三星1xnm 3d v-nand 3bit闪存怎么样_百度知道
三星1xnm 3d v-nand 3bit闪存怎么样
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三星的第二代40nm 32层3D V-NAND采用了共线生产，简单点说就是为了省成本。设计初衷就是直接使用节省成本的TLC架构，然后再把原本的TLC模拟成MLC使用，使得颗粒十分近似于原生MLC（包括速度、耐久度等）。再用颗粒“混搭”的方式，让缩水了1/3容量的128Gbit颗粒组成新消费级旗舰卖。因此即将发布的850 EVO本质也就是颗粒容量全开且不需混搭颗粒的850 PRO，可能还会继续使用840 EVO的那套成熟的SLC Cache。同时还可以直接用目前850 PRO的PCB板和外壳，只用换张贴纸即可，可谓一举多得。
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为什么都说三星960 EVO是TLC颗粒？古怪收藏
三星官网规格参数分明是“NAND 闪存三星3D V-NAND 3bit MLC”
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因为三星重新定义3Bit MLC=TLC。至于3Bit MLC=2Bit MLC=MLC？三星表示风太大我听不清。
mlc直译是多层单元，是相对于slc的单层单元来说的，理论上包含tlc，所以三星就这么鸡贼，这样写从道理上也说得通，但3d tlc依然是tlc，天生有弱势
tlc依然是tlc三星就是这样认为的，妓女不等于***
3bit mlc﹦tlc，三星就喜欢文字游戏，实际上一般，君不见苹果6s那批CPU，台积电代工的16nm要比三星14nm更加优秀
come from lumia 830
很负责任告诉你当时很多人这样说是MLC实际上是当初发布的时候，官网翻车了他们搞错了。后来改了的，前不久我才入手了960 EVO，这货就是TLC的。不过也别担心，咱们普通人用TLC足够了。大厂的还是比较放心~
就是TLC而已，不如上600P，5年保
MLC本来就包含TLC， 3bit MLC=TLC
m是多层的意思，又没说是2。t是3的意思q是4的意思。
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SLC是Single-Level Cell，单层的缩写，MLC是Multi-Level Cell多层单元的缩写，而不是两层的缩写。MLC包括了所有的超过SLC的MLC。也就是我们平时写的MLC的全称应该是2bit MLC，TLC应该是Trinary-Level Cell，但是如果按照2bit MLC的规则延续写法，应该就是3BIT MLC。所以三星这样写肯定没错，而其实平时的2层用MLC才是错误用法。
登录百度帐号都说固态硬盘颗粒是mlc好，那怎么有那么多人买三星的tlc?如果价格差不多，买英特尔的mlc好还是_百度知道
都说固态硬盘颗粒是mlc好，那怎么有那么多人买三星的tlc?如果价格差不多，买英特尔的mlc好还是
都说固态硬盘颗粒是mlc好，那怎么有那么多人买三星的tlc?如果价格差不多，买英特尔的mlc好还是三星的tlc好？
消费者对技术层面不太了解，只看实际使用。2 目前只有三星能做的不差TLC，短期内看不是什么差别。3 对SSD影响主控也有一方面，三星整体宣传和占有率高。虽说如此、但是个人一直不喜欢三星的SSD 价格偏高，徒有虚名、我一般都是选择二线MLC颗粒的品牌。自价格差不多的情况下，建议购买使用MLC的品牌
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samsung这个3d颗粒为什么贵？转收藏
转自14年7月4日的旧闻，感觉自己认识提高了。大家批判的看，评测的850pro。后来大神解读颗粒编号证实3d颗粒是原生tlc线生产，可以屏蔽使用mlc模式。这样3d tlc其实和3d mlc其实一样工艺和寿命或者说擦写次数，除非固件可以轮换屏蔽的1字节单元，那样3d mlc才能比3d tlc寿命长，达到1.5倍。这些都不用考虑。其实3d颗粒是老工艺制程保持寿命pe，靠堆叠32层提高颗粒密度。关于擦写次数还是靠ctf单元实现的，这个是关键。应该是决定区别于别的牌子颗粒寿命的地方，成本也是目前贵的原因吧。下面关于3d 颗粒的旧闻如下图
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这是原文地址，关于850pro的报道
之前有日本人的评测850pro 128g 寿命跑了2150T后才死，算一下pe 超过17200次
我记得前几天看文章说绝缘层这种的要求工作电压比较高，但是具体有什么影响忘了·，不知道是不是功耗了·······不知道三星怎么解决的
游客很给力这几个图意思是说，高读写带来氧化层压力，导致电子丢失大概这样。100埃厚的氧化层需要高电压，但是高电压加速电子丢失。通过降低氧化层厚度70埃，可以降低电压降低电子丢失，提高寿命和效率云云英文粗略看了下，没查词典将就理解后面更正一下开始ctf是韩国人发明的有专利权，但是我猜应该不是只有他家会生产，他家又创造了3d ctf就是圆柱形的那个，居然搜ctf ,charge trap flash。搜到科技文献和专利书上了
那三丧到底好不好，我的850evo
第三代3D V-NAND采用48层堆栈技术打造，属于3bit MLC产品，单核心容量可达256Gb即32GB。上一代的单核心128Gb容量的产品850EVO是第二代32层堆栈。另外海力士已经推出单颗粒256GB的mlc NAND
嗯，三星大法好
其实三星还是缺良心，3bit mlc就是缺良心叫法，这个3d颗粒的固态包含韩国人的所有特质，最新技术不用太多测试直接应用。而intel，镁光其实研发不落后，只是技术验证周期比较长。而且三星固态3d颗粒一致性很差，高温下还有永久性掉速问题。我在关注intel，镁光的颗粒感觉比三星靠谱多了。最后再加一句：三星3d颗粒合格率比较低。
其实三星还是缺良心，3bit mlc就是缺良心叫法，这个3d颗粒的固态包含韩国人的所有特质，最新技术不用太多测试直接应用。而intel，镁光其实研发不落后，只是技术验证周期比较长。而且三星固态3d颗粒一致性很差，高温下还有永久性掉速问题。我在关注intel，镁光的颗粒感觉比三星靠谱多了。最后再加一句：三星3d颗粒合格率比较低。
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其实三星还是缺良心，3bit mlc就是缺良心叫法，这个3d颗粒的固态包含韩国人的所有特质，最新技术不用太多测试直接应用。而intel，镁光其实研发不落后，只是技术验证周期比较长。而且三星固态3d颗粒一致性很差，高温下还有永久性掉速问题。我在关注intel，镁光的颗粒感觉比三星靠谱多了。最后再加一句：三星3d颗粒合格率比较低。
不断电测写入？
我其实因为15年12月京东买了新电脑才关注固态。发现15年的旧闻还是不知道。
不是不好，就是太贵~
东芝和闪迪开发了48层3d mlc 2015年3月
研究这么深，研究出什么花花来没有？中国芯片工业进步了？
850pro到底是mlc还是tlc
登录百度帐号SLC，MLC和TLC三者的区别_百度知道
SLC，MLC和TLC三者的区别
SLC、MLC和TLC X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。 2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(Toshiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命
MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
目前，安德旺科技生产的指纹U盘产品中采用的闪存芯片都是三星MLC中的原装A级芯片。读写速度：采用H2testw v1.4测试，三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。需要说明的闪存的寿命指的是写入(擦写)的次数，不是读出的次数，因为读取对芯片的寿命影响不大。面是SLC、MLC、TLC三代闪存的寿命差异
SLC 利用正、负两种电荷
一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。
MLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储2个bit的信息，约一万次擦写寿命，SLC-MLC【容量大了一倍，寿命缩短为1/10】。
TLC 利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，约500-1000次擦写寿命，MLC-TLC【容量大了1/2倍，寿命缩短为1/20】。
闪存产品寿命越来越短，现在市场上已经有TLC闪存做的产品了鉴于SLC和MLC或TLC闪存寿命差异太大强烈要求数码产品的生产商在其使用闪存的产品上标明是SLC和MLC或TLC闪存产品许多人对闪存的SLC和MLC区分不清。就拿目前热销的MP3随身听来说，是买SLC还是MLC闪存芯片的呢？在这里先告诉大家，如果你对容量要求不高，但是对机器质量、数据的安全性、机器寿命等方面要求较高，那么SLC闪存芯片的首选。但是大容量的SLC闪存芯片成本要比MLC闪存芯片高很多，所以目前2G以上的大容量，低价格的MP3多是采用MLC闪存芯片。大容量、低价格的MLC闪存自然是受大家的青睐，但是其固有的缺点，也不得不让我们考虑一番。
什么是SLC？SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。　　SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。
什么是MLC？MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。　　英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个FloatingGate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。
与SLC比较MLC的优势：签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。与SLC比较MLC的缺点：MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。　
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