为什么使用TIP达林顿管管?它和IGBT有什么区别?

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IGBT:IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝緣栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低载流密喥大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小开关速度快,但导通压降大载流密度小。

IGBT综合了以上两种器件的优点驱动功率小而饱和压降低。 专业名字为绝缘栅双极型功率管 通俗点说GBT管是有MOS管(场效应管)和双极型TIP达林顿管管结合而成。将场效应管做为推动管大功率TIP达林頓管管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管功率可以做的很大。

FET简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

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