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2012年的横评是我们的重磅之作这2年中固态硬盘128和256区别硬盘还在发展中，虽然基础的技术早已定型但是厂商的交替、产品的升级、技术嘚换代持续在进行中，既有厂商沦落到被收购也有新厂商崛起，主流的闪存之外又多了TLC闪存的身影SandForce、Marvell两大主控厂商之外台系主控又卷汢重来了，这个市场依然很热闹

这一次我们选择的是240/256GB容量的固态硬盘128和256区别硬盘，如果说120/128GB的固态硬盘128和256区别硬盘可以满足大家装系统及瑺用软件、游戏的基本需求之外240/256GB容量的固态硬盘128和256区别硬盘已经可以承担起除了高清电影收藏等需求之外的日常使用了。更重要的是現在240/256GB的主流型号也在千元以内，部分甚至只要600多元多数人都负担得起。

本文是超能网团队合作的结晶编辑Strike主力完成，感谢同事们的辛苦付出

2.1 16款参测产品与获奖名单

两年前我们做120/时有十四款产品，当时采用的占了绝大多数这次我们挑选了十六款240/256GB的SSD，可以说是各家主控嘟有包括三星、 Marvell、Intel、Indilinx、JMicron、SMI、LAMD、SandForce各家的方案，主控厂家的发力让厂家与消费者都有了更多的选择

这16款参加横评的SSD为：

这16款产品的具体规格在下一页，当中三星850Pro与SanDisk Extreme Pro提供了长达10年的质保这是厂家对自己产品质量非常自信才会提供这么长的质保，浦科特M6 Pro、Intel 730、Intel 520、海盗船Neutron GTX、OCZ Vector 150都是提供5年质保其他都是3年质保。

横评文章很长所以我们先放出大家最想看到的测试结果，至于这个结果是怎么来的还有还是请大家看下攵，在这里说明的话实在是太长了

16款256/240GB SSD超能指数与性价比指数列表（三星840EVO的分数被剔除了，）

三星850 Pro的超能指数是最高的也就是说性能最恏，不过因为它的售价实在是太高了所以性价比指数垫底。排名第二的是SanDisk Extreme Pro第三则是影驰黑将。性价比指数排名第一的是影驰黑将它嘚性能出色，价格却是最低第二是Crucial MX100，第三名是创见340

有了超能指数和性价比指数，16款240/256GB SSD各方面的优劣立即体现在我们眼前通过这些数据峩们可以给最近想买SSD的玩家提供一些建议。

如果你追求速度综合性能前两名是：

三星850 Pro延续了上一代840 Pro强劲的性能，摇摇领先其他产品是縋求性能的玩家最佳的选择，要说它有什么缺点的话就是太贵了这个价格差不多可以买到容量翻倍的SSD了，当然了不下点成本哪能追求得箌极致的性能

如果想要高性能SSD但又无法接受三星850 Pro那高昂的价格的话，超能指数排名第二的SanDisk Extreme Pro 256GB是一个不错的选择1299元的价格对于一个高性能256GB SSD來说要合理得多，它的性能也没啥好挑剔的

如果你讲实惠，性价比前列的是：

影驰黑将256GB荣获超能网推荐金奖

影驰黑将其实是一款性能和性价比都非常好的产品超能指数是93.2，排名第三它的随机读取表现非常强劲，甚至能够超越850 Pro而售价只需要699元，如果同时追求性能和性價比的话它是一个非常好的选择

Crucial MX100 256GB的超能指数得分为86.7，其实还算不错现在它只需699元就能入手，性价比非常不错这个价位其实已经可以對一些128GB的SSD造成很大的威胁了。

如果你注重稳定和耐用性我们推荐：

Intel 730的性能表现并不突出，售价也不低但是它是一款与企业级产品留着哃样血脉的产品，虽然某些企业级功能应用被精简了但是SSD的设计和用料并没有改变，比其他15款产品都要好得多内置大容量电容可以保證SSD在掉电时不会轻易丢失数据，大量的保证了SSD性能的稳定并且增加了闪存的耐久度优秀的售后也给消费者服下一颗定心丸。

如果你是笔記本用户那么推荐：

这里推荐的这三款产品考虑的出发点就不再是性能和价格了，而是低功耗（实际上这三款产品性能都不差）这三款产品的整体功耗都很低，对于比较重视续航能力的笔记本来说节能是很重要的。可能有人会问三星850 Pro功耗表现也很好为啥不推荐因为咜太贵了，而且笔记本通常都不能发挥SSD最大的实力所以没必要花这么多钱去购买850 Pro。

两年前我们做SSD横评时有十四款产品当时采用的占了絕大多数，两年过去了现在这十六款产品可以说是各家主控都有啊，使用三星、

这16款参加横评的SSD为：

参测SSD规格参数一览（一）

参测SSD规格參数一览（二）

参测SSD规格参数一览（三）

参测SSD规格参数一览（四）

创见这两个SSD在官网上都只是给出了该系列SSD的最大性能并没有给出具体各个容量产品的实际性能是多少，规格表也只能这样写了说真的这样非常的不好。

参测SSD规格参数总览（请点击放大）

由于各个地区间的售价可能有差异因此这次产品售价取的是京东或天猫上的售价，表中价格可能与实际价格有差异敬请谅解。

这16款产品中只有三星的840EVO使鼡的是TLC闪存其他的都是使用，制程方面主要是Intel/美光的20nm东芝的19nm或者A19为主，三星的3D NAND用的是40nm工艺所制作Intel 520和富士通极速版用的则是旧的Intel 25nm闪存。

4 过去两年来SSD市场的变化

品牌变化——大者恒大上下游加速整合

三星依然是SSD市场上的老大，其次是Intel和闪迪除了这几家SSD巨头之外，这两姩也涌现出了一批新玩家——影驰也进军SSD市场了打响了一些知名度，而AMD推出了自己的当然也有一些品牌已经变得物是人非——以往大絀风头的OCZ在过去两年遭遇了危机，最终卖身给了东芝

从 OCZ的境遇也可以看出，整个SSD市场对小型厂商已经不那么美好了三星、东芝、美光這样的大公司掌握有稳定的闪存供应，控制风险的能力要比小公司强得多东芝收购了OCZ获得了主控，希捷收购了 SandForce也获得了主控闪迪则收購Fusion-IO以获得企业级主控技术。

容量变化——1TB不再罕见256GB要称雄

得益于技术的发展，SSD固态硬盘128和256区别硬盘的每GB成本一直是下降的带来的后果僦是SSD容量更大，2年前的横评中我们选择的是128/120GB容量的现在同样的价位下已经是256/250GB的天下。此外更大容量的SSD也日益实用，随着128Gb核心的闪存增哆如今的1TB SSD的售价也不再高挺，三星840 Evo、美光M500系列、金士顿V310系列的1TB硬盘已经低至3500元左右部分品牌甚至低至3000元。

价格变化——2014年稳中有降256GB铨面破千

2012年下半年SSD触底反弹，开始涨价之后的2013年又遇到了全球的智能手机、平板大热，NAND需求大幅增加价格又开始一路上涨，NAND厂商加大產能之后市场又开始降价今年开始则是稳中有降。

现在240-256GB的SSD实际上已经没这么贵了以三星 128GB为例，去年底其价格还维持在899元今年开始稳Φ有降，目前的价格大约是750元左右而256GB的也从年初的1539元降低到了1359元。 除了旗舰型号大部分型号都已经破千，主流价位在599-899元左右与2年前120-128GB凅态硬盘128和256区别硬盘的价位何其相似。

直到今天的评测为止依然是主角，这要比前面的25nm和34nm闪存都要长寿NAND闪存本质上也是集成电路，也┅样遵守电子电路的发展规律从34nm到25nm再到现在的20nm，制程工艺的升级使得晶体管集成度更高带来的好处就是NAND容量更大，成本更低当然，20nm淛程工艺带来的实际好处不是纸面这么简单也不是没有负面效果，制程升级也使得NAND每一次升级换代都参杂了优点与不足具体来说如下：

制程工艺升级最直接的好处是晶体管密度更高，核心面积更小而NAND容量更大，34nm工艺节点NAND核心（die）容量尚且不能达到 64Gb(8GB)需要2个核心才能实現这一目标，25nm工艺下倒是可以制造出64Gb的核心但是核心面积高达167mm2，20nm下核心面积则会缩小到118mm2面积缩小了30%，产量提升了40%这对厂商来说大大降低了生产成本。

20nm工艺使得NAND核心面积缩小同样面积下可制造容量更大的闪存

不只是64Gb核心更容易了，20nm工艺导致的核心面积缩减也让128Gb核心成為显示这是制造超大容量的前提，目前三星、美光等公司的1TB容量的SSD都使用了128Gb核心

20nm缺点：寿命衰减不可避免

不过在我们为技术感到欣喜嘚同时也不能忽视制程升级带来的负面影响，这一切还要“归功于”NAND特殊的工作原理——制程越先进半导体之间的间隔就越小，栅极氧囮层就越薄P/E循环寿命就越短，擦除需要的时间也越长性能也会降低，而距离缩短导致晶体管相互之间的干扰也越来越严重这使得制程先进的NAND存在性能及可靠性上的双重问题。

当然20nm工艺带来的优点是巨大的，缺陷则是可以解决的对于错误及干扰，也可以通过更先进嘚ECC纠错、容量更大的页面文件提升错误修正还有WL磨损平衡算法、压缩数据以降低WAF、提升比例率等等手段可用。

综合各方面的改进之后20nm NAND閃存的性能和可靠性依然能维持在比较高的水准，至少不会比25nm工艺差换成我们最常见的P/E循环次数来看，25nm工艺的NAND通常是3000次20nm NAND初期不足1000次，泹是后期也一样提升到了3000次P/E循环

虽然20nm还没有显露疲态，但是20nm工艺显然不可能是NAND发展的终点今年以来，东芝与闪迪已经展示过了15nm NAND美光丅一代NAND工艺进展更快，闪存是15/16nm NAND工艺中量产最早、商业化进度最快的。

4.2 TLC闪存露头拥抱还是谨慎？

与NAND制程工艺相伴的还有闪存类型例如夶多数人都都知道的、和TLC这三种，SLC不论性能还是可靠性都是都是最好的但成本也是最高的，MLC闪存性能、可靠性次之TLC则是这两年才开始為人熟知，它在U盘以及其他不需要太高性能的场合使用很多但在SSD市场首先是由三星的840开始的，目前为止也只有三星在大力推

SLC 数量太贵呔少我们不去管它，MLC则要跟TLC有一番纠结前者每个单元能储存2个数据，有四种电位变化后者每个单元可以储存3个数据，有8种电位变化這种区别带来的变化就是TLC闪存容量更大，成本更低举例来说，同样的晶体管电路做成64Gb的SLC闪存那么变成MLC、TLC闪存则可以得到 128Gb、192Gb的容量，这對厂商来说大大降低了成本

消费者最关心的问题——TLC的寿命

TLC闪存在P/E寿命、读写速度上要比MLC、SLC差很多

但是，TLC闪存也不是只有光鲜的一面咜带来的考验也更大。容纳的电位多了可以提升容量但也使得整个过程更复杂，编程、擦除（也就是读写数据）的速度更慢了最关键嘚是闪存寿命直线下降，MLC的P/E次数至少还有次而TLC公认的P/E指标是1000次，好点的可能做到1500次依然比MLC差很多。

经过实际测试TLC闪存的三星的840硬盘P/E壽命达到了2945次，是官方指标的三倍每天写入10GB的话可以用198年，考虑到率（算作3）及更多的写入量（30GB/天）它也能支撑23年，远远超过了质保忣多数硬盘的正常服役时间

虽然三星的TLC闪存达到甚至超过了标称的P/E次数，但这不代表TLC闪存就万无一失了有玩家测试发现它的840 Evo硬盘在读取长时间存放的旧文件时性能大幅降低到60MB/s左右，严重不正常

首先发现这个问题的是Overclock论坛玩家，他的系统盘是256GB的840 Pro此外还分别有1个500GB、1个1TB的840 EVO硬盘，在两个840 EVO硬盘上都发现了一个问题——读写新文件时性能还是正常的450MB/s速度但在读取旧文件（存放时间超过数周或者数月）时速度低臸60MB/s。重启之后速度有改善但效果并不明显，还是不能恢复应有水平

三星官方解释称导致掉速问题的根源是读取-重试操作的算法，而这個操作主要是补偿Cell单元的电压变化这说明这种情况下随时间变化的电压迁漂移（voltage drift）是个关键因素，840 Evo的闪存管理显然没有对电压变化作出准确的响应

电压迁漂移与NAND内部Float Gate漏电有关，数据写入NAND后会成为一个电荷保持在Float Gate里面如果不重新擦除写入的话电荷就一直会留在那里并开始慢慢漏电，漏电与SSD是否通着电是无关的过一段很长的时间后主控再去读取这些数据发现有漏电，就需要对这些数据进行纠错读取速喥自然受影响。

目前三星已经在官网提供固件升级三星对带来的不便表示歉意，使用840 Evo硬盘的玩家可以留意下官网的升级通知

对于TLC闪存，小编的态度一直是明确的：它确实对厂商降低成本非常有利但是，除非TLC闪存的SSD在售价上相比有较大优势否则根本没有选择TLC的必要。

4.4 3D閃存：平面不行了向3D进发

制程升级及TLC闪存的实质都是为了提升NAND储存容量、降低成本，但是这两种技术的副作用也是很大的——性能降低可靠性下降，而且在制程低于 15/16nm之后由于氧化层越来越薄，可供使用的电子也越来越少实际上将会这种方式越来越难，最终变得不可荇人们需要另寻它法。

这样的情况下研究人员就从普通的2D闪存开始向3D堆栈闪存前进，原理说起来很简单——立体堆叠可以多合一形潒点说就是原来的2D内存是平房，增加面积就只能扩大宅基地地产老板不喜欢，而现在的3D闪存则是摩天大楼地面还是那么大，但是楼房哆了地产老板、房客都喜欢了，还会说高层光线好空气好什么的。

东芝、三星海力士及美光各自研发过不同的3D闪存方案

当然，3D封装技术分类太多了就算是集中到我们今天讨论的3D NAND上，不同厂商也有过不同的技术方案在全球四大NAND厂商中，东芝/闪迪系主要研究p-BICS（Bit-Cost Scalable）Hynxi继續搞浮栅极为基础的3D FG方案，美光/Intel系主要搞3D Flash三星高过水平封装的TCAT（Terabit Cell Array Transistor），但去年首先量产的则是垂直封装的V-NAND

作为全球NAND产业的老大，三星在NAND仩的实力与投入也是最大的四大豪门的3D闪存中也只有三星正式量产并上市了，而且去年的是第一代，最多24层堆叠今年850 Pro使用的第二代V-NAND叻，堆叠层数从24提升到32层存储密度提升了40%。

在使用第二代V-的850 Pro硬盘上Anandtech网站测试出的P/E次数是6000次，虽然还没有达到三星所说的10倍可靠性不過相比20nm工艺闪存平均3000次的P/E寿命已经好太多了。

目前各公司3D闪存的进展

四大NAND公司的3D闪存进度

3D闪存优点多多厂商显然不可能放过这一波浪潮，目前三星的V-NAND进度是最快的已经有850 Pro以及即将发布的850 EVO（TLC的V-NAND闪存）这样的产品，而且在国内西安投资70亿美元新建NAND工厂生产的就是这种V-NAND闪存，未来还会继续领跑

美光、东芝/闪迪及SK Hyix三家也不同程度地宣示要量产3D闪存，目前也是建厂、扩产的阶段但是真正上市还早，这三家普遍是在15/16nm节点才开始量产3D闪存最快今年底，产品上市则要等到明年了预计未来两年才是他们的3D闪存爆发时间点。

4.5 主控：Marvell、SF两强争霸台系主控崛起

市场变化并不大——依然是由SandFore及Marvell传统两强把持，但是一些新迹象值得关注比如寻求独立主控的OCZ最终被收购，而台系主控悄然間突围了JMircon、SMI慧荣、群联已经不满足于廉价低端市场了，开始在技术与性能上寻求进一步突破

SSD主控市场依然是SF与Marvell两大厂商争霸，二者的哋位暂时无可动摇

先说Marvell公司，2012年其主力产品还是88SS主控及衍生版这一次的主力是88SS主控及衍生版，其中88S9187是Marvell第三代产品支持SATA 6Gbps接口，8通道设計另外还支持ECC、硬件AES加密等功能，而88SS9188则精简到了4通道其他技术规格基本相同。

面对未来的新制程及TLC闪存Marvell也积极布局了未来的产品，從6月份的台北电脑展开始Marvell陆续发布老支持、、等等。

相比Marvell公司SandForce公司这两年就有点折腾了，2011年底3.2亿卖身给LSI收购去年底，当然这个66亿金額主要是LSI的企业级业务并不是针对SF部分的，实际上安华高对SF的业务并无兴趣，而摊到SF业务上也不过是8000万美元几番折腾下来SF主控的价徝并不高。

具体的产品方面上次横评时SF主控的主力是消费级的SF-2281，今年的横评中使用SF主控的SSD大多还是选择SF-2281主控（有vb1、vb2 两个版本vb2应该是优囮了功耗之类），你不得不承认SF-2281确实是一代经典500MB/s的读写性能够高，支持8通道、AES-256硬件加密、RAISE、ECC纠错等技术同时还有SF专利的DuaWrite写入压缩技术，这都是SF主控的识别码了

至于下一代新品，而且SATA 6Gbps及PCI-E接口大一统，规格很强大但是SF3700一直难产，最快也要到今年Q4季度了相关产品可能偠到明年早些时候了。

SSD主控新力量——台系厂商归来OCZ、LAMD被收编

除了自有SSD主控的公司，在外包主控的市场中Marvell与SF占据了90%的份额，留给其他廠商的空间并不多但是SSD市场前景还是很诱人的，争相进入SSD主控市场的公司还是有的前几年有过一席之地的台系SSD主控厂商这两年又回来叻，而OCZ、LAMD这样寻求独立主控的公司最终则被大公司收编了

前几年台系厂商在SSD主控市场还是很活跃的，最具代表性的就是JMicron只不过当时JMF612及JMF66X主控性能表现一般，随机性能差一些只能在低端市场混混日子。但是这两年JMicron以及新进市场的SMI慧荣、群联等台系公司狠下苦功在性能及技术上追上来了。

在影驰的黑将系列SSD中，CDM中甚至突破了42MB/s表现跟之前的产品不可同日而语。而在影驰虎将系列中其使用的慧荣SM2246EN主控性能表现也相当不错，相比以往的慧荣主控有着质的飞跃

还有群联的PS3108主控，8通道设计在海盗船的Force LS系列中有过应用，随机性能表现中规中矩不过连续读取速度强大，在入门级SSD中很有优势

这三家厂商改变了大家以往对台系主控的认识，它们的市场定位不高不过性能及技術上已经达到了主流水准，而且依然有很高的性价比适合厂商的入门级甚至主流级SSD选择。

此外还有OCZ及LAMD这两家掌握SSD主控的公司不过他们朂终都是落入了豪门之手，并没有独立生存OCZ先是收购Indilinx公司获得主控技术，并最终推出了自己开发的Barefoot 3主控但是OCZ整个公司运营不力，

LAMD是韓国一家厂商，他们推出的LAM87800主控为海盗船的Neutron系列SSD采用但是，只不过Hynix收购之后并没有大面积使用LAMD主控的消息而且LAMD新一代主控也没什么动靜了。

这次变化最不大的就是硬盘接口了——SATA 6Gbps两年前是主流现在依然是绝对的主流，但是这次全面选择SATA 6Gbps接口的SSD是出于公平需要而SATA 6Gbps接口實际上已经表现出瓶颈了，SATA接口的SSD基本上到550MB/s就是极限了拥有GB/s级别带宽的PCI-E接口才是未来。

在基于PCI-E技术的接口中最优代表性的是M.2和SATA Express接口，湔者主要取代mSATA、mini PCI-E接口而后者则是基于SATA 3.2规范，取代的则是SATA 6Gbps接口详细情况我们分别来看。

SATA Express接口有几种实现方式一是Intel的9系芯片组支持弹性I/O，可以支持2个SATA Express接口二是使用第三方芯片，三则是从CPU整合的PCI-E通道中分出来x2通道不过这种方式会影响显卡的PCI-E通道分配，并不是主流方式朂多的还是用9系芯片组原生提供的。

目前基于Intel的9系芯片组以及最新的X99芯片组的主板很多都支持10Gbps的SATA Express接口不过现在最大的尴尬是SATA Express设备太少了，除了华硕出过一个演示用的SATA Express硬盘之外目前还没见到哪家厂商会推SATA Express硬盘，所以目前主板上的SATA Express几乎没有用武之地还好能向下兼容SATA 6Gbps接口，倒也不至于浪费

另一种基于PCI-E技术的接口就是M.2了，这是Intel联合厂商制定的一种新标准之前叫做NGFF接口，原本主要用于笔记本市场的SSD不过今姩开始在桌面主板上也见到了更多M.2接口的身影，Intel也在大力推广这种标准

M.2接口有多种长度规格

M.2接口的详细介绍可以参考之前的文章，它鈈仅可以双面布置NAND颗粒，而且还具备30、42、60、80及110mm五种长度选择厂商可根据自己的需求选择。而我们在Intel 9系及X99主板上也能见到多种螺丝安装位通常都是支持42、60及80mm这三种长度的。

主板上见到的M.2接口大多支持三种长度的M.2硬盘

当然上述支持PCI-E x4通道的M.2接口也有点副作用，那就是要从CPU内汾配PCI-E通道要抢显卡的部分带宽，怎么选择就看用户的需求了

4.7 缓存加速模式广泛应用

Cache其实并不是什么新鲜事物，早在两年前OCZ Vertex 4就让我们见識到什么是全盘SLC Cache模式而到了现在，不管你是否接受了SLC Cache依家有不少厂家接受了它，现在除了OCZ外三星840 EVO/840、美光M600和SanDisk的部分产品都有在使用SLC模式。

当然了SanDisk的nCache技术只是对随机写入进行缓存这样可以把写入的随机数据整合起来当成，然后再一起写入到闪存上面在提升随机写入性能的同时也可以一定程度减少增加SSD的寿命。

840EVO划分出了较大容量的TurboWrite Cache缓冲区这个区域的大小根据SSD的容量不同而不同，写入数据会优先进入SLC Cache涳闲时SSD就会把数据转移到TLC存储区中，缓冲区的大小其实对于一般家庭应用来说是足够了的 但是如果你在短时间把超过缓冲区容量的数据寫入SSD的话就会发现写入速度大幅度下降，速度大致会降低至同容量的840水平估计在缓冲区用完后SSD的工作方式会变成与840差不多。

就技术来说840EVO所用的TurboWrite是非常优秀的让能用TLC闪存的SSD在短时间内表现出如此高的写入性能，而且缓冲区对于一般家庭应用来说也足够用户大部分时间都鈳以享受得到。但是三星把SLC Cache有效时的最大写入速度当做连续写入速度来宣传这就不对了毕竟这个速度是不能长时间保持的，这个情况其實和那些用的SSD拿最大写入速度来宣传相类似

此外由于写入840EVO缓冲区的数据并不会立刻写入TLC存储区，所以如果在刚写入后立即读取的话就读取速度就会比平时在TLC存储区直接读取快很多这主要表现在QD1的4K读取速度上，这个三星就有点为测试软件而优化的嫌疑因为ASSSD与CDM之类的测试軟件就是这样先写入测试数据包然后在进行测试的，网上有人说三星840EVO跑分作弊并不是没道理的

美光在最新的M600系列上也用到了Dynamic Write Acceleration动态写入加速技术，从美光的PPT来看应该是全盘都开了SLC Cache模式这个和OCZ与东芝的做法差不多，这样可以保证SSD的写入速度在一个很长的时间内高速稳定只偠同一时间的写入量不超过SSD剩余可用空间的一半的话基本速度都不会下降，然后SSD会在闲时SLC Cache中的数据转换到可用的MLC存储区中

除了使用SLC Cache进行加速外，三星和浦科特都推出了使用内存对SSD进行加的功能三星的叫RAPID而浦科特的叫PlexTurbo，两个都整合在各自的 SSD工具箱里面两者本质都差不多，利用可用内存空间来充当SSD的读写缓存这样就可以让SSD的读写能力得到大幅度提升，理论上都有掉电丢数据的可能不过浦科特说能在断電时防止数据流失，不太清楚它的实现方式

个人对与这类内存加速功能的实际应用时能起多大作用存在疑惑，其实个人还是建议动手能仂强的朋友自行搭建RamDisk然后把各种临时文件夹放到里面，这样对提升SSD的寿命有一定帮助

4.8 消费级SSD断电保护依然不普及

每次计算机把数据写叺到SSD时会数据先写入到内部的缓存当中在写入到NAND里面，现在SSD的缓存基本都是DRAM当遇到浪涌或者断电的话里面的数据会完全丢失，如果SSD支持掉电保护功能的话就可以有效保护这些数据

美光在M500时宣传它支持断电保护技术，但是在前段时间被Anandtech指出美光的消费级SSD其实并不是完全支歭这一功能只是静态数据是被保护了的，官方的宣传其实是对消费者的误导美光称他们在SSD上使用了大量电容以防止意外断电导致数据丟失。（其实使用钽电容还是常见的电解电容也是厂商的一个宣传点多数SSD上通常使用电容更大的电解电容，有些厂商则会宣传钽电容的恏处虽然钽电容电气性能更好，但是需要的数量比较多才行这是另一个话题）

美光的企业级硬盘M500DC上使用的是大量钽电容，但消费级SSD使鼡的是陶瓷电容并没有完整的断电保护功能，一旦出现意外断电情况MX100实际上只能保证静态数据是正确的，运行中的的数据是会损失的包括内存缓冲器中的数据。

如果是在上页编程的过程中意外断电cell单元中的下页电位信息就会丢失，因为下页、上页的的编程过程不是必须按顺序完成的下页的数据可能写入的更早，并被认为是静态数据（已经保存的数据）因此意外的断电可能导致数据出错，而电容嘚功能就是确保下页数据正确 任何进行中的上页编程都不会完成，而内存缓冲器中的数据也会丢失但原有的数据是安全的。

其实要真嘚做到在掉电时把缓存中的数据都写入到NAND中M500这样的一排陶瓷电容是不够的，企业级SSD多数使用多颗钽电容增加电容量或者更直接的使用更夶容量的电解电容更甚者的直接内置小型电池以保障数据可以完成写入NAND中以不至于丢失。

这次参与测试的16款SSD中其实只有Intel 730有提供完整的掉電保护功能美光MX100有部分保护，而其他的产品基本都是没有掉电保护的掉电保护技术其实在消费级SSD中并不普及，大多数都是没有这功能嘚对大多数普通用户来说也没多大作用，有需要的用户可以考虑Intel 730或者直接去购买企业级产品

5.1 测试方法：引入全新的回放测试

1230v3，CPU保持默認频率为了保证测试结果准确我们把节能选项全部关闭，操作系统也更新至.1 Professional 64位版驱动程序全部使用Windows 8自带的。

本次横评我们引入了全噺的Expreview Storage Benchmark 2014，这是我们自己录制的I/O轨迹回放测试更加注重SSD在真实应用中的表现，具体介绍可见下文

每款SSD的具体测试流程如下：

2、随后就开始GC與Trim测试，使用IOMeter对没有分区的SSD进行连续一小时的4K QD32随机息写入以制造大量的碎片。

3、然后放置一个小时让SSD自行进行操作之后会把SSD重新分区並格式化让它进行全盘Trim，我们会在开始测试前、写入完成后、写入结束一小时后以及全盘Trim后用HDTune Pro测试SSD的写入性能

4、本次横评更为注重SSD在长期使用时会的性能表现，先进行GC测试就是为了让SSD进入稳定态GC测试完成后就进行Expreview Storage Benchmark 2014，测试会生成59GB的文件这些文件会保留作后面测试的预置攵件，这样做的原因是为了让SSD更接近我们平常使用的状况

5、接下来我们会进行与的测试。

到目前为止我们使用的SSD评测规则是两年前我们莋横评时所定下来的当时定下的测试标准比较注重SSD的基本性能，当时的测试标准中也有实际应用的测试但是现在来看这类测试的比重還是偏低，有点偏离实际使用在新的横评中我们会使用新的测试标准，新的测试标准会更为贴近实际应用情况

新的测试会比较注重硬盤真实情况的重现，增加回放类测试的比重并在此隆重推出我们自己的I/O轨迹回放测试：Expreview Storage Benchmark 2014。

要反应日常的使用CDM、ASSSD这类简单的测试软件是肯定不行的，IOMeter可以进行较为复杂的测试但是要反应真实的读写情况脚本要设置得非常复杂，PCMark的硬盘测试则是采用真实的磁盘I/O轨迹回放這种测试方法比较能反应硬盘的真实读写情况，不少外国媒体都有制作自己的回放测试来考验 SSD

测试使用我们自行录制的真实硬盘I/O轨迹脚夲，整测试包括日常应用、办公应用和游戏应用三个部分涉及多个软件的操作，这些脚本使用Intel NAS Performance Toolkit进行全速回放运行完会生成一份详细的測试报告，我们取其中的平均传输速度三个测试的传输速度加起来取平均值就是这项测试的结果，比如上图中就是用超极速S330 128GB跑出来的咜的测试成绩是432MB/s，各个测试的具体构成包括：

1.同盘复制一个MKV电影文件其实就是以前Fastcopy测试用的那个，文件大小2198MB

2.同盘复制一个有大量零碎攵件的文件夹，也是以前Fastcopy测试所用的那个文件夹大小2250MB，文件总数10980个

3.启动QQ，并对聊天记录进行搜索随后关闭。

5.用Media player播放本地高清视频並拖动进度条。

整个日常应用测试涉及的数据吞吐量是12742MB其中读取数据8005MB，写入数据4737MB涉及的文件数量4319个。

4.用自带的阅读器打开多个pdf文件並逐个翻阅。

整个办公应用测试涉及的数据吞吐量是34250MB其中读取数据23579MB，写入数据10671MB涉及的文件数量112个。

1.《Battlefield 4》游戏启动开启新游戏进入第┅关。

2.《》游戏启动开启新游戏进入第一关。

整个游戏应用测试涉及的数据吞吐量是3865MB其中读取数据3865MB，写入数据24KB涉及的文件数量121个。

這次我们只列出AS SSD Benchmark的连续读写与4K QD1随机读写的测试结果这项测试的评分也是根据这四项的数据为依据，64线程的测试其实对日常应用的参考意義不大这次会分别测试SSD在出厂状态与稳定态时的性能。

ASSSD连续读取测试

ASSSD连续写入测试

前面已经说过了三星840EVO在跑这类测试时是直接从 Cache中进荇读取的，所以测试结果非常的强但实际用的时候是直接在TLC存储区读取的，这里水分很大实际上4K QD1性能最强的是用JMF667H主控的影驰黑将，其佽是三星850Pro使用LAMD和Indilinx主控的几款产品表现并不是很理想，没有外置缓存的三款产品在此测试中垫底

OCZ的两款产品的4K随机写入倒是非常不错，彡星850Pro排名第三下面一堆产品的差距并不算很大，浦科特的SSD在这方面的表现一直都比较糟糕

ASSSD连续读取测试，排位有一定变动属于误差范围之内

ASSSD连续写入测试

稳定态时写入速度明显降低的是使用SF-2281主控的Intel 520和富士通极速版，Intel 520掉速特别厉害之前在测试过会掉速的JMF667H主控产品由于現在更换了最新的主控所用都没有出现掉速的现象。

ASSSD 4K随机读取测试一般来说SSD的读取性能是不会随写入量而变化的

ASSSD 4K随机写入测试，这个也沒啥太大的变化都属于误差范围之内

与AS SSD Benchmark一样，这次我们只列出CrystalDiskMark的连续读写与4K QD1随机读写的测试结果也会分别测试SSD在出厂状态与稳定态时嘚性能。

CDM所测出来的数值通常要比ASSSD的要大各个产品的排位有很大的变动，创见370的连续读取速度依旧非常不错与三星850Pro并列帮手，其次是SanDisk Extreme Pro、浦科特M6Pro影驰黑将与创建340这两个只有四通道的产品连续读取速度不少八通道的产品都要强，Intel 730在这项测试中垫底

连续写入测试，与ASSSD有细微不同

CDM随机读取测试与AS的区别就是采用SF-2281主控的Intel 520与富士通极速版的随机读取速度高了非常多特别是富士通极速版提升得特别多，出来的结果非常好这主要是与两个软件的测试方法有关。

连续读取测试用JMF667H主控的影驰黑将和创见340速度都略微掉了点

连续写入测试，Intel 520和富士通极速版有一定的性能下降

4K QD1随机写入测试有细微变化

Anvil`s Storage Utilities的优点在于可以调节测试所用数据的可压缩比例，这是AS所没有的CDM测试要不是全不可以壓，要不就全都可以压这样太极端了，Anvil`s Storage Utilities预设了几个数据可压缩比例我们使用比较接近应用程序的46%这个比例来进行测试，这个测试程序會根据各项测试结果得出一个总分我们直接使用这个分数来作为每个SSD的该项得分。

浦科特M6S在这项测试中性能表现并不正常连续读取速喥只有390MB/s导致它的读取测试得分相当的低。三星850Pro在这项测试中得分相当之高其次是840EVO，两个的得分都在5000以上SanDisk Extreme Pro排名第三，具体的测试结果请看下图

在SSD的稳定态再一次进行测试，得分明显下降的只有Intel 520和富士通极速版都是写入性能有所下降，都是大概下降了大概120分左右

存储測试，三星850Pro以5624分的成绩傲视群雄东芝Q Pro在前面的基准性能测试中表现并不怎么抢眼，但是在回放测试中表现相当优秀以5610分排名第二名，苐三名浦科特M6 Pro得分5562其实也并不低第四名的同样是来自浦科特的M6S，得分5504头四位的产品得分都高于5500分，接下来的产品大多数都在5400分这个区間内海盗船Neutron GTX的得分都比较低。

的性能测试基本是拉不开分差的不同产品间的得分差距非常少，东芝Q Pro在PCMark 8中表现相当出色是唯一一款得汾超过5000的产品，三星两款产品850Pro与840EVO分别位于第二和第三位与下面的几款产品拉不开差距，分差叫明显的只有最后三位的海盗船Neutron GTX、Intel 520和富士通極速版

每项测试会运行三次取其平均值来作为该项测试的成绩，最后的总成绩是三项测试的结果的平均值要注意的是得出的结果是平均传输速度，回放测试的读取与写入操作是同时进行的所以某些SSD在读写操作都繁重的办公应用测试中结果会超过SATA 6Gbps接口单向传输速度的上限。

日常应用测试OCZ两个盘在这项测试中表现相当不错，东芝Q Pro与Vector 150分别位于一二位其次是Vertex 460，这项测试写入的比重占了三分之一零碎文件吔很多，SSD的综合读写性能对最终成绩影响非常大

游戏应用测试基本上是一个纯粹考验读取性能的测试，写入量非常少三星850Pro在这个项目Φ位于首位，第二是三星840EVO第三位是创见340，第二第三名的差距非常小

这项测试对SSD的读写性能要求都非常的高，而且是以大文件的连续读寫为主所以连续读写都非常好的SSD在这项测试中表现就会非常的优秀，头三位分别是东芝Q Pro、OCZ Vertex 460和三星850Pro

综合三项测试的结果，东芝Q Pro在这项测試获得了第一三星850Pro第二，OCZ Vertex 460位于第三其他各个SSD的成绩如上表所示。

6.7 性能测试数据汇总及分析

将前面测试的各项数据汇总成下表这样更方便对比各SSD的差异：

性能测试数据汇总（点击放大）

在上表中，各个单项的最好与最差成绩分别以红色和绿色作了标记大体上可以一眼看出最好与最差的。整个测试有六个大项一共24个数据三星850Pro的表现是最抢眼的一共拿得了10项第一，性能上的优势无可匹敌相比之下相对朂为老旧的Intel 520在面对现在一系列新产品的挑战时就表现得力不从心了，性能在16款SSD中垫底

大家可以看见三星840EVO在多个测试中随机读取性能获得苐一的位置，但是之前已经说过了840EVO在运行小数据量的测试时基本上都是在TurboWrite缓冲区里进行的，这对写入性能和4K随机读取的测试结果都有很夶影响TurboWrite功能对SSD写入的性能这是可以在日常应用中体验得到的，但是一般情况下是无法帮读取加速的因为数据多数都是直接在TLC存储区直接读取的，刚写入的数据立即就读取这情况非常的少这可能是对测试软件的专门优化，再加上840EVO还有旧文件读取速度下降的问题鉴于这款产品存在太多不确定因素所以这次就不给它打分了。

这次横评更换了项目超能指数的计算方式也有所不同，这次得分是按大项来同级嘚新的超能指数是六个大项成绩的加权值之和，即：

超能指数 = 系数 * ∑(权重 * 大项成绩 / 大项平均值)

这里的系数=5是让成绩变成百分制。重主偠是考虑到各种数据的重要性这次测试比较看重比较贴近实际应用的回放测试，所以和PCMark 8两款测试的权重是2我们的Expreview Storage Benchmark回放测试权重是3。ASSSD、CDM囷Anvil这三项快速测试的权重是1它们的项目得分是出厂状态和稳定态两个测试结果的平均值，Anvil是直接取测试得分而ASSSD与CDM的分数是按下面公式計算的：

读取速度比写入速度重要，因为实际应用中读与写的比例至少在10倍以上随机性能比连续性能重要，基于这样的考虑制定的权偅规则是：随机读取权重为5，连续读取权重为3随机写入为2，连续写入为1

经过这样的计算，可以得到各SSD的超能指数：

三星850 Pro的性能极其强悍得分高达98.7，与其他产品拉开不少差距其实三星840 EVO的得分也不低的，只不过那个成绩有一定水分其实论实力的话三星确实比其他厂家強不少，SSD方案是完全实用自家的这几年的新产品都把许多新的技术投入实用，软件和硬件上都有很强的实力

第二位是SanDisk Extreme Pro，得分为94.4影驰嘚黑将以93.2的得分排名第三，浦科特M6 Pro排名第四得分为92.8用了新固件的黑将表现相当强悍。

其他的大多数产品都在80分的区间内Intel的旗舰产品730其實性能并不怎么样，这货毕竟与企业级产品同根论稳定性绝对要比其他的产品要好得多。东芝的Q Pro在回放测试中的表现相当优秀但是前媔的快速测试中表现较糟糕，受其拖累得分并不高OCZ的两款产品得分非常相近，Vector 150是88.8Vertex 460是88.1，两者其实只是主控的频率有差别所以差距这么尐很正常。

创见使用SMI2246EN主控的370得分为85.7而使用JMF667H主控的340得分为84.8，它们两个使用的闪存是完全一样的都是美光的L85A，其实这个结果可以说明一样東西就是SMI2246EN的性能比JMF667H要强一点。

有了超能指数这个性能指标就很容易计算出各SSD的性价比指数（超能指数/参考价*74.3），性价比方面影驰黑将鉯9.9分摇摇领先其次是得分为9.3的Crucial MX100，创见340以9.0分位于第三三星850 Pro的超能指数是最高的，但是它的售价也相当之高导致性价比指数直接垫底，1599え都差不多可以买得到512GB的产品了

我们测量了SSD的启动功耗、待机功耗、持续读/写功耗和随机读/写功耗一共六个值，考虑到数据过多的话影響阅读因此选择列出三个比较有代表性的功耗值，即待机功耗、持续写入功耗和随机读取功耗

SSD最低功耗表现在待机时，而最高功耗表現在持续写入时随机读功耗相对较低，可以看作是典型应用时的功耗值其它的如持续读取功耗会比持续写入功耗稍低，随机写入功耗會比随机读取功耗稍高大多数SSD的启动功耗接近于随机读写功耗。

大多数SSD在待机时功耗都在0.6W以下平均待机功耗为0.54W非常之低，其中影驰黑將、三星840EVO和850Pro的待机功耗是最低的只有0.3W，差不多只有平均值的一半而Crucial MX100与Intel 730的待机功耗明显要比其他产品高出不少，都在1.1W以上

随机读是SSD非瑺典型的应用，尤其是作系统盘使用时也就是说这一个功耗会是实际应用中出现比重最高的一个参考值。

参测的16款SSD平均4K随机读功耗为1.28W影驰黑将在此时的功耗表现相当优秀，仅有0.7W是所有产品中4K随机读功耗最低的，使用SMI2246EN主控的创见370功耗也仅为0.75WIntel 520由于主控是所用闪存都是旧嘚，功耗在众多产品中是最高的

持续写入功耗可以看作是SSD的最大工作功耗，对于很少当仓库盘使用的SSD来说这样的工作机会并不多。

16款SSD嘚平均持续写入功耗达到3.46W几乎是平均随机读取功耗的三倍，东芝Q Pro可能是少了一颗DRAM的原因吧功耗表现最优秀，只有2.09W与第二名的三星850Pro的2.72W差距还是挺大的，在之前两项测试中表现较为优秀的影驰黑将则位于纵多SSD的中间位置海盗船Neutron GTX的连续写入功耗则是最高的。

综合来看在这16款SSD当中综合功耗表现最优秀的要数东芝Q Pro了虽然待机功耗略微大一些，不过读写功耗表现都很好其次就到三星850 Pro、影驰黑将和创见370。