存储极客:为什么说VSAN与Dell SC5g渐行渐近近

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存储极客:为什么说VSAN与Dell SC渐行渐近?
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本文内容非商业用途可无需授权转载,请务必注明作者、微博ID:唐僧_huangliang,以便更好地与读者互动。在开始本文正式内容之前,先插播一段广告:)今天这篇不是闪存峰会的内容,不过还是有一点来自FMS的更新,那就是全部的会议资料都放出来了。打包下载(621MB):http://www.flashmemorysummit.com/English/Collaterals/Proceedings/2016/Proceedings_2016_all.zip上述链接有个小问题,就是无法选择自己想要的内容,而且依照往年习惯解压缩之后只有一个目录,通过文件名又无法完全判别内容。因此我把另一个原始分类下载页面也分享给大家。http://www.flashmemorysummit.com/English/Conference/Proceedings_Chrono.htmlFMS闪存峰会应该也卖了不少赞助,来自厂商的演讲很多,会议资料内容丰富。这些资料每年也是分批放出来,最后加上一个完整的zip包。因此,如果想第一时间逐个分类下载整理也是个体力活(除非是最后用迅雷那样的工具一次性下载)。http://pan.baidu.com/share/link?shareid=&uk=#path=%252Fflash%2520memory%2520summit值得一提的是,上面的网盘共享是按目录分类好的pdf资料,来自我的一位朋友刘志旺。当前包括会议前2天(8、9日)的内容,后续应该会补全。这位朋友目前在HGST做销售(如果还不认识的朋友可以找我要他的联系方式)。卖闪存组件看似产品单一,反而是销售人员对行业和技术的了解普遍较强,因为企业级SSD特别是PCIe产品的差异化不小。“销售工程师/顾问” 一词大概就是这么来的。可能由于HGST目前还在捆绑大容量充氦硬盘销售一款4U 60盘JBOD,刘兄现在对RAID卡方面的一些资料和信息比整天看技术的我都要了解更多,不学习就落后啊:)闲话不多说了,下面开始本文正题。最近业内有本很火的书《软件定义存储:原理、实践与生态》,其主要作者叶毓睿(Peter Ye)先生现任VMware存储架构师,曾任职于EMC、Compellent和戴尔公司,在书中撰写了包括VSAN在内的多个VMware相关章节,以及“内存虚拟化与SDS及Dell Fluid Cache”。从这个技术背景来看,我觉得书中或许可以做些进一步的分析?比如VSAN与Dell SC(Compellent)之间有没有共通之处?软件定义存储与传统阵列之间有哪些互相借鉴等。而恰好我之前对这方面有过一点思考,在此整理下自己的心得,希望能抛砖引玉吧。再谈SSD缓存 vs. 自动分层存储去年我们曾经撰写过《存储极客:自动分层存储 PK. SSD缓存》一文,算是个初步的讨论。前不久又看到有同行朋友在评价孰优孰劣,当然技术只是一方面,有时也会存在商业立场的因素。本文我想更多从设计取舍的角度来谈,每种技术都有其不足或者说代价,只看对具体的用户环境哪种更合适罢了。首先以VSAN为例,在它的SSD+HDD混合存储配置中,默认的读/写缓存比例为7:3。其中SSD写缓存也被称为日志,进入的数据除了被覆盖写入所合并的那些,最终都是要落到HDD层的。自动分层存储则会有个优先写入位置,比如像Dell SC为了保证写性能,会一直写入高性能Tire1分层的RAID 10区域,然后再生成Replay(快照)后台定期将数据转存为RAID 5/6或者移动到Tier2/3容量分层。这里还是先讨论SSD+HDD自动分层,Dell SC是个读写分离的设计,一旦数据“下沉”移动到Tier2/3,再有读操作访问就要依赖所在分层的磁盘性能。为了进一步实现冷热数据自动调度的智能,它还包含一个数据回迁的策略,也就是会长期统计页面(数据块)的活跃度。表面上看SSD缓存的机制相对简单,但也有不足之处——比如闪存容量不计入用户总存储空间,并且通常不能配置太大。自动分层存储在这些方面要好一些,而用户在实践中也有需要注意之处,特别是初次做配置应该听从专业人员的建议,这里也体现出存储顾问经验的重要性。而到了全闪存时代,有人说不再需要分层存储了,而我却看到自动分层的设计也可以因为All-Flash而变得更加简单高效。VSAN和Dell SC全闪存殊途同归?也许有读者朋友会问:一个是软件定义的分布式存储,一个仍属于传统双控阵列,它们之间有可比性吗?从前我也不这样认为,而在去年撰写的《vForum随笔:全闪存VSAN和Nimble CASL的创新》一文中,可以看出有些变化了。VSAN的第一个版本随同vSphere 5.5发布,从vSphere 6.0开始,新的VSAN正式支持全闪存配置。所有写入数据一律进入写性能/寿命相对较高的缓存层SSD,然后逐渐“下沉”至相对廉价的容量层SSD;由于两种SSD的读性能并没有明显的差距,因此不再需要专门设计读缓存,容量层的数据直接读就好了。讲到这里,如果是对Dell SC系列存储比较熟悉的朋友,估计也会有和我一样的感觉,是不是比较相似呢?上面这张图,冬瓜哥在《浅析固态介质在存储系统中的应用方式》一文中也曾引用,我在这里不做过多讲述,有兴趣的读者可以点击上述文章链接。Compellent数据分级的精髓在于和Replay(快照)技术紧密集成。当然Dell SC不只支持2个分层,在写密集型 + 读密集型SSD基础上还可以加入磁盘来存储更“冷”的数据。根据上图中的5种配置文件,在同一台SC阵列当中也可以混合使用不同的自动分层存储策略。比如第三种是比较常用的全闪存SLC+MLC(资料有点老了,现在的写密集型SSD不一定都用SLC);而像Oracle redo log这样的写密集型数据采用第二种配置(或者全硬盘RAID 10)不做数据调度显然更合适一些。至于VSAN呢,我觉得更多考虑的是简单易用,支持虚拟化环境中的大多数应用即可,因此目前全闪存还只能分层。不过也有同行朋友看了我当初写的这些之后,认为将来VSAN也可能支持“单一分层”的全闪存配置。类似的情况还出现在Peter在《软件定义存储:原理、实践与生态》一书185页所写:“全闪存配置中的持久化层是SSD,被频繁写的数据(也即热数据)仍然停留在缓存层,而那些较少访问的数据才会被刷进持久化层(也即提供容量的SSD)。”而就像我在《为什么说全闪存VMAX替代不了XtremIO?》一文中写的,Dell SC全闪存分层的建议是每天业务不繁忙时段执行一次数据迁移(时间和频率可调),将写密集型SSD分层中的数据尽量转移到读密集型SSD,从而保证第二天新的写入获得最好的性能。这里我们可以看到全闪存阵列与大多数Server SAN/超融合存储之间的设计理念有些不同。同样是数据在不同存储介质之间的“刷盘”动作,VSAN等的执行策略不算积极,这样在长时间持续写入压力后容易出现与后台调度任务的性能争用;而Dell SC则会尽可能避免这种情况,可以说各有侧重吧。重删/压缩时机:再次不谋而合随着时间的发展,在《全闪存专享:VSAN 6.2重复数据删除、纠删码浅析》一文中,我介绍过VSAN 6.2的“近线”重删和压缩设置在disk group这一级别,只在全闪存配置VSAN从缓存分层“下沉”数据到容量分层时执行,并在重复数据删除之后进行压缩。这一点,又让我想起了Dell SC存储的数据压缩和重删功能。与戴尔SC存储阵列相比,VSAN 6.2的数据缩减功能只是相当于图中右上方这一种全闪存分层配置作为一款“软件定义”的双控存储阵列。戴尔在SCOS存储软件——Storage Center 6.7版本中引入数据压缩:除了单层、RI(读密集型)/ WI(写密集型)SSD分层全闪存阵列之外,在全HDD阵列和混合阵列配置上也可以打开压缩功能,如上图。而到了前几个月推出的SCOS 7.0软件版本,重复数据删除也成为一个选项。即打开重删时一定有压缩,而压缩则可以单独开启。除了“智能重复数据删除之外”,SCOS 7的增强特性中还包括Live Migrate – Federation(可以理解为建立在Live Volume双活基础上的存储联邦)、QoS和VVoLs;另外Dell Storage Manager统一管理平台加入了SC(Compellent)和PS(EqualLogic)之间跨产品家族的双向存储复制,而不只是一次性迁移。VSAN 6.2中的数据缩减特性,和戴尔SC阵列的增强型压缩有些类似,都是通过与自动分层存储(Tier)/缓存分层(Cache)机制相结合,其重删/压缩动作成为定期执行的后台任务,从而有效避免了数据写入高性能分层时的性能影响。VSAN 6.2为什么只在全闪存配置上支持重删和压缩?除了闪存更需要提高利用率之外,我觉得这个问题从技术原理上不难回答:因为传统SSD+HDD的VSAN配置中闪存和硬盘的容量配比官方建议1:10,由于读写性能都比较依赖SSD,缓存中读/写缓存默认比例又是7:3,此时SSD写缓存只有大约卷容量的3%。一旦占满导致数据向后落硬盘时,如果加入重删/压缩很可能会影响到性能体验。相比之下,Dell SC存储的配置灵活性要大许多,不同分层的盘数、容量比例可以按需设计,而且Tier1也是优先保证写入数据的。正如我以前表达过的,这些是产品定位和设计理念上的不同,没有绝对的好坏之分。总之,传统集中式存储也罢,分布式的软件定义存储也罢,为了应对需求而采用类似的技术是很正常的。站在这个角度来就会发现它们之间存在一些有意思的联系。注:本文只代表作者个人观点,与任何组织机构无关,如有错误和不足之处欢迎在留言中批评指正。进一步交流技术,可以加我的QQ/微信:。如果您想在这个公众号上分享自己的技术干货,也欢迎联系我:)尊重知识,转载时请保留全文。感谢您的阅读和支持!《企业存储技术》微信公众号:huangliang_storage原文链接:http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzAwODExNjI3NA==&mid=&idx=1&sn=af11e9e4ee7f4c2abf34750#rd
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???“存储极客”栏目再次与大家见面啦!在这里,只有一位大咖名叫“存储”,它的粉丝我们称为“存储极客”!
这是一群存储偏执狂
为存储而生,跟存储死磕
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有观点,有碰撞,有干货
做客存储极客栏目
与你分享存储里的那点事儿
最近业内有本很火的书 《软件定义存储:原理、实践与生态》,其主要作者叶毓睿(Peter Ye)先生现任VMware存储架构师,曾任职于EMC、Compellent和戴尔公司,在书中撰写了包括VSAN在内的多个VMware相关章节,以及“内存虚拟化与SDS及Dell Fluid Cache”。
从这个技术背景来看,我觉得书中或许可以做些进一步的分析? 比如VSAN与Dell SC(Compellent)之间有没有共通之处?软件定义存储与传统阵列之间有哪些互相借鉴等。而恰好我之前对这方面有过一点思考,在此整理下自己的心得,希望能抛砖引玉吧。
再谈SSD缓存 vs. 自动分层存储
去年我们曾经撰写过《 》一文,算是个初步的讨论。前不久又看到有同行朋友在评价孰优孰劣,当然技术只是一方面,有时也会存在商业立场的因素。本文我想更多从设计取舍的角度来谈,每种技术都有其不足或者说代价,只看对具体的用户环境哪种更合适罢了。
首先以VSAN为例,在它的SSD+HDD混合存储配置中,默认的读/写缓存比例为7:3。其中SSD写缓存也被称为日志,进入的数据除了被覆盖写入所合并的那些,最终都是要落到HDD层的。
自动分层存储则会有个优先写入位置,比如像Dell SC为了保证写性能,会一直写入高性能Tire1分层的RAID 10区域,然后再生成Replay(快照)后台定期将数据转存为RAID 5/6或者移动到Tier2/3容量分层。
这里还是先讨论SSD+HDD自动分层,Dell SC是个读写分离的设计,一旦数据“下沉”移动到Tier2/3,再有读操作访问就要依赖所在分层的磁盘性能。为了进一步实现冷热数据自动调度的智能,它还包含一个数据回迁的策略,也就是会长期统计页面(数据块)的活跃度。
表面上看SSD缓存的机制相对简单,但也有不足之处——比如闪存容量不计入用户总存储空间,并且通常不能配置太大。自动分层存储在这些方面要好一些,而用户在实践中也有需要注意之处,特别是初次做配置应该 听从专业人员的建议,这里也体现出存储顾问经验的重要性。
而到了全闪存时代,有人说不再需要分层存储了,而我却看到自动分层的设计也可以因为All-Flash而变得更加简单高效。
VSAN和Dell SC全闪存殊途同归?
也许有读者朋友会问:一个是软件定义的分布式存储,一个仍属于传统双控阵列,它们之间有可比性吗?
从前我也不这样认为,而在去年撰写的《vForum随笔:全闪存VSAN和Nimble CASL的创新》一文中,可以看出有些变化了。
VSAN的第一个版本随同vSphere 5.5发布,从vSphere 6.0开始,新的VSAN正式支持全闪存配置。所有写入数据一律进入写性能/寿命相对较高的缓存层SSD,然后逐渐“下沉”至相对廉价的容量层SSD;由于 两种SSD的读性能并没有明显的差距,因此不再需要专门设计读缓存,容量层的数据直接读就好了。
讲到这里,如果是对Dell SC系列存储比较熟悉的朋友,估计也会有和我一样的感觉,是不是比较相似呢?
上面这张图,冬瓜哥在《 》一文中也曾引用,我在这里不做过多讲述,有兴趣的读者可以点击上述文章链接。
Compellent数据分级的精髓在于和Replay(快照)技术紧密集成。当然 Dell SC不只支持2个分层,在写密集型 + 读密集型SSD基础上还可以加入磁盘来存储更“冷”的数据。
根据上图中的5种配置文件, 在同一台SC阵列当中也可以混合使用不同的自动分层存储策略。比如第三种是比较常用的全闪存SLC+MLC(资料有点老了,现在的写密集型SSD不一定都用SLC);而像Oracle redo log这样的写密集型数据采用第二种配置(或者全硬盘RAID 10)不做数据调度显然更合适一些。
至于VSAN呢,我觉得更多考虑的是简单易用,支持虚拟化环境中的大多数应用即可,因此目前全闪存还只能分层。不过也有同行朋友看了我当初写的这些之后,认为将来VSAN也可能支持“单一分层”的全闪存配置。
类似的情况还出现在Peter在《软件定义存储:原理、实践与生态》一书185页所写: “全闪存配置中的持久化层是SSD,被频繁写的数据(也即热数据)仍然停留在缓存层,而那些较少访问的数据才会被刷进持久化层(也即提供容量的SSD)。”
而就像我在《为什么说全闪存VMAX替代不了XtremIO?》一文中写的,Dell SC全闪存分层的建议是每天业务不繁忙时段执行一次数据迁移(时间和频率可调),将写密集型SSD分层中的数据尽量转移到读密集型SSD,从而保证第二天新的写入获得最好的性能。
这里我们可以看到 全闪存阵列与大多数Server SAN/超融合存储之间的设计理念有些不同。同样是数据在不同存储介质之间的“刷盘”动作,VSAN等的执行策略不算积极,这样在长时间持续写入压力后容易出现与后台调度任务的性能争用;而Dell SC则会尽可能避免这种情况,可以说各有侧重吧。
重删/压缩时机:再次不谋而合
随着时间的发展,在《全闪存专享:VSAN 6.2重复数据删除、纠删码浅析》一文中,我介绍过VSAN 6.2的“近线”重删和压缩设置在disk group这一级别, 只在全闪存配置VSAN从缓存分层“下沉”数据到容量分层时执行,并在重复数据删除之后进行压缩。
这一点,又让我想起了Dell SC存储的数据压缩和重删功能。
与戴尔SC存储阵列相比,VSAN 6.2的数据缩减功能
只是相当于图中右上方这一种全闪存分层配置
作为一款“软件定义”的双控存储阵列。戴尔在SCOS存储软件——Storage Center 6.7版本中引入数据压缩:除了单层、RI(读密集型)/ WI(写密集型)SSD分层全闪存阵列之外,在全HDD阵列和混合阵列配置上也可以打开压缩功能,如上图。
而到了前几个月推出的 SCOS 7.0软件版本,重复数据删除也成为一个选项。即 打开重删时一定有压缩,而压缩则可以单独开启。
除了“智能重复数据删除之外”,SCOS 7的增强特性中还包括Live Migrate – Federation(可以理解为建立在Live Volume双活基础上的存储联邦)、QoS和VVoLs;另外Dell Storage Manager统一管理平台加入了SC(Compellent)和PS(EqualLogic)之间跨产品家族的双向存储复制,而不只是一次性迁移。
VSAN 6.2中的数据缩减特性,和戴尔SC阵列的增强型压缩有些类似,都是通过与自动分层存储(Tier)/缓存分层(Cache)机制相结合,其重删/压缩动作成为定期执行的后台任务,从而有效避免了数据写入高性能分层时的性能影响。
VSAN 6.2为什么只在全闪存配置上支持重删和压缩?除了闪存更需要提高利用率之外,我觉得这个问题从技术原理上不难回答:因为传统SSD+HDD的VSAN配置中闪存和硬盘的容量配比官方建议1:10,由于读写性能都比较依赖SSD,缓存中读/写缓存默认比例又是7:3,此时SSD写缓存只有大约卷容量的3%。一旦占满导致数据向后落硬盘时,如果加入重删/压缩很可能会影响到性能体验。
相比之下,Dell SC存储的配置灵活性要大许多,不同分层的盘数、容量比例可以按需设计,而且Tier1也是优先保证写入数据的。正如我以前表达过的,这些是 产品定位和设计理念上的不同,没有绝对的好坏之分。
总之,传统集中式存储也罢,分布式的软件定义存储也罢,为了应对需求而采用类似的技术是很正常的。站在这个角度来就会发现它们之间存在一些有意思的联系。
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并且通常不能配置太大。自动分层存储在这些方面要好一些,而用户在实践中也有需要注意之处,特别是初次做配置应该听从专业人员的建议,这里也体现出存储顾问经验的重要性。这里还是先讨论SSD+HDD自动分层,Dell SC是个读写分离的设计;3容量分层自动分层存储则会有个优先写入位置,但也有不足之处——比如闪存容量不计入用户总存储空间。为了进一步实现冷热数据自动调度的智能,它还包含一个数据回迁的策略,也就是会长期统计页面(数据块)的活跃度。表面上看SSD缓存的机制相对简单。而到了全闪存时代,有人说不再需要分层存储了;6或者移动到Tier2&#47,一旦数据“下沉”移动到Tier2/3,再有读操作访问就要依赖所在分层的磁盘性能,会一直写入高性能Tire1分层的RAID 10区域,比如像Dell SC为了保证写性能,然后再生成Replay(快照)后台定期将数据转存为RAID 5&#47,而我却看到自动分层的设计也可以因为All-Flash而变得更加简单高效
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