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电子技术论坛检验DDR, DDR2和DDR3 SDRAM命令和协议图31. Nexus DDR3 NEXVu DIMM，为JEDEC标准设计，带有逻辑分析仪探头测试点。提供了杰出的信号保真度，让用户可以捕获到存储器件“看到”的实际眼图。逻辑分析仪存储器支持软件逻辑分析仪存储器支持软件通过配置逻辑分析仪设置，增强了逻辑分析仪操作，它为存储器采集、存储器数据分析软件、助记符列表提供了自定义时钟输入，可以包括存储器探测硬件。NexusTechnology公司(/)提供逻辑分析仪存储器支持软件，是泰克在嵌入式系统工具方面的合作伙伴，为泰克逻辑分析仪和示波器提供补充性产品。泰克公司可以为指定的NexusTechnology产品提供发货服务。Nexus提供的基于逻辑分析仪的DDR3/DDR2协议违规分析软件可以自动分析DDR2或DDR3总线，快速简易地识别协议违规，并提供逻辑分析仪存储器内的所有DDR命令的全局视图。应用指南确定正确的采样点以捕获DDR3数据，是一件困难并且很花时间的事情，因为数据有效窗口很小而且判别电平很低。Nexus DDR3采样点分析(SPA)软件能检查逻辑分析仪的MagniVu数据，并自动调节门限电平以优化采集。这样，它可以确定采集每个数据组的最佳位置，并允许用户检查这些设置和确定使用这些优化结果。这种方式简化并加快了对DDR3进行精确数据采集的设置过程。Nexus逻辑分析仪存储器支持软件可以用于DDR,DDR2, DIMM, SO-DIMM, FB-DIMM和其它新兴存储器技术。探测硬件从直接探测嵌入式存储器系统时的没有探测硬件，直到使用DIMM内插器和配置相应仪器的DIMMs。Nexus把配置相应仪器的DIMM称为NEXVuDIMM(参见图31)。DDR2 NEXVu DIMMs要高于普通DIMM，因此可以使用相邻插槽中普通高度的DIMM相连。逻辑分析仪探头连接到NEXVu DIMM的任一侧。两个NEXVu DIMMs可以位于相邻插槽中，逻辑分析仪探头连接在每个NEXVuDIMM的相反一侧。NEXVu DIMMs在FBGA IC封装附近带有内层电路板隔离电阻器，降低了相连的探测电路板走线的负载效应。在图31中，可以看到带有散热器的大型AMB以及18个DDR2 667 SDRAM中的8个SDRAM。另外在图31中，还可以看到24条高速差分电路板走线从连接器边沿到达高级存储缓冲器(AMB)。注意，其距FB-DIMM的距离越远，走线长度越长。在FB-DIMM存储器系统中，没有蜿蜒的走线模式，来平衡由24个差分信号组成的走线长度。这简化了电路板布局。信号越少、电路板布局越简单，与使用UDIMMs和RDIMMs相比每个存储器系统的FB-DIMM通道数量越多。FB-DIM通道初始化训练部分中的AMB可以消除电路板走线不均匀导致的信号偏移。.cn/memory
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电子技术论坛检验DDR, DDR2和DDR3 SDRAM命令和协议应用指南图32. 在存储器控制器发出模式寄存器命令期间，使用逻辑分析仪捕获的DDR2 SDRAM模式寄存器 (MR)和扩展模式寄存器配置。使用NEX-FBD-NEXVu采集数据配置NEX-FBD-NEXVu操作只需几步。第一步是为逻辑分析仪数据有效窗口配置命令组采样点位置。其方式与本应用指南前面设置命令组样点的方式相同。可以使用MagniVu或AutoDeskew，确定每个SDRAM命令信号的最优逻辑分析仪样点位置。使用iVerify，检查带有多通道眼图的信号数据有效窗口。NEX-FBD-NEXVu自定义时钟输入提供了多种时钟输入模式，可以有效利用逻辑分析仪存储器。第一步需要进行两个选择：第一个要选择采集每个DDR2 DRAM上升时钟边沿，还是根据RAS#和CAS#命令实现选择性时钟输入。第二个是保存刷新周期还是降低保存的刷新周期数量。第二步是在列表窗口中增加列，捕获SDRAM模式寄存器(MR)和扩展模式寄存器配置，确定CAS时延(CL)、突发长度 (BL)和附加时延(AL)。在模式寄存器命令期间，存储器控制器使用地址A0-13和组地址BA0-1把16位值编程到这些寄存器中。为了解在哪里查找读取和写入数据有效窗口，需要模式寄存器值。模式寄存器值对CAS时延为4，对突发长度为4，对附加时延为0 (参见图32)。这些值用来确定写入和读取数据有效窗口的位置，在列表窗口中配置逻辑分析仪，进行反汇编。32
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电子技术论坛检验DDR, DDR2和DDR3 SDRAM命令和协议应用指南图33. 触发激活命令后第一个读取命令。计算四个读取时延(RL)时钟边沿数量，找到显示了读取数据标尺的第一个读取数据周期。DDR2 SDRAM 64位读取数据是由55,5555十六进制值和AAAA,AAAA,AAAA,AAAA十六进制值组成的交替码型。图34. MagniVu高分辨率定时测量读取数据有效窗口，设置逻辑分析仪采样点位置。DDR2 SDRAM 64位读取数据是由55,5555十六进制值和AAAA,AAAA,AAAA,AAAA十六进制值组成的交替码型。存储器支持软件提供了16位模式寄存器和扩展模式寄存器的位解码功能。图32显示了样点30中的模式寄存器怎样解码成9行助记符。图12中使用的符号表不能提供图32中所示的复杂的多行助记符解码。助记符解码是存储器支持软件的一个明显优势。第三步是触发激活-读取命令序列，使用MagniVu高分辨率定时波形，每个时钟周期确定两个读取数据有效窗口。在激活-读取命令顺序开头确认第一个读取数据通常要比触发任何读取命令简便。另外检验读取时延是否正确也更加容易。读取时延(RL)确定读取突发数据的开头。在附加时延(AL)中增加CAS时延(CL)，确定读取时延(RL)，从读取命令中计算RL上升时钟边沿数量，找到读取命令的第一个读取数据周期(参见图33)。对4位和8位的突发长度，读取数据时钟周期分别为两个和四个。存储器支持软件把64位存储器数据划分成一个32位DatHi组和一个32位DatLo组(参见图34)。在这种情况下，两个合并的逻辑分析仪模块在数据线外部2X时钟输入模式下操作。这意味着逻辑分析仪使用两条存储器通道，每条通道拥有不同的样点位置，在单个时钟周期期间在一条数据I/O线上采集DDR2 SDRAM数据。四个样点由两个组构成，每个组两个样点。在设置窗口自定义时钟输入中配置这四个样点，采集读取数据。波形窗口标尺放在时钟和重命名时钟的上升沿上。标尺用五条竖虚线表示，如图34所示。第二个A_Beg标尺放在第一个读取数据有效窗口开头的后面，其中包含55,5555十六进制数据。第二个A_End标尺放在A_Beg标尺后面625 ps处。A_Beg到A_End的625 ps时间间隔是读取数据保持稳定不变所要求的时间，以使逻辑分析仪TLA7AA4能够可靠地采集数据。.cn/memory
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电子技术论坛检验DDR, DDR2和DDR3 SDRAM命令和协议应用指南图35. Nexus Technology公司NEX-FBD-NEXVu列表窗口，DDR2 SDRAM读取数据是由55,5555十六进制值和AAAA,AAAA,AAAA,AAAA十六进制值组成的交替码型。时钟和A_Beg标尺之间125 ps的增量时间测量提供了自定义时钟输入设置中配置的建立时间。类似的，B_Beg和B_End标尺用来确定DDR2 SDRAM时钟周期的第二个数据有效窗口。在图34中，第一个逻辑分析仪读取数据有效窗口A从时钟上升沿之后125 ps开始。第二个逻辑分析仪读取数据有效窗口B从时钟上升沿之后2 ns开始。如果使用三个合并的逻辑模块，那么可以同时捕获写入数据和读取数据。因此，为配置逻辑分析仪写入样点位置，可以触发激活到写入命令顺序，使用MagniVu高分辨率定时波形，确定写入数据的逻辑分析仪数据有效窗口。注意，在确定写入数据位置时，写入时延(WL)比读取时延(RL)小1。在自定义时钟输入下的设置窗口中，逻辑分析仪样点位置配置成采集写入和读取数据。DDR2 SDRAM数据线为一个时钟周期提供了四个数据有效窗口。逻辑分析仪配置成对每个时钟周期采集全部四个数据有效窗口。它在外部4X模式下对三个合并的TLA7AA4逻辑分析仪模块使用自定义时钟输入，来完成这一操作。在逻辑分析仪完成采集后，它分析SDRAM命令，确定其是写入周期还是读取周期，然后使用附加时延(AL)、CAS时延(CL)和突发长度(BL)，确定有效数据周期在逻辑分析仪采集的数据中的位置。用户在列表窗口助记符列反汇编属性中设置周期类型、附加时延、CAS时延和突发长度。存储器支持软件列表窗口对样点65539和样点65541显示了三行助记符(参见图35)。在一个DDR2 SDRAM时钟周期中，存储器控制器把读取命令发送到DDR2SDRAM，在同一个时钟周期中，在前一个读取命令中发生两次64位数据读取。NEX-FBD-NEXVu存储器支持软件提供了这种分析、解码和助记符。NEX-FBD-NEXVu还提供了四种显示模式，并带有列表窗口助记符列反汇编属性：显示采集的所有周期，抑制所有空闲或等待周期，显示激活、写入和读取周期，只显示写入和读取周期。34
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电子技术论坛检验DDR, DDR2和DDR3 SDRAM命令和协议应用指南小结本应用指南介绍了逻辑分析仪在检验SDRAM协议排序和定时中的功能。我们考察了SDRAM时钟和四个SDRAM命令信号，检验了大量的数据。整个检验采用Nexus Technology存储器支持软件、存储器内插器和NEXVu DIMMs。泰克还提供了全套工具，包括业内领先的示波器、真正差分TDR及装有Nexus Technology存储器支持软件的逻辑分析仪，使得嵌入式和计算机设计人员能够迅速精确地进行电接口测试，检验存储器设计的运行状况。联合使用时，这套工具提供了杰出的性能及无可比拟的易用性，是检验和调试嵌入式系统和计算机存储器系统的理想解决方案。.cn/memory
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电子技术论坛泰克科技(中国)有限公司上海市浦东新区川桥路1227号邮编：201206电话：(0传真：(6泰克成都办事处成都市人民南路一段86号城市之心23层D-F座邮编：610016电话：(8传真：(8泰克北京办事处北京市海淀区花园路4号通恒大厦1楼101室邮编：100088电话：(0/1230传真：(6泰克西安办事处西安市东大街西安凯悦(阿房宫)饭店345室邮编：710001电话：(4传真：(9泰克上海办事处泰克深圳办事处上海市静安区延安中路841号深圳市罗湖区深南东路5002号东方海外大厦18楼1802-06室信兴广场地王商业大厦G1-02室邮编：200040邮编：518008电话：(8电话：(09传真：(7传真：(39泰克武汉办事处泰克香港办事处武汉市汉口建设大道518号九龙尖沙咀加连威老道2-6号招银大厦1611室爱宾大厦15楼6室邮编：430022电话：(852)电话：(0/2831传真：(852)有关信息泰克公司备有内容丰富的各种应用文章、技术简介和其他资料，并不断予以充实，可为从事前沿技术研究的工程师提供帮助。请访问泰克公司网站.cn版权?2008, 泰克公司。泰克公司保留所有权利。泰克公司的产品受美国和国外专利权保护，包括已发布和尚未发布的产品。以往出版的相关资料信息由本出版物的信息代替。泰克公司保留更改产品规格和定价的权利。TEKTRONIX 和TEK 是泰克有限公司的注册商标。所有其他相关商标名称是各自公司的服务商标或注册商标。06/09
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