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骁龙835比821强多少?只看跑分就OUT了
作者：李勇
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骁龙835比821强多少?只看跑分就OUT了
　　随着索尼Xperia XZ Premium以及三星Galaxy S8/S8+正式登陆国内市场，加上已经发售的小米手机6，HTC台湾发布新旗舰U11，以及近期将会发布的努比亚Z17、一加手机5等，高通骁龙835芯片智能手机看上去即将迎来井喷。本着电子产品“买新不买旧”的原则，这些新旗舰们无疑更值得消费者考虑，不过考虑到多数搭载骁龙835芯片的产品“不亲民”的定价，我等朝九晚五拿死工资的上班族们想要换机还真得狠一狠心，特别是对于那些刚买骁龙821芯片手机可能还没半年的用户来说，有没有必要升级骁龙835呢？今天我们就通过骁龙835芯片与骁龙821芯片的对比来实测一下。
　　骁龙835比821强多少？
　　测试机型我们选择了搭载骁龙835芯片的小米手机6以及搭载骁龙821芯片的一加手机3T，选择他们是因为不管是小米还是一加，性能都是他们最重视的一个卖点，同时他们在配置上也比较接近，都是1080P屏幕+6GB LRDDR4内存+128GB UFS存储的组合，对比结果更有代表性。
　　首先登场的还是大家喜闻乐见的“娱乐兔”，最终搭载骁龙821芯片的一加手机3T得分163399，而搭载骁龙835芯片的小米手机6的得分为168649，差距不到6000；3D性能单项得分方面，搭载骁龙821芯片的一加手机3T得分63145，而搭载骁龙835芯片的小米手机6的得分为70123，差距接近8000。
　　骁龙835/821安兔兔对比
　　在Geekbench 4.0的测试中，搭载骁龙821芯片的一加手机3T单核/多核得分分别为，而搭载骁龙835芯片的小米手机6的单核/多核得分分别为。单核性能差距不大，只是在多核方面存在较大差距。
　　骁龙835/821 GeekBench对比
　　最后是3DMark来对两款手机芯片的GPU性能进行测试，最终搭载骁龙821芯片的一加手机3T得分32086，而搭载骁龙835芯片的小米手机6的得分为39435。
　　骁龙835/821 3dMark对比
　　通过三款软件的测试结果可以看出，集成了高通自研架构Kryo 280八核CPU（大小核主频分别为2.45GHz和1.9GHz）和Adreno 540 GPU的骁龙835芯片，在整体表现上确实要比骁龙821芯片（Kyro 200四核CPU、Adreno 530 GPU）强，但是差距并没有想象中那么大。简单的理解就是在日常使用时可能感觉不到二者之间存在的差距，你835能跑的游戏我821也能很好的胜任，毕竟目前还没有那么吃性能的手机游戏出现。
　　对于大多数用户而言，无论是骁龙835还是骁龙821都能提供极为流畅的使用体验，有钱的追求骁龙835新旗舰妥妥的不后悔，差钱的可以继续骁龙821，而且随着骁龙835旗舰的大范围问世，骁龙821手机们也将迎来更好的价格。比如说今天测试的两款机型，搭载骁龙821芯片的一加手机3T以及搭载骁龙835芯片的小米手机6，都是目前各平台最值得买的产品之一。
　　那么这就是最后的结论？当然不是！
　　除了性能之外，手机芯片还有另外一个重要的指标，那就是基带。作为全球首发搭载千兆级LTE调制解调器X16 LTE的芯片，骁龙835芯片更重要的作用在于未来。
　　骁龙835首发X16 LTE千兆级调制解调器
　　在移动Modem领域，高通自始至终都处于行业的领先水平，在骁龙821芯片上面使用的X12 LTE调制解调器，借助于4×4 MIMO、3×20MHz CA、256-QAM与LTE-U多项新技术，实现了600Mbps下行速度、150Mbps上行速度的LTE Cat 12/13标准，这个表现是同时期其它移动芯片所搭载的Modem所无法比拟的。
　　而骁龙835芯片所搭载的X16 LTE调制解调器，更是将我们从Mbps时代带进Gbps时代，骁龙X16 LTE调制解调器采用14nm FinFET工艺，搭配Qualcomm射频收发器WTR5975，通过4×4 MIMO、跨FDD和TDD频谱支持、最高达4×20MHz的下行链路CA和256-QAM实现了1Gbps下行速度，以及150Mbps上行速度，达到了LTE Cat 13/16标准。
　　骁龙835引领千兆LTE
　　千兆级LTE是迈向5G移动体验的重要基石，随着多个千兆级LTE网络将于2017年在全球部署，无地域限制的网络环境让你无论何时何地都能想播就播。以高通早先在悉尼进行的测试为例，一段时长32分钟153M大小的视频，在连接千兆级LTE网络之后，用时17秒即可完成视频下载，上传一段294M的视频短片用时仅40秒，上传速率最大达到82.7Mb/s。而我们目前所使用的网络，下行峰值不过37.50Mb/s，上行峰值为6.25Mb/s，差距之大显而易见。
　　这意味着什么？要知道这个速度已经非常接近移动闪存的随机读取速度，所以说，在千兆级LTE环境下，你可以享受到“无限容量”的云存储，连上千兆级LTE即可秒速在线看，快速拖拽进度条也和本地视频没区别。在千兆级LTE网络的支持下，VR体验也能真正做到低时延，而时延又是影响VR产品使用眩晕感的重要参数，尽可能低的时延才能消除眩晕感，带来更好的VR体验。
　　从这方面来说，在千兆LTE网没有普及之前，骁龙821和骁龙835的使用体验没有大区别，但当千兆LTE网来临，上传下载速率更快的骁龙835无疑会让你爽的飞起，就像我们刚刚从3G换到4G时一样。
　　所以，你知道该如何选了没？
有外媒报道称苹果公司CEO库克正亲自试用血糖测量功能。
三星电子今日在北京正式发布Galaxy S8与S8+两款手机。
有的时候，走火入魔和一代宗师，可能只有一线之隔。
RAM只有1GB或更低的Android手机都将自动启用这种配置
参考价格未上市
超高屏占比
无边款设计
Bixby智能助手
参考价格1699元
配置中规中矩
参考价格3788元
升级徕卡镜头
前置莱卡镜头
没有疏油层
参考价格1499元
仅支持移动4G后使用快捷导航没有帐号？
10nm的骁龙835来了，821/820手机还值得买吗？
冬天来了，春天不会远了，新旗舰手机更近了，好激动呀……这既是咱机友们的心情，也是SoC厂商的心理写照。这不，高通就冷不丁地公布了2017年的旗舰芯片骁龙835，作为骁龙820/821的继任者，它既让我们对明年旗舰机的性能有新的期待，也不禁想问，除了能创跑分新高，还能有什么更让人兴奋的吗？先进的制程比核心数更重要
去年骁龙820的发布时间也是在11月，跟骁龙835相隔刚好差不多一年，不过骁龙835的处境可比去年的820好多了，后者肩负着为高通“退烧”的重任。因此，高通在公布骁龙820时就将其架构、主频、GPU等各项详细参数都一股脑地倒了出来，而此次对于骁龙835其并没有透露过多的信息。主要就告诉我们一件事——它将使用三星10nm制程工艺制造。
有意思的是，刚好就在高通公布该消息的一个月前，三星宣布其10nm制程芯片工艺实现量产，前后脚的发布消息，这两家公司就像商量好似的。受此打击最大的大概就是另一家芯片代工厂台积电了，不仅再次把“首家实现量产10nm制程工艺芯片厂家”的头衔拱手让给三星，更失掉了传闻中高通骁龙835的大单子。三星展示的使用10nm技术打造的晶圆表明已完成该制程量产工艺的规范&
台积电在半导体制造工艺方面与三星一直都相互竞争，在14/16nm FinFET工艺量产进度被三星击败后，台积电卯足劲希望在10nm甚至7nm工艺上要领先三星。可惜正如此前的16nm FinFET工艺一样，在正式量产前不断放消息，结果实际时间却延迟了近半年。如今曾信心满满要赶在三星前面的台积电不仅又落后了，更未确定年底能否量产10nm，但愿不要太迟才好。
因为这不仅关系到台积电自己，其他厂商也因此受到影响。华为海思规划了两款高端芯片麒麟960、麒麟970，前者采用台积电成熟的16nm FinFET工艺，而后者则计划采用台积电的10nm工艺，如果无法如期量产，恐怕华为明年的旗舰新机也会有变数。
一直希望通过采用领先的工艺而在高端芯片市场有所作为的联发科，如今大概也正在为台积电的10nm工艺量产时间头疼。由于联发科所有芯片都不支持中国移动要求的LTE Cat7而开始被国产手机厂商弃用，它急需推出采用10nm工艺的Helio X30，该芯片支持LTE Cat10技术，这也造成了联发科如今青黄不接的囧况。
不难看出，高通和三星共同宣布采用10nm工艺制造骁龙835这一消息，无异于联手告诉各自的竞争对手：“来追我呀”，宣示领先地位。或许正因如此，这次骁龙 835 也有了跳数字的命名方式（此前传闻型号应为骁龙830）。&看他们笑得多开心，高通副总裁KeithKressin和三星高级副总裁Ben Suh手中拿着的就是骁龙835芯片这次快充不怕谷歌的白眼了
和骁龙835一起到来的还有Quick Chrage 4快速充电技术，实际上，就在公布前不久，高通的Quick Chrage快充技术正经受着考验。谷歌在最新的Android兼容性定义文档中强烈建议OEM厂商不要在Type-C设备上使用具有收费专利的充电技术，而应该使用标准的USB PD供电协议，将矛头直指高通Quick Charge为代表的一众第三方快充技术。
根据USB Type-C 3.1接口的规范，充电电压应保持在4.45－5.25伏之间，而高通QC 3.1所需要的电压便远超USB Type-C线的标准，由于这项技术是基于非标准信号及非标准USB连接，的确导致了各种兼容性问题。而且因为各手机内部配置不同、充电速率不同，如果用户混用设备，可能会造成安全隐患。USB-PD充电协议便旨在推广标准3A Type-C型充电器，实现兼容又相对可靠的快充。
现在Quick Charge 4的到来显示高通已经做好了接招的准备：集成对USB Type-C和USB-PD的支持。这可能意味着，未来搭载Quick Charge 4的不同手机之间，混用充电器同样可以实现快充了。
当然还有更快的充电速度，高通表示Quick Charge 4充电速度提升高达20%，仅五分钟的充电，手机使用时间延长五小时甚至更久。在大约15分钟或更短时间内，可充入高达 50%的电池电量。&15分钟充电50%，Quick Charge 4的充电效率提升达30%
Quick Charge 4的升级也包括对发热的控制，采用高通第三版INOV电源管理算法（最佳电压智能协商），据说加入了行业首创的实时散热管理技术，让你的手机在充电时温度更低，较上一代最多可以降低5摄氏度。毕竟因为三星Note7事件，大家越来越重视充电过热的问题。
这主要是基于配置骁龙835的手机拥有电流电压的三重防护，以及防止过热的四重防护，而骁龙835也能管理电池使用寿命，让用户使用更长时间。也就是说，骁龙835将首先搭载Quick Charge 4。满足你对手机性能的期待
虽然目前高通还没有透露关于骁龙835的具体信息，不过目前曝出的一些信息：升级版64位自主架构Kyro 200，四大、四小的八核设计，GPU核心升级为Adreno 540，LTE X16基带以及更快的LPDDR4x运存等，基本是可靠的。高通表示Quick Charge 4充电速度提升高达20%，仅五分钟的充电，手机使用时间延长五小时甚至更久。在大约15分钟或更短时间内，可充入高达 50%的电池电量。
按照高通的说法，骁龙835将具有更小的芯片尺寸，让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。要知道苹果iPhone7／7Plus去掉耳机孔的最大原因就是让出机身内部空间，以加入相机模组、Taptic Engine和一部分电池容量。
那么我们可以预见，明年旗舰机的机身厚度进一步降低的基础上，不仅有更高性能，还有更大容量的电池以及更长续航时间。随着双摄手机的普及，预计骁龙835会对双摄有更好的ISP支持方案，新一代的Hexagon DSP也会带来更好的待机表现。
伴随着VR概念的火热，高通也提出了会为这些运算做出单独优化，用以达到更好的效果。VR对手机图形处理能力的要求比以往高得多，骁龙835上的新一代Adreno GPU无疑会更加强悍。另外，今年的热点是人工智能，骁龙820就已内置Zeroth神经处理引擎，能够自动根据用户拍摄的照片进行分类，相信骁龙835会更进一步，带来更加实用的机器学习功能，以后你的手机大概会更懂你。&对于手机厂商来说，骁龙835的搭载不仅影响其产品设计，也足以以此来吸引并刺激消费者的购买欲&
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