常见的常见半导体材料料有哪些？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-11-24 07:12 标签： 常见的半导体材料
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扫描下载二维码常见的半导体材料有什么特点优势
导电能力介于导体跟绝掩体之间的物质叫做半导体材料。半常见导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要，所以有着不同的特性。下面小编简单介绍下常见的半导体材料有什么特点优势吧。
导电能力介于导体跟绝掩体之间的物质叫做半导体材料。常见半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要，所以有着不同的特性。下面小编简单介绍下常见的半导体材料有什么特点优势吧。
&常见的半导体材料特点
常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge）,化合物半导体，如砷化镓（gaas）等;掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。
有以下共同特点：
1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间
2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。
3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。
&常见半导体材料有什么优势
半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧&米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。1906年制成了碳化硅检波器。
1947年发明晶体管以后，半导体材料作为一个独立的材料领域得到了很大的发展，并成为电子工业和高技术领域中不可缺少的材料。特性和参数半导体材料的导电性对某些微量杂质极敏感。纯度很高的半导体材料称为本征半导体，常温下其电阻率很高，是电的不良导体。在高纯半导体材料中掺入适当杂质后，由于杂质原子提供导电载流子，使材料的电阻率大为降低。这种掺杂半导体常称为杂质半导体。杂质半导体靠导带电子导电的称N型半导体，靠价带空穴导电的称P型半导体。
不同类型半导体间接触（构成PN结）或半导体与金属接触时，因电子（或空穴）浓度差而产生扩散，在接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。
此外，半导体材料的导电性对外界条件的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一参数。半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下，其特性的量值差别。
关于常见的半导体材料的相关信息就为大家介绍到这里了，希望这篇文章对您有所帮助。如果您还有什么不明白的地方可以关注我们齐家网，我们会尽快为您解答。
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半导体激光器又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。
光敏电阻又称光导管，常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些材料在特定波长的光照射下，产生载流子参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。
半导体在我们生活中是经常会碰到的，它是室温下导电性介于导体与绝缘体之间的一种功能材料，经常被应用于电子产品中，那您知道半导体材料的特性参数有哪些么？半导体材料特性要求又有哪些呢？接下来就让我们一起来了解下吧。
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（8分）单质Z是一种常见的半导体材料，可由X通过如下图所示的路线制备，其中X为Z的氧化物，Y为氢化物，分子结构与甲烷相似，回答下列问题：（1）能与X发生化学反应的酸是
；由X制备Mg2Z的化学方程式为
。（2）由Mg2Z生成Y的化学反应方程式为
，Y分子的电子式为
。（3）Z、X中共价键的类型分别是
（1）氢氟酸；SiO2+MgO2↑+Mg2Si；
（2）Mg2Si+4HCl=2 MgCl2+SiH4；；
（3）非极性键、极性键
【解析】Z为半导体单质，则Z是Si元素；Si可与氢氟酸反应；其氧化物为二氧化硅，根据反应的流程图可知，二氧化硅与Mg反应生成Mg2Si，Mg2Si与盐酸反应生成的Y为氢化物，则Y的分子式是SiH4-，加热分解可得到Si单质。其余问题可解。
考点分析：
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题型：填空题
难度：中等
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Si - Silicon
Ge - Germanium
GaP - Gallium Phosphide
GaAs - Gallium Arsenide
InAs - Indium Arsenide
C - Diamond
GaSb - Gallium Antimonide
InSb - Indium Antimonide
InP - Indium Phosphide
GaAs1-xSbx - Gallium Arsenide Antimonide
AlxGa1-xAs - Aluminium Gallium Arsenide& &&&
AlN - Aluminium Nitride
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