内存条为什么涨价涨这么多了？
6月份的时候配的台式机内存是8个G的，今天想着趁双十一降价升级一下内存万万没想到，仅仅几个月同一型号的内存条价格几乎翻了一倍我比较好奇的是这玩意不应该越做越便宜吗？怎么价格还翻倍了呢？
汇率问题，一条涨一百
8g 2133好像都300以上了
引用2楼 @ 发表的:8g 2133好像都300以上了对呀，369元
今年4月买了金士顿4G的，200块钱
内存条现在真的是疯涨！8月末买了一根想双十一再买根组双通道，现在这价格完全没了买的欲望
引用4楼 @ 发表的:今年4月买了金士顿4G的，200块钱我去年这时候买的140涨这么多啊
只恨6月没剁手啊。我听说是三星内存颗粒厂爆炸导致内存颗粒价格上涨。
有没有大神说说为什么，我后悔之前没买多一条了
引用6楼 @ 发表的:我去年这时候买的140涨这么多啊我今年6月的时候买的4g99块。
引用9楼 @ 发表的:我今年6月的时候买的4g99块。无所谓早买早享受
引用6楼 @ 发表的:我去年这时候买的140涨这么多啊特地去购物记录看了下，这几个月又涨了40多块钱了
感觉不可思议~~原本500拿下两个8G，现在一条都350了~~
我1月买的8g 250
引用12楼 @ 发表的:感觉不可思议~~原本500拿下两个8G，现在一条都350了~~是啊，后悔当时直接没有直接上16G的
厂家囤货。故意的。
发自手机虎扑 m.hupu.com
引用14楼 @ 发表的:是啊，后悔当时直接没有直接上16G的问下楼主，铭瑄的GTX1060 巨无霸6G可靠吗？还是选耕升，这两个都在1700左右，差几十块，双十一想组个电脑。
引用16楼 @ 发表的:问下楼主，铭瑄的GTX1060 巨无霸6G可靠吗？还是选耕升，这两个都在1700左右，差几十块，双十一想组个电脑。这东西我不懂啊
我的就是自己在网上搜的配置
回来组装的
也有可能是囤货，还记得那年被台风搞垮的无良商家吗，拼命囤货，内存卡硬盘价格疯长，然后被台风一吹全废了。
NOTE7爆炸引起
引用17楼 @ 发表的:这东西我不懂啊
我的就是自己在网上搜的配置
回来组装的回复错了～我手残了！
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68人参加团购439.00元&699.00元
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66人参加团购188.00元&569.00元
1086人参加团购298.00元&1199.00元内存狂涨！85元竟买到4G内存：实测后惊呆
08:07:59 Loading 编辑：雪花
近半年来，内存的价格一路疯涨，一根普通的8G DDR4内存已经从200元左右涨到目前的400+，DDR3内存的价格也跟着水涨船高，将近翻了一番，到底是颗粒供不应求还是厂商的市场策略，这些我们就不得而知了。
据说内存还会持续涨价，不管你信不信，在笔者身边的一些朋友已经屯下不少的内存条，等着涨价之后发一笔横财&&更夸张的是有人已经屯了25万的内存条了，不要紧张不是25万根内存条，是25万人民币的内存条。看到这里想必你也能大概了解目前电脑内存有多金贵了吧？但是有这么一种内存条价格却远低于正常市售价格，这就是本文的主题&&AMD专用内存。虽然这种内存较比之前价格也有上涨，但浮动完全和正常市售内存不是一个量级。
在上期的硬件衙门中，有朋友爆料说淘宝有85元包邮的4G DDR3 1333内存，在4G DDR3 1333内存售价接近200元的今天，85元的内存一定非常具有吸引力，并且店铺的销量非常好，淘宝显示已经有3900人付款。
对于懂行的玩家来说，一眼就可以看出，85元包邮的价格一定有猫腻，眼尖的用户从淘宝的购买页面就可以看出猫腻，今天笔者就一起带玩家来看看这个85元包邮的4G内存条是什么鬼？
只支持AMD平台是什么鬼？
由于DRAM大厂全球垄断，目前仅剩下韩系三星、海力士，美系美光、尔必达（属于美光），台系南亚、力晶等少数几家能够供货。其中三星主要用于自己产品消耗，随着三星手机销量下滑，现少量返回现货市场，海力士主要供给苹果和各大OEM厂商，美光面向服务器市场，台系各厂主要产能被各大品牌内存包揽。
正因为货源的紧缺，一些不法商家开始想尽办法通过各种途径取代内存原材料，今天重点讲的AMD内存就是最具代表的产品。
AMD专用内存条大多冒充一线大品牌，可定义为假货。另有少部分的AMD专用内存条高仿品牌内存，拥有自主品牌，属于山寨内存，由于这些山寨内存的知名度低，买者寥寥，最后大多走回假内存的路线。无论是冒充一线大品牌，还是山寨的AMD专用内存条，它们仅仅只有内存芯片是正品，所以今天说的这款内存就是属于后者。
为何是有AMD平台才能使用？
AMD专用内存采用的服务器内存条颗粒是4bit标准，而4bit标准的内存颗粒在国际标准规范中所定义的使用范围是服务器PC，Intel产品是依照国际标准的规范去设计，所以Intel的主机内存只能辨认8bit*1bank、8bit*2bank、16bit*1bank；如果插上的是以4bit颗粒规格所制作的内存条，是不识别的。
那为什么民用的AMD主板可以兼容的呢？那是因为AMD把服务器的技术下放到PC端，故AMD主板对内存接受的范围较广，4bit * ( 1bank &2bank )、8bit * ( 1bank & 2bank )、16bit * ( 1bank & 2bank )都没问题。
从技术层面上讲，普通合格内存用的是8bit颗粒，一面8个颗粒（芯片），合计64bit，称为1rank；双面的128bit，称为2rank。而AMD专用条采用4bit颗粒，单面只有32bit，双面只有64bit，比正常的内存位宽少一半。
这种内存在英特尔的内存规范中不给认可，所以不能识别，或者只能识别到一半容量；但经过造假者在内存EP-ROM（相当于主板的BIOS）里进行伪造和仿冒，能欺骗过AMD的内存控制器，是AMD误以为是正常128位内存，能识别到容量，貌似也能正常工作，实际工作效率会降低一倍，也极容易出现内存位址溢出，造成死机蓝屏现象。
进行对比测试，结果惊人
&是骡子是马&还得拉出来遛一遛，光是看这些参数对于普通玩家来讲的确没有任何意义，接下来笔者对这款内存进行一下测试，看看其表现究竟如何。在平台组件完成后，一次点亮，并且可以进入系统。
为了方便进行比较本次笔者还选择了一款芝奇的4G DDR3 1600内存进行比较，由于条件所限，笔者在整个DIY部门仅仅找到这么一根DDR3 4G内存，仅供玩家进行对比参考。首先我们来使用CPU-Z看一下款内存的基本信息。
通过上面的的内存信息我们可看到，两根内存的实时频率分别为1333MHz和1600MHz，但是在时序的表现上，宏想内存为9-9-9-24-29而芝奇的内存为11-11-11-28-32在这里由于内存的品质差异，时序的表现也有差别。
下面我们用AIDA64对平台的内存性能进行测试，AIDA64内存带宽测试项目主要包括内存的读取、写入、拷贝和延迟参数，并提供全方位的硬件信息的检测功能，方便用户知晓平台硬件配置的准确信息。
在AIDA64测试环节，宏想4G ddr3-1333的读取、写入、复制速度为分别为8880MB/s、7932MB/s、7907MB/s，延迟为102.9ns，芝奇4G ddr3-1600读取、写入、复制速度为分别为9693MB/s、8150MB/s、8261MB/s，延迟为109.6ns。宏想内存的表现还是同普通的内存的性能表现落后许多。
Super Pi以及解压缩能力测试
Super &是一款计算圆周率的软件，但它更适合用来测试CPU的稳定性。即使你的系统运行一天的 Word、Photoshop 都没有问题，而运行Super PI 也不一定能通过。可以说，Super &可以作为判断CPU 稳定性的依据。使用方法：选择你要计算的位数，（一般采用104万位）点击开始就可以了。视系统性能不同，运算时间也不相同。
众所周知，内存的快慢可以影响整机的工作效率，所以我们选择这款软件来测试内存的性能以及稳定性。这次的结果更加出乎笔者的意料，宏想内存4G ddr3-1333计算结果为20.425秒，而某知名品牌4G ddr3-1333内存的成绩则为19.454秒。
日常使用中肯定逃不开压缩和解压缩文件的操作，这款WinRAR就是我们经常会用到的一款老牌压缩软件，它是一款支持多线程压缩的软件。那么接下来让我们看一看这两款内存在解压缩能力上表现如何。
在压缩和解压缩能力的测试中，两款内存的性能表现相差不多，2743KB/S和2996KB/S的跑分差距明显。
《英雄联盟》游戏实测
接下来我们就来看看网络游戏的表现吧，由于网络游戏不可控因素更多，网速、团战、不同技能均会影响FPS，所以我们只选取一名固定的角色和一条固定的路线进行测试。测试的游戏是时下非常热门《英雄联盟》。
《英雄联盟》(简称LOL)是由美国拳头游戏(Riot Games)开发、中国大陆地区腾讯游戏代理运营的英雄对战MOBA竞技网游。游戏里拥有数百个个性英雄，并拥有排位系统、天赋系统、符文系统等特色养成系统。
在游戏测试的环节中我们没有使用独立显卡，使用的是APU自带的核心显卡，所以采用了中等特效，在这一环节中，知名内存的游戏帧数领先宏想内存26%，领先非常明显，并且宏想内存在进行游戏的时候不论是进入游戏界面还是读取游戏的过程中，表现都不如某知名品牌。
85元包邮的内存究竟如何？
经过以上的一系列测试相信很多玩家也已经心中有数，但是由于时间所限，未进行长期性能测试，不过通过数据来看，这款内存性能在各方面都和普通的内存有差距。
内存对于整机的性能影响还是非常明显的，并且大容量对于玩家的游戏体验确实有明显的提升，但对于一般的普通玩家来讲，还是建议选择正规的内存。从技术层面上讲，普通合格内存用的是8bit颗粒，一面8个颗粒（芯片），合计64bit，称为1rank；双面的128bit，称为2rank。而AMD专用条采用4bit颗粒，单面只有32bit，双面只有64bit，比正常的内存位宽少一半。
这种内存在英特尔的内存规范中不给认可，所以不能识别，或者只能识别到一半容量；但经过造假者在内存EP-ROM（相当于主板的BIOS）里进行伪造和仿冒，能欺骗过AMD的内存控制器，是AMD误以为是正常128bit内存，能识别容量，貌似也能正常工作，容易出现内存位址溢出，造成死机蓝屏现象。
部分AMD专用条由小作坊从淘汰的服务器内存将芯片拆下来，重新焊在内存PCB板。由于内存位数的原因，这些内存都是一条内存上有4个bank，AMD的内存控制器是集成在CPU中，可以认到内存上的4个bank，而Intel的主板只能认到每条内存的2个bank，所以有时候只认一半容量，有时候就无法启动。
所以这次笔者的运气还是非常好的，在测试中没有遇到十分明显的问题，例如死机、蓝屏现象。但说实话，这85元的价格着实吓人，这对于很多不明白内存的玩家来说非常具有吸引力，当然如果你只是为了更新老平台，不想多花一分钱，可以冒险尝试，但是如果打算长期进行使用，还是建议玩家不要尝试这一类&AMD专用内存&。为什么内存条涨价老厉害了？原因在这里！
内存的核心是半导体晶体芯片，又称晶圆片，其生产包括芯片制造与颗粒焊接封装两大部分，其中光刻技术占芯片制造成本的30%，对芯片集成度的提高起了决定性的作用。
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　　出品| 网易新闻　　作者| 大地、常松，清华大学材料科学与工程学院　　在刚刚过去不久的双十一大战中，“剁手”的不止广大女性同胞，不少男同胞也是摩拳擦掌，对着屏幕不停挑挑比比。只不过，他们买买买的方向略有不同，内存条便是十分青睐的一类宝贝。然而，坏消息是，最近几个月以来，国内内存条的价格一直在涨涨涨，甚至有调查称最高涨幅达到三、四倍。　　&某品牌8G ddr4内存条价格走势，双十一期间迎来一波儿高峰　　是什么因素让内存条价格涨幅如此剧烈？内存条之于智能设备的性能为何如此重要？内存条被认为是中国造不好的生活必需品之一，现实情况真的如此么？我们先从最基础的原理开始讲起。　　（一）所有计算机都依赖的结构：存储　　上至大型机，下至pc与手机，其基本结构都是相同的：基于冯·诺依曼结构的运算、控制、存储、输入与输出五大部分。计算机的cpu、手机的soc起运算与控制的作用，相应的存储器用于记忆程序与数据。工作时，cpu从存储器里调用程序与数据，并将处理后的结果输出至输出设备。　　要想讲清楚所有存储设备的原理需要很多工夫。　　首先介绍几个规律：基于存储器的结构，数据容量越小的存储器越容易实现更为高速高频的读写调用过程；CPU是一台计算机中运算速度最快的没有之一；为了保证巨量多重的计算过程的高效率，计算机工程师会依据数据被cpu调用的频率高低分层级进行存储。由此，我们可以简单将存储器件简要分类并做简要分析：　　&主要存储器的容量与读写时间对比　　主存储器（main memory），即我们常说的（运行）内存，原理上属于动态随机存储器（Dram dynamic random access memory）。其调用来自闪存/磁盘的程序数据，供cpu读取与计算。若没有主存储器的结构，cpu直接读取闪存/磁盘中的数据的话，会极大地限制计算的速度与效率。主存储器是一种易挥发的存储设备，其断电后所储存的数据就会丢失。　　本地存储器（Local Storage），即我们常说的机身内存，原理上属于非易失型存储器。主要分为闪存和磁盘两类。快闪存储器（flash memory），即闪存，日常的U盘、手机SD扩展卡、内置存储卡、数码相机存储卡，还包括现在流行的固态硬盘都使用这种存储器。作为不易挥发的可以永久保存数据的存储器，闪存拥有比磁盘存储器更快的读写速度。　　磁盘存储器（magnetic-disk storage），即磁盘。作为民用pc的主流存储设备，磁盘拥有大容量、低成本的优势，是长期存储的主要介质。为了能够访问数据，系统必须将数据从磁盘移到内存。　　光盘、磁带等存储器，作为上一代个人电脑的主要存储器，目前已逐渐被闪存和磁盘取代。　　寄存器、缓存器的思路基本等同于内存—硬盘的设计思路，都是基于将cpu调用频率更高的数据单独存储起来，一级一级访问速度递增，从而提高计算机整体的运算速度。　　&各级存储器的调用逻辑与特点　　了解了这个，便可以区分所谓的运行内存和机身内存的区别。通俗点儿说，运行内存决定了你的设备的单任务处理速度以及多任务处理能力，也即是“快”的标准，而机身内存决定了你的设备能够存放多少量级的数据，也即是“大”的标准。　　当然，真实情况远比这个解释要复杂得多，并非运行内存大的设备就一定流畅：处理器、内存的读写速度、系统/软件的优化，都会影响设备的使用体验。　　（二）作为智能设备的核心，内存究竟是什么？　　数据最基础的存储就是“0”和“1”，而所有存储器的物质结构基础，就是构造各种器件，来实现“0”和“1”。　　内存的最原始单元比较好理解，本质上是利用半导体晶体管（NMOS）充当的“开关”作用。通过行选地址（Row Select）打开开关，列选地址（Column Select）便可以使电容器带电。电容器由不带电到带电的过程，就是这一个bit由“0”写入“1”的过程。同样通过行地址的作用，列地址可以感受电容的放电变化，这就是读取这一数据的过程。写入与擦除过程可以从下图看出来：其中黄色的颗粒是电荷，暂时储存黄色颗粒的圆筒形结构是电容。而其间的开关便是晶体管。　　&Dram基础存储单元　　&写入与擦除过程　　当然这只是一个bit的数据结构，要想达到GB的存储量级，还需要集成千万级别的晶体管数量。为了读出这些数据，需要大量的外围电路结构。而如何设计外围电路结构也成为了内存制造乃至所有芯片制造业的一大难点。下图为16bit位宽的存储单元，是如今主流内存的标准规格之一（还有8bit，32bit）。存储单元是内存与cpu交互的最小单元，换句话说，每一次cpu调用内存数据的量都是整数倍个位宽。　　&Dram 存储单元4X4内部结构,位宽16bit　　Dram内部的存储单元都是以阵列形式排列的，行列地址总线分别根据经过行列地址译码器译码后分别指向一行和一列，行列重叠的单元就是我们所寻找的存储单元，这就是内存芯片寻址的基本原理。但是一个全容量的阵列结构会降低寻址效率，而且引起寻址冲突。因此计算机工程师们设计了分割形式的多Bank结构Dram——基于每个Bank结构的行列位置进行选址。内存在接到cpu的调用指令后，首先启用bank控制逻辑模块，找到所需的数据保存在哪个bank中，再通过行列地址找到对应的存储单元。　　& 内存颗粒结构/编码寻址示意（4 bank，行列位数=4）　　由此也可以引入行地址和列地址的概念。如何从千万上亿的晶体管中找到所需要的那个存储元件？我们通过编码译码的方式简化表示行列的位数，使20位数的行列地址就能指示100万量级的存储元件（2^20=1048579）。那么，整个内存条的容量也就可以计算了：行数&列数&位宽（bit）&bank数目&内存颗粒数。所有行数&所有列数表示了单个bank内的存储元件个数；位宽表示了单个存储元件所存储的数据量级；bank数目表示了单个内存颗粒内分割而成的bank的数目；内存颗粒数表示了整个内存条是由多少个颗粒集成的。　　当然了，以上的模式都是基于Sdram的原理，对于如今的主流内存形式DDR/DDR1/DDR2/DDR3乃至DDR4，由于其涉及的双沿传输和预存取（Prefetch）原理，使内存条的数据传输速度提高了数倍，而且是在其核心的计算速度没有提高的情况下实现的。　　&DDR各工作频率对比　　在不提高核心频率的基础上提高数据传输速率，这其实像一个接口流量问题：就像出口开得越小流速越大一样，工程师通过提高内存内部总线宽度（指总线每周期内可以传输的数据的极限值，通过并行转串行的多通道技术实现），在核心频率不变、输出总线宽度不变的情况下提高传输速度，提高在输出总线上的时间周期和带宽，从而实现数据传输效率的提升。而所谓的双沿传输，则是指通过差分时钟技术，一并利用时钟频率的上升沿和下降沿来传递信息，实现一个时间周期两倍的数据传输量。　　&DDR3 x8 configuration(8-bit prefetch)模式图　　&DDR1/2/3 模式图　　以下是某厂商的DDR3内存颗粒原理图解，可以清晰地看出8组bank、8组内总线（DQ[7:0]）。而其列地址有三组用于配置运行中的突发长度模块。特别的，在DDR内存中，由于将并行的总线转换为串行，单个存储元件的位宽经过多通道技术的“富集”相当于倍增了。于是在DDR/DDR2/DDR3中，内存芯片的位宽（一次可以传输的数据量）分别扩大至2/4/8倍——对应的是预存取位数的2bit/4bit/8bit。　　&DDR3 内存颗粒模式图　　（三）我们常说的内存，是如何生产的？　　所有半导体芯片，其实本质上都是高集成度的电路罢了，而其单个元件也是主要由p-n结半导体构成的。　　就微电子生产工艺上讲，图形转移是加工的重要基础——如何把器件和电路的设计图纸或工作站转移到硅基片上去？这实际上是一个在衬底上建立三维图形的过程，而这也就成为了晶圆片代工厂所必须要掌握的工艺。　　掺杂、制膜、图形转移成为了微电子生产的主要工艺。而图形转移过程主要由光刻和蚀刻承担。光刻，又称为图形曝光，使用带有某一层设计几何形状的掩模版（mask），通过光化学反应，经过曝光与显影，使光敏的光刻胶在衬底上形成三位浮雕图形，将图案转移到覆盖在半导体晶面上的感光薄膜层上；而蚀刻是指在光刻胶的掩蔽下，根据需要形成的微图形的膜层，采用不同的蚀刻物质和方法在膜层上进行选择性蚀刻的工艺。相较于后者，光刻技术的发展对电路集成度的提高起了决定性的作用——光刻占用芯片制造的30%成本，是微电子制造过程中最复杂、昂贵、关键的工艺。　　关于生产内存条的工艺流程，可以概括为内存芯片制造与颗粒焊接封装两大部分。内存颗粒的制造与绝大多数芯片制造过程类似。　　首先是将原料沙子（二氧化硅）熔炼提纯为纯硅制成硅单晶锭，并切片，制成晶圆基片。这一项工艺一般不由晶圆代工厂完成而是由相应的晶圆制造商完成。　　&图：石英砂的熔炼与铸造　　&图：切片制成晶圆　　然后，便是掺杂工艺（离子注入），通过固态扩散机制，将衬底材料暴漏在相反型态的杂质中，使原有的本征半导体晶格杂化，遂形成p-n结结构。同样的，在硅晶圆片不同的位置加入不同的杂质, 不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管。　　接下来就是光刻蚀刻电路的工艺了。首先需要在基片表面涂抹光刻胶，用于光刻过程中的光化学反应。一般来说光刻采用紫外光段，除了使用蒙版外还需要借助透镜的光路性质。光刻胶在接受紫外光照射后变得可溶，可以在随后的清洗过程中洗掉。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。　　&图：涂抹光刻胶　　&图：光刻处理　　这个过程是内存颗粒生产过程中最重要的，期间光刻、蚀刻过程会经过多次反复的处理，还要穿插使用等离子冲洗、热处理、气相沉积等工艺，最终使每一个微存储晶体管成型。　　之后是所谓的金属层电镀、生长的工艺。无数的晶体管需要导线相互连起来才能起作用，而在芯片中，仿佛高速公路的多层金属结构起到了这样的作用。　　&图：金属生长　　最后，便是切片（晶圆切割成片，每一片作为一个内存颗粒）、封装、测试流程。这样，一枚良品内存颗粒便生产出来了。　　如何由内存颗粒制成可以直接插在主板上的内存条呢？相较于内存颗粒的生产，内存条的装配所显出的工艺更传统：主要通过表面贴装设备将内存颗粒与内存电路板及其相应的控制模块进行贴合组装，辅以回流焊等工艺。装配好了之后便可以进行最终产品测试。最终封装出货投放市场。　　&图：从内存颗粒到内存条　　（四）这么高精尖的晶圆片，中国能造吗？　　内存的性价比要回归，只能靠国产，而如今，中国正在各个半导体领域切入自己的力量，破除国外垄断，包括CPU微处理器、NAND闪存、OLED屏幕面板等等，DRAM内存也是时候了。　　目前国际上生产内存条的原材料晶圆片量产的最高水平为10纳米，中国企业正在进行18-20纳米晶圆片的研究，虽然与国外尚存在差距，但在政策、资金等支持下，技术的突破也是指日可待的。只要中国具备了18-20纳米的生产能力，相信国产内存条会很快崛起，内存条回归性价比指日可待。　　作为世界上认知度最高的标签，中国制造（Made in China）正寻求战略升级。「了不起的中国制造」专栏，力邀行业权威、资深玩家，呈现他们眼中的中国创新之路。　　投稿请联系newsresearch_，稿件一经刊用，将提供千字800元的稿酬。　　--------------------　　编辑| 史文慧
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网易通行证/邮箱用户可以直接登录：2017年内存/SSD价格暴涨！今年可能都不会降价？
　　【PConline 杂谈】新年伊始，在所有的DIY硬件中，内存就率先放&大招&，开启了疯狂的涨价模式，涨幅超过市场预期。同时，SSD固态硬盘的价格也跟风上扬，让存储市场成为近期DIY领域关注的焦点。　　在过去的2016年，整个DRAM、闪存产业被涨价、缺货等问题笼罩，造成这些问题的根源是什么？在2017年SSD/内存市场又将会迎来什么样的变化？涨价、缺货还会延续到什么时候？今天我们就来聊聊存储涨价那些事。内存涨价：每一年一次的&大姨妈&？　　内存涨价，其实并不是什么新鲜事，因为这几年时间，内存市场好像在玩捉迷藏，涨跌规律不定。可以&白菜价&到让人怀疑会不会买到假内存？可以高价到让人觉得这是不是内存厂商恶意抄高价格，像炒房一样。　　如果认真去翻翻这几年内存市场行情，你会发现一条波浪线循环着：2012年前后大白菜价、2013年大涨价、2014年有所回落、2015年降到低谷、2016年持续上扬，2017年&&。2017年，仅仅用了不到1个月时间，内存整体价格就上涨幅度超18%，涨价之凶猛多年未见了。（1）DDR4内存价格以京东上销量前茅的HyperX Fury DDR4-2400 8G单条为例，我们为看看近半年，它的价格走势图（从2016年8月开始）。　　京东平台上，目前HyperX Fury DDR-2400 8G单条的销量为第一。从近半年价格走势图来看，在去年8月份，价格仅为289元。那时大家已觉得贵了，期待一年一度双11大促，然而11.11当天，报价高达339元，之后一直猛涨至如今479元，涨幅度超过65%。　　双通道8Gx2 DDR4-2400 内存价格同样跟风上涨，从最初的500多元，涨到如今799元 ，让想升级大容量内存的用户增加购机的成本。　　而追求高频率的用户更心疼了，像影驰名人堂DDR4-3600 高频内存套装已经从最低价时999元，涨至如今1199元，涨了200元。　　目前不同容量、不同频率、不同品牌、不同型号的DDR4内存无一不在涨价，且涨幅创下近年来新高，关键是这种趋势将持续下去，没有任何的市场讯号显示，内存价格近期有回落的余地。（2）DDR3内存的价格　　目前DDR4内存是市场的主力，DDR3内存逐渐退出，但是由于Intel挤牙膏式升级，用户换新平台缺乏动力，升级老旧平台是明智之选，所以对DDR3内存价格的关注不亚于DDR4内存。　　以京东销量不错的经典威刚普条万紫千红 DDR3 1600 8G单条来说，从当初的238元，涨至如今的359元，涨幅超过50%。记得，笔者在2012年以169元入手这条内存，用到了2017年，买二手还能赚个翻倍的价钱，论保值率，内存不输给黄金啊。SSD涨价：一涨回到解放前　　近年来，相对于内存价格的阴晴不定，SSD固态硬盘的价格总体上走低。过去SSD由于高昂的售价只属于少数派，但是TLC闪存的普及拉低SSD的成本，使得SSD的价格越来越便宜。在2015年至2016年上半年，120G/240G SSD价格一度降至299元/399元，512G SSD也有不少低至599、699元。很多预言家断定，随着SSD价格的不断走低，将全面取代HDD。　　不过，普及遭遇阻力，在2016年下半年开始，SSD的价格全面上调，一路上涨，涨幅超过市场预期，让很多还在观望的用户感叹不如早早入手。　　从金士顿UV400 120G的价格走势图来看，2016年8月价格低至296元，如今涨至369元，涨了73元，涨幅24%。　　240G/256G容量也不例外，以三星750 EVO 250G为例，近半年来价格涨得有点离谱，从最低价的439元，已经飚至619元，涨了180元，涨幅41%。　　不同容量，不同型号，不同品牌、不同接口的SSD固态硬盘都在跟风上涨，这一波行情继续上涨的信号强烈，短期也没有回落的迹象。什么原因导致内存价格大幅度上涨？上游DRAM内存颗粒价疯涨　　内存行业观察者DRAMeXchange集邦科技最新统计结果显示，DRAM协议价已经突破了最近18个月的新高点。进入2017年仅过了一个月，4Gb DDR4内存颗粒的协议价已经从2.837美元上升到3.347美元，涨幅达到了18%！而这仅仅是上游厂商的颗粒原料价，中间的内存控制器、PCB板以及组装成本都在逐渐上涨，可想而知到一条内存成品诞生，其零售价的涨幅会非常的大。DRAM颗粒严重缺货&　　涨价，总是离不开市场的供需关系。显然，内存这次涨价，这是主因，DRAM颗粒为什么会缺货呢？　　由于内存市场不景气，更新换代迟缓，市场需求不旺盛，目前主要DRAM内存大厂都没有增产计划，而且将主要产能转移生产3D NAND闪存，造成DRAM内存供需短缺。更新换代 致产能不足　　DDR3内存自从2007年服役以来，至今已经走过了8个年头。相比Intel的更新换代步伐来说，内存发展可谓相当缓慢。DDR4在2015年小规模面世，真正大规模铺向市场是2016年。相比于DDR3，DDR4内存大不同，电压、时序、频率都相应变化，连金手指也不同，工厂由DDR3转DDR4内存生产，这势必造成一时产能的压力。人民币汇率持续走低　　 内存的DRAM，闪存的NAND都是非常依赖进口，人民币汇率持续走低，以美元为结算的货币体系下，涨价是必然的结果。不光是SSD、内存，几乎全部的数码电子产品今年都一定程度涨价。在DIY领域，包括主板、机箱、显卡等近期都有涨价的趋势或已经开始涨价。猜想，还有一只无形的手　　全球的DRAM内存颗粒市场上，三星、SK海力士、美光已经呈现三分天下的架势，其中三星无论工艺、产能还是占有率都有绝对优势。2014年第一个量产20nm DRAM工艺之后，如今三星再次领跑，已经量产了18nm DRAM。据韩国媒体报道，三星去年已经将70％的DRAM产能转换到20nm，如今又进入了18nm时代，领先优势进一步扩大。相比之下，SK海力士明年初才会量产18nm DRAM，而美光还停留在前往20nm的路上。　　有报道称，三星是这波DRAM内存价格上涨主要推手之一。目前三星超过7成芯片产能已经被苹果/自家手机、大陆OPPO/Vivo瓜分，再供应给其他品牌十分有限，同时，一部分产能转去生产成长速度最快的3D NAND闪存，进一步压缩DRAM生产的空间。市场供需决定，让三星有能力，有资格主导价格调整。有外媒评论就指出，此举可能是三星为弥补其Note 7手机停产造成的损失。　　当然，作为终端的厂商，金士顿、威刚、芝奇、海盗船等主要内存厂商也希望内存的价格有所上调，毕竟白菜价的内存隔一年就来一次，隔一年就内存厂商就要&吃草&。前段时间还闹出某高端内存品牌面临资金链断裂，企业倒闭的风险，可见内存厂商活都不容易，有机会涨价，肯定不会错过。SSD涨价的背面原因：殊途同归　　跟内存一样，SSD的成本主要来自于芯片，只不过由DRAM换成NAND闪存而已。目前具备生产NAND芯片的厂商唯数不多几家，三星、Intel/美光、东芝、闪迪、海力士几乎垄断全球九成以上市场。现在面临着2D NAND向3D NAND转型，而除了三星、美光较成熟之外，其他家的3D NAND良品率并不太高，量产严重不足，致整体的NAND颗粒总出厂量不足，供应无法满足市场需求，各大SSD厂商在争夺本就不够的闪存颗粒，必然会在竞争中抬高NAND出厂价，最终上涨的成本由消费者来承担。　　另一方面，受手机影响也比较大。在过去2016年，手机的容量几乎翻倍，最高可达到256GB级别。手机里ROM所使用闪存芯片与SSD里闪存芯片生产来源是一致的。大容量手机出货量的猛增，很快消耗掉原本产能就不足的闪存芯片，僧多肉少，SSD固态硬盘首当其冲受影响。内存/SSD价格回归预测：　　内存：目前DRAM颗粒的行情呈现继续上涨的趋势，远没有NAND闪存乐观，三星、美光等巨头都表示，没有增产DRAM计划，且将更多的精力投入到3D NAND制造上来，这将更一步加剧DRAM供不应求的局面。这样局面将导致内存价格继续上涨。　　笔者预测，今年第一季度，内存价格会冲击高点，像DDR4-2400 8G单条还有100元左右上涨空间，而DDR4-Gx2套装还有100-200元上涨空间。今年内价格没有回落的余地。如果近段要买内存的用户要抓紧了，后面还要接着涨。　　SSD：SSD的情况要比内存好一些，2017年是3D NAND普及的元年，一旦突破技术瓶颈，提升良品率，3D NAND将大规模供应市场，东芝、闪迪、海力士等厂商释放出积极信号，这一刻不会太远，所以SSD固态硬盘面临缺&芯&的日子不会太久。　　西数于昨天宣布，成本更低的64层 512Gb TLC NAND芯片试产，意味着未来250G、500G及TB级别大容量SSD价格有望出现大幅跳水。且SSD正处于普及期，价格有很大回落的余地。综上，笔者认为SSD近期有上涨的趋势，但不会全年处于上涨势态，现在要购买SSD的用户不妨再观望观望。写在最后：　　内存/SSD上涨，正值开学季，又是一年一度装机旺季，近段迫切装机的用户不尽要吐槽了，这波涨幅行情着实带坑了。所以在最后，给大家挑几款值得买的内存与SSD，仅供参考，入手需慎重，因为现在的价格都虚高。推荐内存：威刚XPG威龙 DDR4 2400 8G参考价格：399元　　现在内存价格虚高，高频DDR4内存涨价更疯狂，推荐选购主流的2400MHz频率即可，毕竟内存性能对整机体验影响不大，8G容量适中，单条也给以后留着升级余地。为什么推荐威刚XPG 威龙DDR4-2400 8G呢？一、相比于同定位的金士顿Fury DDR4-2400 8G的479元便宜了80元；二、带散热片，10层PCB板，外观红骚气。推荐内存：Intel 600P 256G参考价格：739元　　这一款SSD，一推出就成为PCI-E SSD销量黑马，Intel SSD一改高贵作风，在品质，速度都保证的情况，一度卖到539元，性价比突出，虽然现在涨至739元，如果你要选购PCI-E/M.2 SSD，那它还是值得选的。但是，若你觉得价格贵，不妨再等等。
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