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场效应管恒流源/限幅器

低相关的工作电压的组合，并

高输出阻抗，使FET有吸引力的

恒定电流源。一个可调节的电流源（图 -

茜1）可以用一个场效应晶体管，可变电阻器，和一个建

小电池。为了获得最佳的热稳定性，在FET应

近零温度系数点有偏差。

在电源电压的变化或负载阻抗的变化

由的，因为只有一个小的因素

是在AC-一个重要的考虑

一个恒定电流源的curacy中，如果电源电压

年龄可能会发生变化。为g

根据FET的类型，动态

阻抗可以大于1兆瓦到小于20千瓦。

这对应于1的电流的稳定范围

每当用FET的电流饱和重新操作

祗园，其输出电导非常低。出现这种情况

偏压作为一个恒定电流源进行操作，在任何电流

零。为了获得最佳的调节，

对于一个给定的设备在哪里

级联两个FET ，如图2中所示。

其中，k可以从1.8变化到2.0 ，这取决于设备GE-

JFET可以具有典型的克

为电流源的最佳FET是那些具有长

= 20V。这些装置在图4中的电路将

提供的电流源，从5可调

与内部阻抗大于2兆瓦的0.2毫安。

既会影响电流的稳定性。该电路的输出传导

代替可调电阻，所述JFET的可放于

选择的每个组。此方法是在高的共

图5的级联电路提供的电流

在设计任何串联FET电流源，两个FET

必须有足够的漏极 - 栅极电压V来操作

- 稳压器电流（mA ）

Siliconix公司提供了一个特殊的系列双JFET的含铅

电阻器制造设备上，这样就产生一个

电流范围。设备可从范围

封装。该SST502系列可在表面贴装

每两个引线的设备也可以用来代替

图6示出了这两种器件的电流范围

系列。进一步的信息被包含在单独的

在这本书的数据或从其它地方出现数据表

本CR160系列的特点保证峰值工作

将100V的电压最小，典型的180伏。

J500系列采用50 V最小，典型的

100五，在这两个系列的低电流器件提供

优良的电流调节降到低至1V。

所有行业JFET部件类型呈现出显著杂物 -

使用简单的源偏置电流源illus-

trated在图1中，设计人员可以通过图形计算

这最符合所需的漏电流I

所需的值开始在原点，如。 ?

发现的X一个方便点 - Y轴标记一个

然后，从该点到原点画一条直线。

还要注意的是JFET的具有予

随温度变化的变化。为了实现这一

- 栅极 - 源极电压（ V）

JFET典型的传输特性

源偏置漏电流与电源内阻

JFET源偏置漏电流与电源内阻

选择正确的JFET的源代码

每Siliconix的器件数据手册包括典型

转移曲线，可用于如图7 。

有几个流行的设备是理想的源偏置电流

签名者，表1中的设备已经被绘制到显示

图8，图9和10。大部分曲线包括可能的最坏

控制，所述JFET生产批次可分为

用适当的电阻的选择每个范围

JFET源偏置漏电流与电源内阻

场效应管恒流源/限幅器

低相关的工作电压的组合，并

高输出阻抗，使FET有吸引力的

恒定电流源。一个可调节的电流源（图 -

茜1）可以用一个场效应晶体管，可变电阻器，和一个建

小电池。为了获得最佳的热稳定性，在FET应

近零温度系数点有偏差。

在电源电压的变化或负载阻抗的变化

由的，因为只有一个小的因素

是在AC-一个重要的考虑

一个恒定电流源的curacy中，如果电源电压

年龄可能会发生变化。为g

根据FET的类型，动态

阻抗可以大于1兆瓦到小于20千瓦。

这对应于1的电流的稳定范围

每当用FET的电流饱和重新操作

祗园，其输出电导非常低。出现这种情况

偏压作为一个恒定电流源进行操作，在任何电流

零。为了获得最佳的调节，

对于一个给定的设备在哪里

级联两个FET ，如图2中所示。

其中，k可以从1.8变化到2.0 ，这取决于设备GE-

JFET可以具有典型的克

为电流源的最佳FET是那些具有长

= 20V。这些装置在图4中的电路将

提供的电流源，从5可调

与内部阻抗大于2兆瓦的0.2毫安。

既会影响电流的稳定性。该电路的输出传导

代替可调电阻，所述JFET的可放于

选择的每个组。此方法是在高的共

图5的级联电路提供的电流

在设计任何串联FET电流源，两个FET

必须有足够的漏极 - 栅极电压V来操作

- 稳压器电流（mA ）

Siliconix公司提供了一个特殊的系列双JFET的含铅

电阻器制造设备上，这样就产生一个

电流范围。设备可从范围

封装。该SST502系列可在表面贴装

每两个引线的设备也可以用来代替

图6示出了这两种器件的电流范围

系列。进一步的信息被包含在单独的

在这本书的数据或从其它地方出现数据表

本CR160系列的特点保证峰值工作

将100V的电压最小，典型的180伏。

J500系列采用50 V最小，典型的

100五，在这两个系列的低电流器件提供

优良的电流调节降到低至1V。

所有行业JFET部件类型呈现出显著杂物 -

使用简单的源偏置电流源illus-

trated在图1中，设计人员可以通过图形计算

这最符合所需的漏电流I

所需的值开始在原点，如。 ?

发现的X一个方便点 - Y轴标记一个

然后，从该点到原点画一条直线。

还要注意的是JFET的具有予

随温度变化的变化。为了实现这一

- 栅极 - 源极电压（ V）

JFET典型的传输特性

源偏置漏电流与电源内阻

JFET源偏置漏电流与电源内阻

选择正确的JFET的源代码

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转移曲线，可用于如图7 。

有几个流行的设备是理想的源偏置电流

签名者，表1中的设备已经被绘制到显示

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控制，所述JFET生产批次可分为

用适当的电阻的选择每个范围

JFET源偏置漏电流与电源内阻

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