DDR4与DDR3有什么区别 相比DDR3内存条DDR4有哪些改进
作者：佚名
字体：[ ] 来源：互联网 时间：04-16 15:12:03
虽然DDR4内存标准规范的正式公布是2012年9月底，不过DDR4内存规格原计划是在2011年制定完成，2012年开始投入生产并上市的。如今DDR4已经欲势待发，只是在等待相应的主板与CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？下面就和脚本之家小编一起来看看吧
在春暖花开的季节里，内存市场也迎来了新春，这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，虽然DDR4内存标准规范的正式公布是2012年9月底，不过DDR4内存规格原计划是在2011年制定完成，2012年开始投入生产并上市的。所以在之前的很长一段时间，三星、SK海力士、美光等多家DRAM厂商都已经完成了DDR4内存芯片的开发，并计划进行量产，奈何DDR4内存标准一直未见公布，他们也不敢轻举妄动。所以可以说DDR4内存的出现已经是酝酿已久了。
如今DDR4已经欲势待发，只是在等待相应的主板与CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？下面就和脚本之家小编一起来看看吧！
1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状
2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz
3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB
4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低
很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的&缺口&也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm，笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。
第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。
频率和带宽提升巨大　
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况？具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。
在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。
因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
容量剧增 最高可达128GB
3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。
3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积&堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠；另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。
所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。
更低功耗 更低电压
更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至1.2V
首先来看功耗方面的内容。DDR4内存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，温度补偿自动刷新，和T CSE类似）、DBI（Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换操作）等新技术。
这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然，作为新一代内存，降低功耗最直接的方法是采用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现将是非常出色的。
人们对于DDR4的期望是相当高的，对于它的上市已经等待已久，不过要知道DDR3花了足足三年的时间才完成对DDR2的取代，而DDR4的野心却是大多了，虽然要到今年底才会正式登场亮相，但是明年就有打算要占据半壁江山，成为新的主流规格。接下来让我们看一下近期关于各个厂商关于DDR4内存的生产发布情况。
支持下一代处理器 威刚DDR4内存曝光
威刚近日正式宣布了自己的首批DDR4内存产品，威刚首发的DDR4并不多，只有标准的服务器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，额定频率也是2133MHz，电压1.2，产品编号AD4R、AD4R、AD4R。
不过威刚表示，DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等类型也都正在研发之中，很快就会陆续推出。
这些内存都是供服务器、工作站使用的，威刚也说他们一直在与Intel密切合作，其DDR4内存完全支持下一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。
至于消费级的DDR4内存，谁也没有任何消息，不过Intel将在第三季度推出首个支持DDR4的桌面发烧平台Haswell-E，相信很快就会有新内存跟上。
2400MHz DDR4试产 美光DDR4大规模开工
威刚早些时候正式宣布了他们的首批DDR4内存产品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4内存已经大规模投产，并在逐步提高产量。
美光表示，目前量产的是4Gb DDR4内存颗粒，标准频率为2133MHz，并特别与Intel合作，针对将在下半年发布的下一代服务器平台Xeon E5-2600 v3进行了优化。
新平台架构基于22nm Haswell-EP，将取代去年9月份发布的Ivy Bridge-EP E5-2600 v2，主要面向双路服务器领域。
目前已经发布的DDR4内存频率都只有2133MHz，这其实是DDR3也可以轻松达到的高度，自然不能凸显新内存的优势。美光称，2400MHz DDR4正在试产，预计2015年正式投产(也就是说今年别期望啥了)。
美光还透露，他们将陆续推出符合JEDEC DDR4标准的完整产品线，涵盖RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各种规格，ECC也可选有无，到今年第三季度初的时候还会增加NVDIMM。
窄条兼容性强 Virtium发布DDR4内存
DDR4内存终于全面开花结果了。嵌入式存储厂商Virtium今天也推出了他们的DDR4产品，而且非常特殊，首次采用了ULP超小型规格，高度只有区区17.8毫米(0.7英寸)。
DDR4 DIMM内存的标准高度为31.25毫米，稍稍高于DDR3 30.35毫米，而在笔记本上的SO-DIMM高度为30毫米，针对高密度服务器的VLP甚小型规格只有18.3-18.7毫米(0.72-0.738英寸)。
ULP则是所有类型中最为小巧的，只有标准型的一半多，适用于空间狭窄的嵌入式领域。
Virtium ULP DDR4内存也是服务器型的URIMM，单条容量4GB(单Rank)、8GB(双Rank)、16GB(双Rank)，标准频率2133MHz，标准电压1.2V，标准耐受温度范围0～85℃，扩展/工业耐受温度范围-25/-40～95℃，五年质保。
Virtium表示，这种内存已经经过了客户的测试和验证，即将批量供货。
DDR4变活跃 三星加速投产DDR4内存颗粒
这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，而作为DRAM行业领头羊、第一家量产DDR4的三星电子又怎么能保持沉默？韩国巨头近日宣布，正在加速投产DDR4内存颗粒、内存条。
和威刚、美光一样，三星也特别提到了Intel将在下半年发布的新一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，称自家的DDR4内存就是为该平台准备的。
三星目前已经量产的DDR4内存都是单Die 4Gb(512MB)的容量，提供x4、x8、x16等不同芯片封装规格，单条容量最高32GB，频率是标准的2133MHz，规格涵盖RDIMM、LPDIMM、ECC SODIMM等等。
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内存ddr3和ddr4在实际使用中差别大吗？收藏
看到最近很多新出的笔记本还在用ddr3，对这方面不是很了解，求解答
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太平洋电脑网的评测是说基本没差别
看评测是没差别
这么说好了一般的DDR4 2133 还不见得打的过C9的DDR3 1600想要有真的提升 首先必须要特别优化的游戏 然后 &真高频& 比如然而DDR3一样有高频
唯一的区别就是要用ddr4你要加钱换主板换CPU你问的是性能？大概提升了0%
星期六 02时10分51秒398毫秒—S— 来自于Windows 10系统 & Chrome 50.0. 浏览器—U— Alienware M18x R3&Core Core i7-4940MX+GTX 980m SLI—S—
d3 d4机器都有
使用上感觉不到任何差别
现在pc最大的瓶颈是硬盘，换成固态，一切都是美好的。
ddr4就物理分高了点 但是平台性能并没有高多少 还得换接口
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频率四通容量　　　--拳打灵梦，脚踢花妈，幻想乡最强天才
关键是你CPU必须支持这个内存频率，否则也是没有意义
玩吃鸡 高频ddr4有明显提升比2133高10多针
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谈谈网吧装机选DDR3还是DDR4
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　　&网吧电脑配置是吸引顾客前来消费的重要因素，因此网吧装机还是要花点心思的，但有些网友在内存条方面很是犹豫，不知道DDR3和DDR4的区别在哪里，不知道选DDR3还是DDR4？目前AMD平台还是不支持DDR4内存的，只有intel六代平台才支持DDR4内存。那么是选择DDR3还是DDR4内存呢？
　　&先说说两者的区别，DDR3内存起始频率为1066，最高频率则为2133，而DDR4内存起始频率就达到了2133，最高频率达到了4000以上。目前主流DDR3内存为1600频率，而主流DDR4内存频率为2133MHz。在相同容量的情况下，DDR4比DDR3内存速度更快。
　　&DDR3内存的标准工作电压为1.5V，而DDR4降至1.2V，移动设备设计的低功耗DDR4更降至1.1V，工作电压更低，也就是说DDR4比DDR3功耗更低。
　　&DDR3和DDR4两种内存插槽有所不同，也就导致了并不是所有的主板都支持DDR4内存，尤其是100系列以下主板都是不支持DDR4内存的，而AMD无论是新平台还是老平台也都不支持DDR4内存。
　　&很多朋友肯定说选择DDR4内存，因为它功耗更低、性能更强。但要注意的是DDR3和DDR4是不兼容的。所以如果打算升级电脑一定要看好自己的电脑是否支持DDR4内存。新装机自然是选择DDR4内存，毕竟DDR4才能发挥出新一代平台的性能优势。而预算不足选择上一代平台的用户，选择DDR3内存也可以。
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内存条狂涨，现在装机选择DDR4还是DDR3？
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评论: |来自: 今日头条
摘要: 现在的4G单条DDR3内存价格普遍在200多元，两条组成8G一般也不会超过500元，能节省很多开支。平台选择方面可以考虑E3 1230、 i7 4770平台和Z77、Z97等，整体性能不会显著弱于现在的主流中端平台。
　　随着现在DDR4内存的价格全面飘红，许多想装机的玩家已经望而却步，就在今天，电商的DDR4内存又有了几十元的涨幅，据了解三星等内存生产厂商仍没有大幅增产的计划，而且第四季度的内存芯片报价已经提升了15%，照现在这个样子8G单条DDR4内存破1000元指日可待了，而且显然很长一段时间降价无望了。　　DDR4内存不仅价格高，而且还到处缺货，笔者山东地区的缺货现在就很严重，可能有钱也没处买。　　不管京东还是淘宝（淘宝同型号普遍价格便宜一点），DDR4现在除了刚需配机和不差钱的主，否则真是没有选择的价值了。如果你的机器已经比较老旧，尤其是2010年以前的主流机器，想在这个时候升级的话可以考虑一下DDR3平台，因为现在DDR3价格虽有上涨，但是相比DDR4还是便宜多了。　　现在的4G单条DDR3内存价格普遍在200多元，两条组成8G一般也不会超过500元，能节省很多开支。平台选择方面可以考虑E3 1230、 i7 4770平台和Z77、Z97等，整体性能不会显著弱于现在的主流中端平台，1230处理器现在普遍在700-800元左右　　这样子加上1060等级的显卡，大约元左右的主机平台就出来了，1080P下畅玩吃鸡等主流游戏没有问题。　　当然，这样几年前的“老”平台对于想配新手机的玩家来说也是很不甘心的，这不最近支持DDR3内存的Intel B150/H110入门级主板已经重新投入量产，很快就会大规模上市，这样可以完美避开DDR4价格奇高的尴尬局面，同时也能顺便消耗一下老芯片组和老内存的库存，看来主板厂商们还是有一套的。
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