大允许功率耗散PCM晶体管的安工作全区 iC ICM PCM安全区0等功耗线PC=PCM =uCE×iC不安全区U (BR)CEO uCE上页 下页 后退模拟电子技术基础2.1.5 温度对管子参数的影响 1．对β的影响????T ? (0.5 ~ 1)% / ?CT ?T02．对ICBO的影响3．对UBE的影响I CBO(T ) ? I CBO(T0 ) 2104．温度升高，管子的死区电压降低。上页 下页 后退模拟电子技术基础思 考 题 1. 晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用？ 2.如何用万用表判别晶体管的类型和电极？ 3. 为什么晶体管基区掺杂浓度小而且做的很薄？4. 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放 大系数和在放大区工作时是否一样大？上页下页后退模拟电子技术基础2.2 共射极放大电路的组成和工作原理 2.2.1 放大电路概述 1．放大电路的用途 : 把微弱的电信号不失真地放大 到负载所需的数值。输入 话筒输出放大器喇叭应用举例直 流 电 源上页 下页 后退模拟电子技术基础2．放大电路的主要性能指标 放大器性能指标测量原理方框图ii正 弦 RS 波 信 + 号 us 源 ?被 测 放 大 电 路 i oRo+uiRi+uoRL+?Au 0 ui??负 载直 流 电 源 上页 下页 后退模拟电子技术基础(1) 放大倍数 A??iiio电压放大倍数AuUo Au ? ? Ui??RS+uiRiRo Au 0 ui+uoRLus+?+? ? ? Io 电流放大倍数Ai Ai ? ? Ii ? ? ? Uo 互阻放大倍数 Ar Ar ? ????直流 电源互导放大倍数Ag?Ii ? ? Io Ag ? ? Ui上页下页后退模拟电子技术基础(2) 输入电阻RiRi ? Ui IiRi RS ? RiRSiiio+uiRiRo Au 0 ui+uoRLus+?+???a. 由于Ui ?RiUS直流电源Ri越大，Ui也就越大，电路的放大能力越强。b. Ri越大，输入电流ii越小，信号源的负载越小。上页 下页 后退模拟电子技术基础(3) 输出电阻Ro 定义：测量电路iRs被测放 大电路直流电源+usC+ uC Ro上页下页后退模拟电子技术基础对输出电压的电路 由于uo ? RL RL ? Ro Au0 uiRSiiio+uiRiRo Au 0 ui+uoRLus+?+???RO ? 0uo ? Au O ui直流电源即 Ro越小，输出电压越稳定，电路带载能力越强。上页 下页 后退模拟电子技术基础iiio测量Ro的一种方法RS+uiRiRo+uoSRLus+?Ro ? (U o? U oL?Au 0 ui+??? 1) RL直流电源U oL ――带负载时的输出电压U o?――负载开路时的输出电压上页 下页 后退模拟电子技术基础(4) 全谐波失真度D?UnD ?n?2?2U1即谐波电压总有效值与基波电压有效值之比(5) 动态范围Uo p-p 使输出电压uo的非线性失真度达到某一规定数值时 的uo的峰―峰值。 也称为最大不失真输出电压。上页 下页 后退模拟电子技术基础(6) 频带宽度fbw 由Au ?幅频特性曲线??Uo Ui? ? ? ? Au ?? 得fBW f fH fBW f幅频特性 ? 相频特性Au ??( f ) AufL_ 90o _ 135o _ 180o _ 225o o _ 270? ? ?( f )相频特性曲线上页下页后退模拟电子技术基础2.2.2共射极放大电路的组成及其工作原理1. 共射极放大电路的组成 iC+++iB+uiRCRL VCCuO电路存在的问题：T uCE_uBE _ VBBRB（1）信号源与放大电 路相互影响。（2）放大电路与负载 相互影响。上页 下页 后退__模拟电子技术基础改进的共射 极放大电路 各元器件的作用：?C1??TC2?RLT――放大器件ui ?RBVBBRCVCCuo??隔离放大电路对信号源和负载 的直流影响。 耦合电容C1、 C2 沟通信号源、放大电路、负载 之间的信号传递通道。上页 下页 后退模拟电子技术基础C1??TC2?RL?ui ?VBB、RBRBVBBRCVCCuo??为T提供Je正偏电压UBE提供基极偏置电流IBVCC为T提供Jc反偏电压UCE为电路提供能量上页 下页 后退模拟电子技术基础C1??TC2?RL?ui ?RBVBBRCVCCuo??使集电极有合适的电流ICRC转换集电极电流信号为电压信号, 实现电压放大上页下页后退模拟电子技术基础（1）电路的简化只用一个电源， 减少电源数。 （2）电路画法RBC1C1??TC2?RL?ui ?? VCCRBRCVCCuo??RC?ui?T?C2?RL不画电源符号， 只写出电源正 极对地的电位。uo??上页 下页 后退模拟电子技术基础? VCCRBC1RC放大电路的两 种工作状态：?ui?T?C2?RLuo??静态― 当输入信号为零时电路的工作状态。静态时放大电路只有直流分量。动态―有输入信号时电路的工作状态。 动态时电路中的信号为交直流分量的叠加。上页 下页 后退模拟电子技术基础注：不同书写体字母的含义 UBE IB ― 大写字母，大写下标，表示直流量。ube―小写字母，小写下标，表示交流瞬时值。uBE―小写字母，大写下标，表示交、直混合量。 Ube―大写字母，小写下标，表示交流分量有效值。上页 下页 后退模拟电子技术基础信号的传递过程uBE ? U BEQ ? u iRBC1? VCCRC?iB ? I BQ ? i b iC ? I CQ ? i c?T?C2?RLuiuo??uCE ? U CEQ ? uceC2隔直作用uo ? uce上页下页后退模拟电子技术基础思 考 题 1. 通常希望放大电路的输入电阻高一些好，还是低一些 好？对输出电阻呢？放大电路的带负载能力是指什么?上页下页后退模拟电子技术基础2.3放大电路的静态分析?ui? VCCRBC1RC?T?C2?RLuo静态分析――就是通过放大 电路的直流通路求解静态工 作点值IBQ、ICQ、UCEQ。?? VCCRB?RCIBIC直流通路上页?U BET?U CE??后退下页模拟电子技术基础求解静态工作点的常用方法图解法估算法2.3.1 图解法在放大电路静态分析中的应用 1．输入回路? VCC列写输入回路方程 VCC=iBRB+uBERBRCIBIC?U BET?U CE??后退上页下页模拟电子技术基础方程VCC=iBRB+uBE直流负载线 iBK在iB、 uBE坐标系上是一条直线 称为输入回路的直流负载线0PuBE三极管输入 特性曲线直流负载线与三极管输入特性曲线的交点，即为 放大电路的输入静态工作点Qi。上页 下页 后退模拟电子技术基础2．输出回路? VCCRB输出回路方程 VCC=iCRC+uCE在iC、 uCE坐标系上是一条直线 称为输出回路的直流负载线RCIBIC?U BET?U CE??直流负载线iC M 输出 特性 曲线 上页 0直流负载线与晶体管输出特 性曲线的交点，即为放大电 路的输入静态工作点Qo。NuCE下页后退模拟电子技术基础2.3.2估算法在放大电路静态分析中的应用由输入回路方程VCC=iBRB+uBE得I BQ ?VCC ? U BEQ RB式中，|UBEQ |硅管可取为0.7V，锗管0.3VI CQ ? ? I BQUCEQ=VCC－ICQRC上页 下页 后退模拟电子技术基础思 考 题1. 在晶体管放大电路的分析中，估算法在什么情况 下将引起较大的误差？上页下页后退模拟电子技术基础2.4放大电路的动态分析在静态分析基础上，分析电路中的交流分量之间 关系。主要求Au、Ri、Ro及Uopp等参数。 图解法 常用的分析方法 微变等效电路法上页下页后退模拟电子技术基础2.4.1图解法在放大电路动态分析中的应用? VCCRBC1RC?ui?T?C2?RLuo??设输入信号 ui=Uimsinwt V上页 下页 后退模拟电子技术基础1．当RL=∞时 在输入回路?ui? VCCRBC1RC?T?C2?RLuBE=UBE+uiuo??uBE波形图0 上页 t下页后退模拟电子技术基础（1） iB的形成过程a已知Qb 0 0iB的波形图t0t工作点的移动uBE波形图上页 下页 后退模拟电子技术基础(2) 输出波形M a iB1已知Q已知 iBbiB0 输出电压uo 0 tN20t工作点的移动 uCE波形图上页 下页 iC波形图 后退模拟电子技术基础小结：已知输入信号0t输出信号波形t 0输出电压uo与输入电压ui相位相反上页 下页 后退模拟电子技术基础(2) 如果静态工作点Q太低iBaiB的波形图已知Q a. 输 入 波 形1iB 020 bt0工作点的移动uBE波形图t 上页 下页 后退模拟电子技术基础b. 输出波形M已知 iB已知QiBa10 输出电压 0 截止 失真 tbNiB20工作点的移动tuCE波形图上页 下页iC波形图 后退模拟电子技术基础(3) 如果静态工作点Q太高iB1a已知QiB的波形图iBb 0t0 ta. 输 入 波 形20工作点的移动uBE波形图上页 下页 后退模拟电子技术基础b. 输出波形MiB1已知 iB已知QaiB输出 电压b20N0 工作点的移动t0饱和 失真iC波 形图tuCE波形图 上页 下页 后退模拟电子技术基础(4) 如果输入信号太大iBaiB的波形已知Q10a. 输 入 波 形iB 020 bt工作点的移动tuBE波形上页 下页 后退模拟电子技术基础b. 输出波形M iB1已知 iB已知Qa0 0 tNbiB20工作点的移动tiC波形 uCE波形 上页 下页 后退模拟电子技术基础(5) 放大电路的动态范围 （忽略 UCES和ICBO）a. 如果UCEQ=ICQRC=VCC/2MiB波形输 0 出 0 波 形 tNiB1 iB2iB3 uo1 uo2 uo3 上页 下页 Uopp=2UCEQ =2ICRC =VCC 后退模拟电子技术基础b. 如果UCEQ&ICQRCiB波形M输 0 出 0 波 形 t uo1 uo2NiB1 iB2 iB3Uopp=2UCEQuo3 上页 下页 后退模拟电子技术基础C. 如果UCEQ&ICQRCMiB波形输 0 出 0 波 形 t uo3NiB1 iB2 iB3Uopp=2ICRCuo1 uo2上页 下页 后退模拟电子技术基础结论:(1) (2) 共射极放大电路的uo与ui的相位相反。 (3) ui的幅度过大或静态工作点不合适 ，将产生非线 性失真（饱和失真、截止失真）。 (4) 放大电路信号 uBE=UBE+uii =I +ib i =I +icB BCCu =U +uceCE CE上页下页后退模拟电子技术基础(5) 动态范围(忽略ICEO和UCES)(a) Qo点在负载线的中点UCEQ=ICQRC =VCC/2U OPP ? 2 ? U CEQ ? 2 I CQ RC ? VCC(b) Qo点在负载线中点下方UCEQ＞ICQRCUo pp=2ICQRC上页 下页 后退模拟电子技术基础(c) Qo点在负载线中点上方 UCEQ＜ICQRC (d) Uopp的一般表示式 Uopp=2×min[ UCEQ， ICQRC] (6) 非线性失真的特点： 饱和失真：输出电压波形的下半部被削平。 截止失真：输出电压波形的上半部被削平。上页 下页 后退模拟电子技术基础2．当RL≠∞时?ui? VCCRBC1RC?T?C2?RLuo??（1）放大电路的交流通路耦合电容短路 直流电压源短路上页 下页 后退交流通路画法：模拟电子技术基础? VCCRBC1RC?ui?T?C2?RLuo交流通路?RC??? uiTRBRLuo??上页下页后退模拟电子技术基础ic?uiRBT ?uce RCRL?uo?? ??由放大电路的交流通路可知式中R'L ＝RC//RL上页 下页 后退模拟电子技术基础（2） 交流负载线 由于 故式中上页 下页 后退模拟电子技术基础iCMa直流负载线ICQQO交流负载线P 0bNuCEU CEQ UCEQ+ICQ R'L式在uCE和iC的坐标中，也表示一条直线该直线称为放大电路的交流负载线。上页 下页 后退模拟电子技术基础iC 交流负载线的特点:直流负载线ICQ Ma QOa. 斜率为－1/R'L b. 经过静态工作点Q交流负载线P 0bNuCEU CEQ UCEQ+ICQ R'Lc. 与横轴的交点为UCEQ+ICQ R'L d. 电路的工作点沿交流负载线移动。上页 下页 后退模拟电子技术基础iCMa直流负载线e. 动态范围ICQQO交流负载线P 0bN(a) 比电路空载时小。(b) (c) 当考虑UCES时uCEU CEQ UCEQ+ICQ R'L? U OPP ? 2 ? min( U CEQ ? U CES , I CQ RC )上页下页后退模拟电子技术基础图解法的特点 （1）便于观察。 （2）作图烦琐，Ui很小时难以作图。 （3）放大电路一些性能指标无法由图解法求得。上页下页后退模拟电子技术基础2.4.2微变等效电路法在放大电路动态分析中的应用1．晶体管的H参数微变等效电路 （1） 晶体管线性化的条件： 电路工作在小信号状态。（2）晶体管可线性化的主要依据： a. ΔiB与 Δ uBE 之间具有线性关系 b. β值恒定上页 下页 后退模拟电子技术基础晶体管共射极接法线性化原理 晶体管NPN 型或 PNP 型等效图 ic ib ic线 性网 络ib+ ube C c b晶 管 体+ uce C+ ube C+ uce Ce上页下页后退模拟电子技术基础晶体管线性等效电路的H参数描述ube ? hieib ? hre uceibic线 性网 络ic ? hfeib ? hoe uce+ ube C?uBE ?uCEIb ?0+ uce C式中hie ? ?uBE ?i B ? U ce ? 0 ?uBE ?i B?U CE ? 0hre ???uBE ?uCE?i B ? 0hf e ??i C ?i BU ce ? 0??iC ?i B?uCE ? 0hoe ??i C ?uCEIb ?0?? iC ?uCE?i B ? 0上页下页后退模拟电子技术基础由ube ? hieib ? hre uceic ? hfeib ? hoe uce可画出等效电路b+ibicc+uberbe+? ib1/hoe uce_ hreuce _e_晶体管的微变等效电路上页 下页 后退模拟电子技术基础b+ibrbe+icc+图中rbe ? hie ? rbb' ? (1 ? ? ) UT I EQ? ibube1/hoe uce 称为晶体管的输入电阻e__ hreuce _式中 称为晶体管的基极体电阻hre￣反向传输电压比? ? hf e电流放大系数上页 下页 后退模拟电子技术基础b+ibrbe+icc+? ibube1/hoe ucee__ hreuce _hoe ?1 rce?I CQ UA称为晶体管共射极输出电导上页 下页 后退模拟电子技术基础b+ibrbe+icc+b ib+? ibic c+ube1/hoe ucee__ hreuceube_rbe eβ ibuce__hre、hoe一般比较小，可忽略不计晶体管微变等 效简化电路上页 下页 后退模拟电子技术基础2．微变等效电路法在放大电路动态分析中的应用? VCCRBC1RC?ui?T?C2?RLuo??（1）画出放大电路的交流通路上页 下页 后退模拟电子技术基础? VCCRBC1RC?ui?T?C2?RLuo???RC交流通路?TRBuiRLuo???上页下页后退模拟电子技术基础?TRB?RCuiRLuo???（2） 将晶体管微变等效ib放大电路的微 变等效电路ic?T b cui ?RBrbe? ib?RL uoRCe上页?下页 后退OpenLearning
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书　　名：模拟电子技术基本教程习题解答
作　　者： 华成英、叶朝晖
出版时间：
出 版 社： 清华大学出版社
字　　数： 122 千字
印　　次： 1-4
印　　张： 6
开　　本： 16开
ＩＳＢＮ： 1
装　　帧： 平装
定　　价：￥15.00
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本书是根据近年来电子技术的发展和丰富的教学实践，针对模拟电子技术课程教学基本要求和学习的特点，编写而成的。
主要内容包括： 模拟电子系统简介、集成运算放大电路及其基本应用、半导体二极管及其基本应用电路、晶体三极管及其基本放大电路、场效应管及其基本放大电路、集成运算放大电路、放大电路中的反馈、模拟信号的运算和滤波、信号的产生和变换、直流电源。本书配有光盘，主要内容包括Multisim V7使用手册和本书大部分例题的仿真。
本书适用于作为高等院校电气信息类各个专业和部分非电类专业的教科书，而且特别适合于学时较少的情况，也可作为工程技术人员的参考书。
　　本书是华成英主编的《模拟电子技术基本教程》（普通高等教育“十一五”国家级规划教材）的配套辅导书。书中对教材中的全部习题进行了详细解答。
本书对教材中各章的习题做了全面解析，力图从解题思路、解题方法和解题步骤等方面给读者以指导，从而掌握模拟电子技术的基本概念、基本电路和基本分析方法，提高分析问题和解决问题的能力。
在讲授和学习模拟电子技术课程时，本书既可作为教师手册，又可作为学生的参考书，同时还可作为自学者的辅导书。
由于编者的能力和水平所限，书中定有疏漏、欠妥和错误之处，恳请读者多加指正。
2006年9月于清华园
第2章集成运放及其基本应用
第3章半导体二极管及其基本应用电路
第4章晶体三极管及其基本放大电路
第5章场效应管及其基本放大电路
第6章集成运算放大电路
第7章放大电路中的反馈
第8章信号的运算和滤波
第9章波形的发生与变换电路
第10章直流电源电路与模拟电子技术基础(第2版)第六章
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&&电路与模拟电子技术基础(第2版)
电子工业出版社
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