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三通道半桥栅极驱动器 TM2132.PDF
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三通道半桥栅极驱动器 TM2132,特性描述
TM2132 是一个高压、高速的MOSFET、IGBT 驱动器。它有三个半桥式栅极驱动，高压侧的
VS 引脚采。
& 三通道半桥栅极驱动器 TM2132
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工信部备案号: 辽ICP备号-4隔离式栅极驱动器 | 亚德诺半导体
隔离式栅极驱动器
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在采用光耦合器或脉冲变压器的设计中，ADI公司的隔离式栅极驱动器产品系列可为设计人员提供性能和可靠性优势。隔离式栅极驱动器系列采用ADI经过检验的iCoupler(R)技术，提供50 ns最大传播延迟、小于5 ns通道间匹配、400 V rms工作电压下的50年工作寿命和单封装电气隔离优势。
Overcoming Limitations of Optocoupler and High Voltage Gate Driver Solutions
隔离式栅极驱动器具有电气隔离和较强的栅极驱动能力，很多系统架构的安全性和鲁棒性都需要这些性能。ADI公司的隔离式栅极驱动器产品系列可为设计人员提供或脉冲变压器设计的性能和可靠性优势。隔离式栅极驱动器系列采用ADI经过检验的&技术，提供50 ns最大传播延迟、小于5 ns通道间匹配、400 V rms工作电压下的50年工作寿命和单封装电气隔离优势。
时序性能欠佳
需要更长的停滞时间，影响整体效率
传播延迟时间长：&350ns
器件间差异：&200ns
上升和下降时间差异：&100ns
高温下工作寿命限制：& 10年
大部分额定工作温度为最高85&C
当毛刺超过
电源电压时引发闩锁现象
依赖结隔离
有时会击穿并导致闩锁
电气隔离提供与闩锁有关的
Coupler隔离式栅极驱动器克服基于光耦合器的高压栅极驱动器的局限性
小型单封装解决方案
最快的时序速度：
在AC/DC转换器、DC/DC转换器、反相器、电机控制中，实现更快的开关速度并满足更高的功率密度和更佳的效率要求
标准CMOS支持低成本、高可靠性
平衡的推挽输出级简化栅极驱动
输出间真正的电气隔离将高端和低端分隔，使交叉导通电位降至最低
Latch-Up When Glitches Go&
Beyond the Supply Voltage
Rely on junction isolation which
can breakdown and cause latch-up
Latch-up related shoot through
best avoided with galvanic isolation&
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MOSFET驱动器
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MOSFET驱动器是一款高频高电压驱动器，可利用一个同步
转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的降低了具高栅极电容 MOSFET 中的。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。
MOSFET驱动器特点
●欠压闭锁功能
●自适应贯通保护功能
●电源电压至 114V
●1.4A 峰值顶端上拉电流
●1.75A 峰值底端栅极上
●耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
●宽 VCC 电压：4.5V 至 13.5V
●1.5Ω 顶端栅极驱动器
●0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
●5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
●8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
●3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
●6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
●可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
MOSFET驱动器应用
●汽车电源
●电信系统
．电子电路网&#91;引用日期&#93;
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