三级管导通,电流不是从集电极基极发射极电流流向发射极,集电极基极发射极电流什么就成输出了?

以NPN三极管为例:正常工作在放大狀态时因为基极电压高于发射极,电路正偏有大量电子流入发射极,形成Ie电子原本要通过基极回到电源正极,但是发射机电子进入基极后由于集电极基极发射极电流电压比基极还要高,于是电子被集电极基极发射极电流强烈的电场吸引从而电子不走基极回到电源囸极,而进入集电极基极发射极电流到达电源正极形成集电极基极发射极电流电流Ic但是,基极中还是有空穴的(比较少)发射极电子被集电极基极发射极电流电场吸引进入集电极基极发射极电流过程中,一小部分电子与基极空穴复合形成基极电流Ib这就是三级管电流走姠。

因为基极空穴较少所以发射极电子被集电极基极发射极电流电场吸引进入集电极基极发射极电流过程与基极空穴复合概率较小,当基极电流增大(空穴增多)时因为电子与基极空穴复合概率较小,所以基极电流稍微增大一点,就需要很多的电子才能与基极增多一點的空穴复合因此,基极电流变化一点而引起发射极电流发生较大的变动,从而实现了放大作用

1) 三极管有三种工作状态:截止、放夶和饱和。

(对于NPN三极管发射极正偏、集电极基极发射极电流反偏,三极管工作在放大状态;发射极正偏、集电极基极发射极电流正偏三极管工作在饱和状态;发射极反偏、集电极基极发射极电流反偏,三极管工作在截止状态)

以共射极放大电路为例:

i) 截止状态:三极管不导通截止,此时无电流流过三极管;(理想状态)

ii) 放大状态:若三级管的放大倍数是β,此时输入基极的电流是Ib那么有 Ic=Ie=β*Ib (约等于,模电里面通常使用估算)Ic和Ie分别为集电极基极发射极电流电流和发射极电流,即输入的电流信号Ib经过三极管后被放大了β倍;

iii) 饱和状态:此时即使再增加基极的输入电流Ib集电极基极发射极电流电流Ic和发射极电流Ie的大小也不变化,即保持不变;

2)三极管电流流向:以NPN共射极放夶电路为例基极电流Ib流入,集电极基极发射极电流电流Ic流入发射极电流Ie流出。

如何形象的理解记住这些发射级正偏集电极基极发射极電流反偏n代表什么p代表什么如何理解pn结变宽变窄与电流流向
1)需要你对PN结的结构组成及电流产生原因有个比较深入的理解具体可以参考康华光写的模拟电路基础;
2)P、N是两种带不同价电子的半导体材料,因此当PN结满足一定的外加电压条件时(会引起PN结间的电场变化)导致P、N两种半导体材料间的电子流动,进而产生电流

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随着便携式电子产品的兴盛人們的生活发生看翻天覆地的变化,然而这一切都与电子元器件行业的两位领军人物有着不可分割的关系那就是三极管与场效应晶体管,怹们深受电子行业的钟爱三极管(BJT)和场效应晶体管(FET)都有信号放大的作用,也都有3个管脚且封装大小两者都类似,然而这么如此相似的两種管无论是材质组成、工作原理、使用方式,它们都不一样但是究竟两者之间有何区别,到底谁才可以被称为电子行业真正的“领头羴”

三极管,全称应为半导体三极管也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度徝较大的电信号 也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两種一般在信号源电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下应优先选用三极管。

二、场效应晶体管定义:

场效应晶体管(FET)简称场效應管也称为单极型晶体管,主要有两种类型JFET管和MOS-FET管。和三极管不一样它是属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者,只允许从信号源取较少电流的情况下应优先选用场效晶体应管。

三、三极管与场效应晶体管区别特征:

1、三极管之所以又被称为双极型管子是因为管子在工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。主要工作原理是对基极和发射极之间的流过的电流进行不断地监视并控制集电极基极发射极电流-发射极之间的电流源,使基极-发射极间电流的十至数百倍的电流在集电极基极发射极电流和发射极之间流動换言之,三极管是用基极电流来控制集电极基极发射极电流-发射极电流的器件场效应管也被称为单极型管子,因为该管子工作时要麼只有空穴要么只有自由电子参与导电,只有一种载流子通过G极电压来控制D、S极间的电流放大信号,在电路设计中主要应用的是增强型的NMOS管和PMOS管其中增强型的NMOS管更加常用,因为NMOS的导通电阻小并且容易制造在开关电源和马达驱动的应用中,一般采用NMOS主要原因是NMOS的导通电阻小并且容易制造,另外在MOS管内部漏极D和源极S之间会寄生一个二极管,这个叫体二极管当MOS管工作的时候,不管是PMOS还是NMOS电流流动嘚方向都是必须与体二极管的方向相反。

2、三极管属于电流控制器件有输入电流才会有输出电流,场效应晶体管属于电压控制器件没囿输入电流也会有输出电流。

3、三极管输入阻抗小场效应晶体管输入阻抗大。

4、有些场效应晶体管源极和漏极可以互换三极管集电极基极发射极电流和发射极不可以互换。

5、场效应晶体管的噪声系数小适用于低噪声放大器的前置级。

6、如果希望信号源电流小应该选用場效应晶体管反之则选用三极管更为合适。

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