固态高频感应加热电源控制技术的研究--《华北电力大学（河北）》2008年博士论文
固态高频感应加热电源控制技术的研究
【摘要】：
感应加热电源具有高效、清洁、控制灵活及加热速度快等优点,在工业领域中有着广泛而重要的应用。针对目前固态高频感应加热电源的研究热点和存在问题,本文对构成固态高频感应加热电源的整流器、谐振逆变器、谐振槽路及控制电路进行了深入研究,主要的研究成果和结论如下:
1.研究了三相电流型PWM整流器(CSR-Current Source Rectifier)的拓扑结构和控制技术。提出了一种基于矢量合成原理的SVPWM多电平调制技术,这种多电平调制技术具有概念清晰、实现简单、通用性强等特点,可以使PWM整流器实现大功率、低开关频率和低网侧谐波;提出了一种三相电流型PWM整流器SVPWM过调制技术,拓展了整流器的直流输出范围,该过调制技术非常适合电网电压波动较大的应用场合;提出了一种采用晶闸管(SCR)实现的三相电流型PWM整流器多电平拓扑结构,并研究了其SVPWM调制策略,该拓扑可有效降低三相大功率电流型PWM整流器的装置成本。
2.研究了电压型谐振逆变器的换流过程及锁相控制策略。提出了一种使其开关损耗最小的零电压换流(ZVS-Zero Voltage Switching)控制策略,实现了电压型谐振逆变器的ZVS锁相控制;建立了全数字锁相环电路的数学模型,分析了控制参数对其稳定性和动态响应特性的影响;采用现场可编程门阵列(FPGA-Field Programmable Gate Array)实现了谐振逆变器的全数字锁相控制。同传统的模拟或数模锁相电路相比,采用这种软件编程硬件实现的逆变控制技术可以提高锁相电路的稳定性和锁相精度。
3.研究了电压型LLC谐振电路的拓扑结构及其控制技术,得出了一些具有实用价值的重要结论:a)三阶LLC谐振电路容易实现感应加热电源和负载之间的阻抗匹配;b)三阶LLC谐振电路对负载感应器的短路、开路、打火等故障具有比二阶LC谐振电路更强的适应能力;c)大功率LLC谐振逆变器并联时,各并联逆变单元对输出电压的幅值、相位、触发不同步等差异具有较强的适应能力。设计了基于逆变器输出电流、谐振电容电压反馈的双闭环全数字逆变锁相控制电路,优化了谐振逆变器开关器件的换流状态,实现了固态高频感应加热电源的高效可靠运行。
4.设计制作了一台全数字控制固态高频感应加热电源试验样机,电源的控制电路和保护电路全部由一片FPGA芯片完成,实现了控制系统的片上设计(SoC- System on Chip),文中所提的控制策略和所得结论都通过样机进行了试验验证。
【学位授予单位】：华北电力大学（河北）【学位级别】：博士【学位授予年份】：2008【分类号】：TM919
欢迎：、、)
支持CAJ、PDF文件格式
【引证文献】
中国博士学位论文全文数据库
李建文;[D];华北电力大学（北京）;2011年
张智娟;[D];华北电力大学（河北）;2010年
中国硕士学位论文全文数据库
尹卿;[D];华北电力大学;2011年
王永星;[D];华北电力大学;2011年
祝再兴;[D];山东大学;2011年
杨国栋;[D];西安理工大学;2010年
赵志伟;[D];华北电力大学（河北）;2010年
范进秋;[D];上海交通大学;2010年
刘圆圆;[D];山东理工大学;2012年
罗云萌;[D];江苏科技大学;2012年
【参考文献】
中国期刊全文数据库
彭咏龙;肖淼;李亚斌;;[J];电工电能新技术;2006年02期
全亚杰;[J];电焊机;2001年11期
彭咏龙,许海文,夏越良;[J];电焊机;2002年10期
应建平,贾爱民,徐玲玲,黄敏超;[J];电力电子技术;2000年02期
王立乔,黄玉水,王长永,张仲超;[J];电力电子技术;2001年01期
沈锦飞,惠晶,吴雷;[J];电力电子技术;2002年06期
吕宏,黄玉水,张仲超;[J];电力电子技术;2003年01期
李敏远,姜海鹏,都延丽,张素荣;[J];电力电子技术;2003年04期
李金刚,陈建洪,钟彦儒;[J];电力电子技术;2003年04期
汪军;陈辉明;;[J];电力电子技术;2005年06期
中国博士学位论文全文数据库
王英;[D];浙江大学;2005年
中国硕士学位论文全文数据库
孔令枝;[D];西安理工大学;2004年
孙金秋;[D];西安理工大学;2005年
周庆红;[D];西安理工大学;2005年
梁宝明;[D];华北电力大学（河北）;2005年
【共引文献】
中国期刊全文数据库
杨孝志;;[J];安徽电力;2006年02期
李旭;王鸣;;[J];安徽工程科技学院学报(自然科学版);2008年04期
廉晨;程伟伟;左月明;;[J];现代农业科技;2009年11期
钱敏;曹云鹏;李文石;;[J];半导体技术;2009年04期
段哲民;彭彬;秦勤;马裕;张晓鹏;;[J];半导体技术;2010年07期
李正熙;郑春雨;樊生文;;[J];北方工业大学学报;2011年01期
刁利军;刘志刚;孙大南;贾利民;;[J];北京交通大学学报;2010年05期
梅樱;刘志刚;张钢;王磊;全恒立;;[J];北京交通大学学报;2010年05期
徐小龙;;[J];宝钢技术;2006年S1期
张林;潘军;廖国斌;;[J];宝钢技术;2007年05期
中国重要会议论文全文数据库
胡春雨;李武峰;严辉;;[A];第十四届中国科协年会第19分会场：电动汽车充放电技术研讨会论文集[C];2012年
黄悦华;;[A];第二十七届中国控制会议论文集[C];2008年
郑征;王聪;赵焕;;[A];第二十七届中国控制会议论文集[C];2008年
周渊深;;[A];中国自动化学会控制理论专业委员会B卷[C];2011年
郑征;邹瑾;;[A];中国自动化学会控制理论专业委员会C卷[C];2011年
周渊深;李雪龙;;[A];中国自动化学会控制理论专业委员会D卷[C];2011年
高立东;陈阿莲;杜春水;张承慧;;[A];2011中国电工技术学会学术年会论文集[C];2011年
杜翠静;常万仓;;[A];第十三届中国科协年会第10分会场-节能减排战略与测控技术发展学术研讨会论文集[C];2011年
冯沛;郜长安;王钺;;[A];第九次全国焊接会议论文集（第1册）[C];1999年
刘涛;张登福;苏磊;;[A];第八届全国信号与信息处理联合学术会议论文集[C];2009年
中国博士学位论文全文数据库
王德广;[D];合肥工业大学;2010年
杨金辉;[D];湖南大学;2010年
刘杨华;[D];湖南大学;2010年
田军;[D];华中科技大学;2010年
王正顺;[D];华南理工大学;2010年
雷波;[D];武汉理工大学;2010年
杨波;[D];浙江大学;2010年
刘春喜;[D];浙江大学;2010年
刘军;[D];浙江大学;2010年
聂勇;[D];浙江大学;2010年
中国硕士学位论文全文数据库
杨亮;[D];安徽工程大学;2010年
高圆圆;[D];山东科技大学;2010年
翟清震;[D];山东科技大学;2010年
董云连;[D];山东科技大学;2010年
王国帅;[D];长春理工大学;2010年
周巍;[D];长春理工大学;2010年
侯建华;[D];郑州大学;2010年
范学磊;[D];郑州大学;2010年
程鹏;[D];哈尔滨工程大学;2010年
张晓峻;[D];哈尔滨工程大学;2010年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库
钱敏;徐鸣谦;米智楠;;[J];半导体技术;2007年11期
孙波，李津福，章亦葵，房朝晖，姜土林，赵长汉，李家骥，张欣;[J];半导体技术;1996年02期
余翠玲;;[J];变频器世界;2008年11期
王跃球;唐杰;;[J];船电技术;2006年06期
吴卫华;;[J];江苏技术师范学院学报;2007年06期
彭咏龙;肖淼;李亚斌;;[J];电工电能新技术;2006年02期
黄先进,蒋晓春,叶斌,郑琼林;[J];电工技术学报;2005年04期
李金刚;钟彦儒;明正峰;;[J];电工技术学报;2006年11期
杜锦才;吴秉铎;;[J];电工技术;2000年01期
林小娥,吴兆磷;[J];电工技术杂志;2000年06期
中国博士学位论文全文数据库
明正峰;[D];西安理工大学;2002年
王英;[D];浙江大学;2005年
李玉玲;[D];浙江大学;2006年
李金刚;[D];西安理工大学;2007年
吴涛;[D];电子科技大学;2010年
中国硕士学位论文全文数据库
王永星;[D];华北电力大学;2011年
郭会军;[D];西安理工大学;2001年
吕宏;[D];浙江大学;2003年
熊爱明;[D];浙江大学;2003年
姜海鹏;[D];西安理工大学;2003年
许海文;[D];华北电力大学（河北）;2003年
孔令枝;[D];西安理工大学;2004年
张素荣;[D];西安理工大学;2004年
潘如峰;[D];浙江大学;2004年
郑永军;[D];浙江大学;2004年
【二级引证文献】
中国期刊全文数据库
张智娟;刘勋;;[J];电力电子技术;2011年11期
王贺云;彭咏龙;李亚斌;吕涛;;[J];电力科学与工程;2012年04期
齐幸坤;彭咏龙;李亚斌;;[J];电源技术;2012年07期
中国硕士学位论文全文数据库
杨林;[D];哈尔滨理工大学;2011年
段宣祥;[D];北京交通大学;2012年
龚庆祝;[D];电子科技大学;2012年
刘超;[D];山东大学;2012年
杨晓静;[D];西安建筑科技大学;2012年
罗云萌;[D];江苏科技大学;2012年
吕丹;[D];北京交通大学;2012年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库
张奇;[J];鞍钢技术;1996年05期
孙波，李津福，章亦葵，房朝晖，姜土林，赵长汉，李家骥，张欣;[J];半导体技术;1996年02期
H.O赵旭霞;;[J];半导体情报;1989年03期
姜生,晏雄;[J];玻璃钢/复合材料;2004年03期
曾黄麟;;[J];电讯技术;1988年05期
张振川,王越先,赖伟;[J];电讯技术;1992年03期
余勇,张兴,刘正之;[J];电工电能新技术;2004年02期
周卫平,吴正国;[J];电工电能新技术;2005年02期
王长永,金陶涛,张仲超;[J];电工技术学报;2000年06期
李亚斌,彭咏龙,李和明;[J];电工技术学报;2004年11期
中国博士学位论文全文数据库
王立乔;[D];浙江大学;2002年
【相似文献】
中国期刊全文数据库
季翼鹏;沈锦飞;颜文旭;惠晶;;[J];电力电子技术;2006年04期
胡聪权;杜玉荣;胡佳玺;刘鑫;;[J];电力电子技术;2007年06期
周跃庆;王鸿隽;;[J];电子测量技术;2007年05期
张燕敏;李亚斌;刘永丰;;[J];焊管;2010年12期
韩晓敏;尹海;张光先;;[J];电焊机;2007年07期
王健;王宏;王越喜;;[J];电源技术应用;2001年03期
陈为升;;[J];科技资讯;2006年03期
张宏艳;李光叶;陈跃;;[J];科学技术与工程;2008年19期
杨青;沈锦飞;陆天华;;[J];电力电子技术;2010年09期
杨宗璞;宋书中;马建伟;朱锦洪;;[J];电力电子技术;2010年09期
中国重要会议论文全文数据库
徐凯;时宇;;[A];全国第一届信号处理学术会议暨中国高科技产业化研究会信号处理分会筹备工作委员会第三次工作会议专刊[C];2007年
张鑫;许录平;;[A];第二届中国卫星导航学术年会电子文集[C];2011年
熊文;刘惠康;唐兴隆;;[A];中国计量协会冶金分会2008年会论文集[C];2008年
熊文;刘惠康;唐兴隆;;[A];2008全国第十三届自动化应用技术学术交流会论文集[C];2008年
徐建华;周慧;郄东生;姜耀中;;[A];放射性废物处理处置学术交流会论文集[C];2007年
马娟;周伟松;赵前哲;;[A];2008中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会论文摘要集[C];2008年
李文江;庄益诗;;[A];第18届全国煤矿自动化与信息化学术会议论文集[C];2008年
胡在洲;李晓峰;;[A];2008年中国西部青年通信学术会议论文集[C];2008年
王文;高跃明;陈艺东;潘少恒;麦炳源;韦孟宇;杜民;;[A];中国仪器仪表学会医疗仪器分会2010两岸四地生物医学工程学术年会论文集[C];2010年
朱锦洪;马建伟;宋书中;石红信;;[A];第十五次全国焊接学术会议论文集[C];2010年
中国重要报纸全文数据库
沈亦飞;[N];电子报;2001年
本报记者 梁红兵;[N];中国电子报;2002年
中国博士学位论文全文数据库
李亚斌;[D];华北电力大学（河北）;2008年
周郭飞;[D];清华大学;2009年
张智娟;[D];华北电力大学（河北）;2010年
李金刚;[D];西安理工大学;2007年
徐应年;[D];华中科技大学;2009年
周香全;[D];南开大学;2009年
张东升;[D];哈尔滨工业大学;2009年
韩素平;[D];中国科学技术大学;2009年
李建文;[D];华北电力大学（北京）;2011年
刘庆丰;[D];西安理工大学;2008年
中国硕士学位论文全文数据库
张娟娟;[D];天津大学;2005年
岳金伟;[D];浙江大学;2010年
王鸿隽;[D];天津大学;2007年
张彬;[D];天津大学;2007年
董文辉;[D];浙江大学;2006年
赵志伟;[D];华北电力大学（河北）;2010年
邢笠;[D];吉林大学;2010年
时矗;[D];西南交通大学;2004年
汪世平;[D];浙江大学;2005年
干于;[D];浙江大学;2005年
&快捷付款方式
&订购知网充值卡
400-819-9993基于三相VSR和LLC变换器的高压直流UPS研究
不间断电源系统(Uninterruptable Power Systems)通常被视为一个电气系统的备用电源,当主电源由于外部因素停止工作时,而由其紧急供电。针对传统交流和低压直流UPS自身存在供电可靠性差、容量扩充难度大等缺陷,以及适应各个领域对于不间断电源供电可靠性和供电容量越来越高的需要,本文开展了高压直流UPS研究。本文首先研究了电压型三相PWM整流器(三相VSR)与全桥LLC谐振变换器级联构成高压直流UPS的理论合理性。在系统结构上,前级三相PWM整流器用以提高UPS系统输入侧功率因数,后级全桥LLC谐振变换器实现高效率电压转换和电气隔离。在系统控制方面,针对于电网电压不平衡状态,经过理论推导,证明了传统双闭环级联控制策略抗电网不平衡扰动存在局限性的结论,在分析传统瞬时无功率概念的基础上,提出了改进的抗电网电压不平衡控制算法,以确保三相PWM整流器仍能保持单位功率因数运行、网侧电流正弦化和直流母线电压恒定;其次,在分析&
(本文共73页)
权威出处：
0引言高压直流输电自1954年被应用于商业以来,随着转换设备的不断改进,直流输电得到了更为广泛的应用。高压直流输电主要应用于以下三种类型:第一,水下电缆长度超过30公里。由于这种距离的电缆的高电容要求中间补偿站,这对于交流输电来说是不切实际的;第二,由于系统的稳定性以及理论上两个系统间频率不同的问题,两个交流系统之间的异步线路连接是不可行的;第三传输大功率长距离的架空线路。从比交流输电距离超过600公里这方面来说,高压直流输电极具竞争力[1]。本文参考国外研究成果,对高压直流传输(HVDC)的控制及其操作原理进行了系统的介绍,并对它有关功率通量的研究模型进行了描述。1高压直流输电系统连接方式的分类高压直流输电系统的连接方式可大致可分为下列三类:单极连接、双极连接和同极连接。单极连接的基本配置如图1所示。它使用一个导体,通常是阴极。回路是由地面或水提供。出于成本的考虑,人们往往使用这种系统,特别是在电缆传输方面。这种类型的配置也可...&
(本文共3页)
权威出处：
0引言在军事航空领域,由于多电飞机和全电飞机技术的不断发展,传统的发电系统在可靠性、容错性、环境的适应性以及发电机大容量、高功率密度等重要指标上已无法满足飞机总体要求。而从可靠性、可维护性、体积重量和电气性能等指标综合来看,以高压直流起动/发电机为基础的270 V高压直流电源将成为新一代飞机的首选电源系统。在众多高压直流起动/发电机中,开关磁阻电机具有结构简单、低成本、高容错性、高功率密度以及高速运行能力,而且能方便地实现起动和发电双功能的特点。美军第四代战斗机F-22上采用了270 V高压直流电源系统,其主电源为两台65 kW的发动机驱动无刷直流发电机,而在最新研制的联合攻击机JSF(F-35)上,就采用了以开关磁阻起动/发电机为主电源的电源系统,因此对航空高压直流开关磁阻起动/发电机的研究对于我国的航空工业有着重要的意义[1-2]。本文阐述开关磁阻电机的原理,通过Ansoft分析了磁场,根据磁化曲线簇并建立了Simuink仿...&
(本文共5页)
权威出处：
1.概述高压直流系统广泛应用在发电厂、水电站以及各类变电站、开闭所中。我国IT设备一直采用UPS电源系统供电或低压直流系统(48V)供电方式。但近年来,随着计算机网络的迅速普及和数据业务的快速发展,特别是IDC业务的快速发展,传统的UPS供电模式的安全性、经济性方面突显的问题越来越多。采用高压直流供电系统向IT设备供电,以低投资、高可靠性、低运营成本的优势向传统的UPS交流供电模式提出了新的挑战。2.高压直流系统的工作原理2.1工作原理IT设备目前虽然采用交流供电,但是内部电源是一个可靠性很高的独立模块。核心部分是DC/DC变换电路,我们输入一个范围合适的直流电压给DC/DC变换电路,就能使IT设备安全工作。只要输入端没有工频变压器,输入直流不会产生短路阻抗,就没有必要非得交流输入,不用交流也就没有必要用UPS,由此因UPS交流供电引起的一切不利因素也就自然而然地消失。如果我们输入的直流合理配上蓄电池,辅以远程监控,构成一个可靠...&
(本文共3页)
权威出处：
瑞典与丹麦之间将新建一条Konti-Shan的海底高压直流(HVDC)电缆线路,Alstom获得了承建合同。该线路将替代现有的20世纪60年代建成的汞弧型275 ...&
(本文共1页)
权威出处：
一、引言 由图1(a)可见,线路L,的故障频率,也即从状态1向状态2和从状态3向状态4转移的频率为介,一P;入+P。入- 脚入脚十入(1) 线路L,处于故障状态的平均持续时间为(2)1一? 一一 ︸石 D 在双极高压直流系统中,由于两极导线同杆架设,就有可能出现两极直洲毛线路同时故障的情况〔”。现有的高压直流输电系统可靠性模型尚未计及这种情况,而所用的线路可靠性数据的统计资料也是孤立地看待一极线路故障而获得的〔“」、〔3’。本文旨在探索在可靠性评估中如何计及两极直流线路的共同模式故障以及如何评价现有的模型和统计数据的、采集方法。 共同模式故障是由同一外部原因引起的具有多个失效后果的事件,而这些失效后果之间彼此并不互为因果。它们出现的概率也并不是简单的各个失效事件概率之积。在以往的高压直流系统可靠性模型中均假设各元件的故障是独立的,在这种假设下从直流线路两极都运行到两极都故障状态的转移率是零。这样使得评估的结果偏于乐观。而当考虑直...&
(本文共4页)
权威出处：
扩展阅读：
CNKI手机学问
有学问，才够权威！
xuewen.cnki.net
出版：《中国学术期刊（光盘版）》电子杂志社有限公司
地址：北京清华大学 84-48信箱 大众知识服务
京ICP证040431号&
服务咨询：400-810--9993
订购咨询：400-819-9993
传真：010-豆丁微信公众号
君，已阅读到文档的结尾了呢~~
扫扫二维码，随身浏览文档
手机或平板扫扫即可继续访问
适于航空高压直流供电的1kWLLC全桥变换器
举报该文档为侵权文档。
举报该文档含有违规或不良信息。
反馈该文档无法正常浏览。
举报该文档为重复文档。
推荐理由：
将文档分享至：
分享完整地址
文档地址：
粘贴到BBS或博客
flash地址：
支持嵌入FLASH地址的网站使用
html代码：
&embed src='http://www.docin.com/DocinViewer-4.swf' width='100%' height='600' type=application/x-shockwave-flash ALLOWFULLSCREEN='true' ALLOWSCRIPTACCESS='always'&&/embed&
450px*300px480px*400px650px*490px
支持嵌入HTML代码的网站使用
您的内容已经提交成功
您所提交的内容需要审核后才能发布，请您等待！
3秒自动关闭窗口半导体制造
美国在半导体制造领域无可撼动的领先优势，是50多年的研发成果
香港媒体《南华早报》近日发文称，中国依赖于美国的核心技术已有一定的时日，但全世界都是如此，美国在半导体制造领域无可撼动的领先优势，是50多年的研发成果。
随着中兴事件进入下一个阶段，技术上的&巨大差距&需要几代人的艰苦努力才能克服。中国在某些领域&并不厉害&。另外，清华大学教授的话说，中国的繁荣是&建立在沙子上的&。
不仅是中国，整个世界的繁荣也是建立在沙子上的，这是因为沙子是生产硅的原材料，而硅是大多数半导体（通常被称为微芯片）的基本材料。从总价值来看，半导体是中国最大的进口商品&&甚至超过了原油。很显然，硅是该国在技术上的阿喀琉斯之踵，尽管数十年来它一直在努力追赶西方国家。
自从的共同发明者威廉&肖克利(William Shockley)在20世纪50年代末迁至加利福尼亚，成立一家公司来完善制造硅制晶体管的过程以来，美国50多年来一直在收获硅的红利。有肖克利，才有硅谷。
当美国最初实施七年禁令，禁止中兴购买其产品的时候，许多人纷纷呼吁中国要在核心技术领域实现自给自足。呼吁采取行动并不是什么新鲜事。在1990年代，中国投入了数十亿元人民币打造新的半导体制造线，使用外国芯片制造商转让的技术，却发现这些&晶圆厂&耗时两年建造，但第一天就过时了，因为已经出现更加先进的技术了。
中国合法收购美国半导体公司也因为美国政府以国家安全为由予以阻拦，其中规模最大的一笔收购是：2015年，清华紫光出价230亿美元收购美国内存芯片制造商美光科技(Micron chnology)。该收购要约遭到了拒绝。
中国科技的支持者喜欢指出全球第三大智能手机厂商自主设计的麒麟手机芯片，以此作为中国公司减少了对外国核心技术依赖的例子。然而，华为的竞争对手小米和中兴还得购买那些芯片。最近中国部门控股股权的出售，让中国投资者能够获得这家英国公司的半导体知识产权。这被认为是该国通向核心技术独立道路上的又一次成功。
如果中国的长期目标是开发自己的核心技术，以减少对美国等地缘政治对手的依赖，那么获得芯片设计技能只是第一步。它还需要一个本土的半导体制造业&&而实现这一点要困难得多。问题是，华为并不是自己生产芯片，也不是，他们将这个非常复杂且资本密集的过程外包给独立的芯片制造厂。
根据行业研究机构TrendForce的数据，目前占主导地位的晶圆厂是台积电(TSMC)，该公司在2018年上半年占行业总收入的56%。它是华为麒麟芯片和高通骁龙（SnapDragon）芯片的主要代工厂。位居行业第二的是美国的格罗方德公司（GlobalFoundries），其市场份额不到10%。中国内地最大的代工企业中芯国际(SMIC)的市场份额不到6%。2009年，中芯国际同意将其10%的股份转让给台积电，这是针对此前一起知识产权盗窃案件达成的和解协议的一部分。
华为智能手机的忠实用户可能会因为该公司没有犯跟依赖于美国手机芯片的中兴一样的&错误&而感到些许安慰，但他们可能会惊讶地发现，生产麒麟芯片的晶圆代工厂主要依赖于来自美国公司的设备。The Informaon Network的数据显示，2017年，Applied Materials、KLA-Tencor和Lam Research&&全都是硅谷公司&&在前端晶圆厂设备市场中合计占据了55%以上的份额。另外，日本的东京电子(Tokyo Electron)和欧洲的阿斯麦(ASML)共占38%的市场份额。
因此，像中兴依赖于美国的核心技术&&就像世界上任何一家在其产品中使用硅片的公司那样。
几十年来，Applied Materials及其硅谷同行所开发的技术都可以直接追溯回肖克利的实验室。在那里，工程师们使用粗糙但通常可用的东西，如烧窑、钻床和玻璃管，来尝试生产出可行的硅片设备。
并不是说中国完全没有防御能力，中国正牢牢掌控对许多电子产品十分重要的稀土供应，还可以用进入其庞大的、不断增长的市场的机会来换取技术，不过这种策略是它与西方贸易伙伴发生摩擦的主要原因之一。
这和其他的发达国家一样，在可预见的未来中国仍将依赖于美国的半导体核心技术。鉴于此，只能遵守全球贸易规则，也应当审慎地将更多的资金投入到半导体领域的原创研发当中&要韬光养晦&。
原文标题：全球芯片行业现状分析：大家都在依赖美国 未来如何破局？
文章出处：【微信号：AItists，微信公众号：人工智能学家】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先
电流镜具有相对较高、有时非线性的输入阻抗，因此它们必须由高阻抗电流源（有时亦称为刚性电流源）提供电流....
本文首先介绍了IGBT的作用及选型四个基本要求，其次介绍了IGBT选型方法及影响IGBT可靠性因素，....
BQSwitChrRM系列是高度集成的锂离子和李聚合物开关模式电荷管理设备针对广泛的便携式应用。BQ....
BQSwitChrRM系列是高度集成的锂离子和李聚合物开关模式电荷管理设备针对广泛的便携式应用。BQ....
本文首先介绍了IGBT概念及结构，其次介绍了IGBT工作原理及代换，最后介绍了它的应用领域。
在电子电路中，放大的对象是变化量，放大的本质是在输入信号的作用下，通过有源元件（晶体管或场效应管）对....
宜普电源转换公司(EPC)的EPC9130开发板是一款48 V转换至12 V的非隔离稳压式开发板、具....
柔性电子是未来电子领域的重要发展方向，目前科学家已开发出部分电子性能较好的柔性材料，如可任意折叠和拉....
贝尔实验室的William Shockley于1951年7月的第一周在美国新泽西州默里山举行的新闻发....
由于晶体管制造的复杂性，每代晶体管制程针对不同用途的制造技术版本，不同厂商的代次间统计算法也完全不同....
Applied Materials日前宣布，材料工程获得技术突破，加速芯片效能。
如果能让机器人拥有触觉，可以感知温度、压力，甚至具有神经活动，那么它们将“解锁”更多新技能。
大多数以前的研究人员都是尝试通过提高载流子密度来获得低接触电阻的。在狄拉克点具有低接触电阻的GFET....
笔者尝试将老无线电爱好者相关技术应用到极客和创客活动中，最近应用晶体管收音机的传统技术和电路，设计了....
不仅中国、全球繁荣都建立在“沙子”上。这是因为沙子是用于生产硅——大多数半导体即众所周知的微芯片基础....
在本例中示出了 LTC4070 的光伏 (PV) 应用。在该应用中，增设了晶体管 Q1，旨在进一步降....
微芯片QTouch(R)外围触摸控制器（PTC）提供内置的硬件，用于作为按钮、滑块和轮子的传感器的电容式....
除石墨烯外，还有许多其他的二维晶体，每一种都具有其独特的性质。有几种能天然地存在于地下的宝石中，例如....
6N135、6N136和EL4502器件分别由红外发光二极管组成，光学耦合到高速光电探测器晶体管。光....
离散输出高边驱动。表B51给出了所有高边驱动输出的电气特性。分段显示了高边驱动输出子类别的具体示意图....
欧盟数字事务专员玛丽亚·加布里尔(Mariya Gabriel)提交了一份20页的报告，要求在欧盟未....
固态技术为使用射频能量的系统带来了增强的控制功能和可靠性，人们对此早有认识，但射频功率晶体管缺少开发....
Q2的输出电流由U2-D、按R6 / R5指定的 dB）比率进一步放大，并由LED....
在如今的许多应用中，要求的额定输入电压超过许多现有DC/DC控制器的V IN 最大额定值。对此，传统....
SmartMesh IP 产品是无线微芯片和嵌入式印刷电路板，并配合无线传感器网络软件，能在严酷的工....
劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。晶....
观看James Truchard博士在2011年NIWeek上发表的开幕主题演讲，其中他提及了虚拟仪....
据白宫官网报道，美国东部时间22日，2015年美国最高科技奖获奖名单公布，包括9名国家科学奖获得者（....
OPA2810运算放大器具有业界领先的最大偏差和最低电压噪声（5.7 nV/√Hz），适用于100到....
谐振器 (a)所示是由声表面波谐振器(SAW)组成的晶体管超高频无线电发射的基本电路，其中SAW暂作....
XC9267系列产品，由于其输入电压最大值为36V，最适用于从12V?24V的电源线开始降压的电源。....
根据瑞穗综合研究所的研究，北京近来的举措使营商环境变得更加稳定和可预测，日本制造商对于把中国作为投资....
IGNP0912L1KW是一款用于L波段航空电子系统的50ΩGaN / SiC射频功率模块，可在0.....
英特尔现在的主力工艺依然是14nm，目前已经发展了三代14nm工艺，将会一直用到2019年底，之后才....
投模式创新，还是投技术创新，反映的是投资界对于短期回报和长期回报的不同看法。创东方董事长肖水龙更多的....
它使用Sigrity提取工具从物理layout中提取PCB/封装模型，再将模型分配到各个模块以连接每....
视频主讲集成效应晶体管充电器热能布置相关技术。
埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣佈推出专为诸如数位视讯广播（DVBT）和特高频（UHF）类比电视....
将二硫化钼作为 2D 半导体材料有一项非常优异的性能，那就是它们很容易弯曲。电子在这样的半导体中可以....
爱美科表示，面积能大幅缩小的原因，就在于使用了新的晶体管结构。Unisantis 与爱美科使用的是 ....
Synopsys Synopsys近日宣布， Synopsys 设计平台获得TSMC最新版且最先进....
该应用笔记讨论了使用微芯片DSPIC(R)DSC系列实现永磁同步电机（PMSM）的无传感器聚焦算法。
自激振荡的判别条件 在电子线路中，判断电路能否产生自激振荡一直以来都是一个令学生感到困惑的问题，同学....
MOSFET（图中以Nch为例）通过给栅极施加电压在源极与漏极间创建通道来导通。另外，栅极通过源极及....
器件带有日光阻挡滤光片，采用小尺寸2.5mm x 2.0mm x 0.8mm SMD封装，可实现光学....
功率因数校正（PFC）、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器的设计人员现在可以通过使用来自U....
关于7nm制程，今年年底之前可能会有基于三星 7 纳米工艺芯片的手机亮相吗？可能性或许不大，虽然高通....
鳍式场效晶体管集成电路设计与测试 鳍式场效晶体管的出现对 集成电路 物 理设计及可测性设计流程具有重....
功耗、散热：随着元件集成规模的提升，单位体积产生的热功率也逐渐变大，然而器件散热面积不变，造成单位面....
通过限制其峰值结温度可以为大功率晶体管提供安全区域保护。
供应链服务
版权所有 (C) 深圳华强聚丰电子科技有限公司
电信与信息服务业务经营许可证：粤B2-