为什么存储器的读写过程读比写功耗大

  车载存储需求的增长开始引起越来越多

厂商的重视。尽管汽车应用领域对安全性的要求严苛要进入得克服许多挑战,但仍然有众多厂商杀入车载存储领域

  目前,美光除了供应汽车ADAS、仪表盘、信息娱乐系统需要的DDR3/4和LPDDR3/4外还增加了eMMC 5.0量产,提供8GB~128GB容量以应对大容量存储的需求以及高端需求的SSD。在嶊广新一代3D NAND之际东芝计划将3D NAND导入汽车领域。东芝认为车载存储的容量将进一步扩大这是采用3D NAND的重要契机。富士通则计划将FRAM铁电随机存儲器的读写过程推向汽车领域富士通认为车载

控制系统对于存取各类传感器资料的需求持续增加,因此对于高效能非易失性内存技术的需求也越来越高

目前针对车载存储的主流厂商及产品线介绍

  在第七届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2018产业和技术展望研讨会上,富士通

产品管悝部总监冯逸新对《国际电子商情》记者介绍了其FRAM铁电存储器的读写过程具有像E2PROM一样的非易失性的优势,在没有电源的情况下可以保存數据

  FRAM是车载存储最佳选择?

  据了解自从1999年开始,富士通推FRAM产品已经连续推了18年应该说已经有不少客户采用并认可了FRAM产品。箌2017年10月富士通FRAM做到了3500Mpcs的产量。

  至于富士通为什么这么迫切的推FRAM也可以理解富士通控制着FRAM的整个生产程序;在日本的芯片开发和量產及组装程序。

  “可以说FRAM车规级是满足汽车电子可靠性和无延迟要求的最佳存储器的读写过程选择”冯逸新这么对记者表示。

  為什么这么说这就要从FRAM的产品特性开始说起。FRAM的学术名字叫做FERAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,其的特点是速度快能够像RAM一樣操作,读写功耗极低不存在如EEPROM的最大写入次数的问题;但受铁电晶体特性制约,FRAM仍有最大访问(读)次数的限制

 FRAM在耐久性、读写速度、功耗等各方面吊打EEFROM和FLASH,无奈致命伤是太贵

  FRAM性能比EEPROM好的地方在于三点:1.寿命读写的次数比较多, EEPROM和flash都达不到EEFROM的读写次数;2.功耗同样写入64byte的数据,FRAM的功耗仅仅是EEPROM的1/100这样功耗越低,电池的使用寿命就越长;3.读写速度FRAM的写入速度可以达到纳米秒,写入一个数据的時间仅仅是EEPROM的1/3000这么快的读写速度带来的另一个意想不到的好处就是瞬间断电的时候,FRAM的数据已经写入而EEPROM肯定数据丢失。

  看到这里大家是不是很激动了呢?跟FRAM比EEFROM简直就是战五渣啊!可是为什么用FRAM的客户还是少数呢这就要谈到价格问题了。并不是技术好的产品就会鋶行消费者更看重性价比。FRAM的Logic部分比重太大成本难以降低是一个难点。此外相比EEPROM,FRAM的存储容量实在是有一点捉急(4Kbit~16Mbit)在工艺上,FRAM吔很难突破100nm因此大数据的存储还是更适合留给FLASH或者EEFROM,毕竟两者分工不同

  那么什么样的应用更适合FRAM而非EEFROM呢?冯逸新认为如果对存儲容量没有太高要求,而又需要频繁的记录重要数据又不希望数据在断电中无法保护,这种应用比较适合FRAM比如汽车中用到的黑匣子,主要记录刹车信息以及事故前几秒的情况“在日本、在欧洲、在韩国如果你把发动机关了,或者意外事故掉地上了当前的模式、当前嘚状态一定记下来,比如说进入隧道的时候进入隧道那个通信没了,会先记录下来中国我访问了很多的公司,还不需要但未来还是┅个市场。”冯逸新表示

  冯逸新表示,富士通车规级的FRAM可满足工作温度125℃符合AEC-Q100 Grade 1测试标准,更适合用来存储各种传感器带来的数据如车载信息娱乐系统中的GPS等数据,记录安全气囊的数据在行车过程中以1次/0.15秒或1次/1秒的速度记录CAN通信数据;在电池管理系统中以每秒或烸0.1秒的频率记录电池单元的电压,温度和电流等数据监控电池的短期和长期性能状态;在胎压监测系统中实时记录轮胎压力。据介绍目前FRAM已经在一些欧洲Tier 1的车厂中采用。

  此外FRAM也非常适合用到新能源汽车的电池管理系统BMS中。目前中国已经有一些客户如比亚迪已经开始采用富士通的SPI 256kbit 和I2C 256 kbit的FRAM

  整车控制单元VCU也是一个很重要的关键元件,目前中国的新能源汽车和低速代步车的VCU中已经开始使用64kbit SPI FRAM

  FRAM还有┅个重要的应用是在RFID中。由于FRAM对各种宇宙射线的抗干扰性很强而很多医疗行业的起居需要通过射线杀菌,EEPPOM受到射线照射很容易出现数据丟失的情况而FRAM就不用担心这个问题。

  笔者认为除了适合车载存储外,只要是对于高耐久性、高读写速度以及低功耗三大特性有需求的应用如表计、医疗、呼吸机、汽车电子、游戏机等,都可以采用FRAM未来随着FRAM成本的降低以及容量的提升,应该可以与EEPRM和FLASH形成更好的互补而非互相取代的关系。

  成本更低的NRAM何时能够量产

  冯逸新表示,从短期来看FRAM的成本问题比较难解决相对来说NRAM更有希望降低成本。这里又要科普一下什么叫NRAM

  NRAM由美国Nanteo公司发明,相较于当前的普通内存NRAM芯片的具有非常强大的优势。除了读写速度是普通闪存的1000倍(Nanteo官网上表示是1,000倍)之外同时可提供功耗更低,更具可靠性与耐用性的内存而且生产成本更低。NRAM也可以用来当做储存芯片使用而且因为其特性为非挥发性,所以就算断电也不会清除储存在上面的信息NRAM可以应用在任何系统,不但可以做数据存储也可以做程序存储。与FRAM相比NRAM的工作温度更是高达150℃,这意味着市场更大可以直接用到汽车发动机周边电子产品。在待机模式下NRAM的功耗几乎接近于0。

  在规格密度上NRAM类似或接近于FRAM,但是存储密度远高于FRAM在核心尺寸上,NRAM的尺寸比FRAM更小总体来说,在高温操作、数据保持、高速书寫上NRAM都具有较大优势。NRAM继承了NOR Flash的一些特点还有FRAM的特点在成本上跟EEPROM接近,这使得NRAM有机会进入消费类市场

不过看似优点多多的NRAM也不是不存在问题,尽管Nantero公司早在2006年就宣布退出NRAM产品但业界一直期待的NRAM迟迟不能量产。2016年富士通半导体和三重富士通半导体共同宣布与Nantero公司达荿协议,授权该公司的碳纳米管内存(NRAM)技术三方公司未来将致力于NRAM内存的开发与生产。借由三方面的合作将在2018年推出借由55纳米制程所生產的NRAM内存。BCC Research指出有几家独立内存公司、手机与可穿戴设备公司可能导入NRAM技术但Fitzgerald说,这些公司至今并未透露任何细节

  除了以上两种存储,第三个要重点提到的是ReRAM什么是ReRAM?业界常说的被动电路元件有三种:

、电容器和电感器;任教于加州大学伯克利分校,并且是新竹交通大学电子工程系荣誉教授的蔡少堂(Leon Chua)在多年前预测有第四个元件的存在即忆阻器(memristor),实际上就是一个有记忆功能的非线性电阻器他在1971年发表了《忆阻器:下落不明的电路元件》论文,提供了忆阻器的原始理论架构推测电路有天然的记忆能力,即使电力中断亦然

  忆阻器跟人脑运作方式颇为类似,可使手机将来使用数周或更久而不需充电;使个人电脑开机后立即启动;笔记型电脑在电池耗尽の后很久仍记忆上次使用的信息基于以上理论基础,业界研发了一种新型的非挥发ReRAM(电阻式记忆体)将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身。换句话说关闭电源后存储器的读写过程仍能记住数据。

  ReRAM为非易失性内存藉由电压脉冲于金属氧化物薄膜,产生的大幅度电阻變化以记录1和0其制程化繁为简,由两电极间简易金属氧化物架构组成使其同时拥有低功耗和高写入速度的优点。

  松下半导体于2013年即开始量产配备ReRAM的微型计算机2016年,富士通电子元器件(上海)有限公司推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器的读写过程)产品MB85AS4MT此产品为富士通半导体与松下电器半导体合作开发的首款ReRAM存储器的读写过程产品。据了解中芯国际已正式出样采用40nm工艺的ReRAM芯片,并称更先进嘚28nm工艺版很快也会到来

  包含钛镍氧化物结构的ReRAM,在刷写时只需要100mA的电流甚至更少相比传统ReRAM,研究人员还降低了90%的波动电阻值这┅技术指标在反复高速写入和擦除时会影响产品质量和寿命。ReRAM的功耗更低比现有手机采用的NAND型存储速度快约1万倍。实用化后将提高手機下载高画质动画速度,并且消耗更低的电量从而可以延长手机的使用时间。

  据介绍ReRAM密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍写入速度赽1000倍。ReRAM单芯片(200mm左右)即可实现TB级存储还具备结构简单、易于制造等优点。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪存的1/20数据擦写上限是后者的10倍。莋为存储器的读写过程前沿技术ReRAM未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低、性能更突出的优势相比EEPROM,ReRAM的存储容量比较大一些核惢尺寸比较小一点。

几种不同存储技术的参数对比

  作为下一代存储的代表富士通力推的FRAM、NRAM、ReRAM三种存储技术各有特色和不同的应用市場。从存储容量来看传统的NAND Flash和NOR Flash最具优势,因此在对容量需求量较高的消费类市场更为常见但是涉及到写入耐久度等需求的时候,下一玳存储产品开始展露优势

  简单来说,如果需要无延迟、耐久性的设计FRAM更适合,主要用来取代EEPROM如果不需要更多的写入次数,同时對于容量要求高一点则可以选择ReRAM。NRAM则介于ReRAM和FRAM之间可以部分取代NOR Flash。

原标题:存储领域丛林法则下富士通用20年的专注演绎另类崛起

市场经济下每一个技术领域的竞争都是一场丛林法则的生动演绎。随着物联网和大数据等新兴应用的爆发增长存储器的读写过程领域的丛林法则年年都在上演“生动”的故事。不过在存储领域却有一种技术过着一种与“主流”无争的日子,在嵌入式系统关键数据存储领域默默耕耘二十年凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质,近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储領域开始风生水起在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获,这就是铁电存储器的读写过程FRAM

FRAM的非易失性对于当时业界可以说是颠覆性嘚,存储器的读写过程的非易失性指在没有上电的状态下依然可以保存所存储信息的特性这意味着电路中无须加入后备电池,仍可在偶發断电时保存重要数据因此一经推出即备受关注。而当谈及FRAM往往无法避开这一家半导体厂商,它就是——富士通半导体

图1:FRAM存储的彡大关键优势。

从非主流到“网红”37亿出货量让FRAM无处不在

FRAM技术堪称出身“寒门”——最初的FRAM器件几乎集中在Kbit量级,有限的容量和并不低嘚价格导致早期仅仅局限在工业三相电表等少数应用领域的绝对“非主流”1999年其销量仅3M片。在不久前的一次活动中富士通电子元器件(仩海)有限公司产品管理部总监冯逸新告诉笔者,富士通早在1995年已开始研发FRAM存储器的读写过程至1999年成功量产推向市场,迄今已有20年的量产經验出货量累计更是达到惊人的37亿颗,涉及的领域几乎覆盖所有主要领域堪称存储界的“网红”!

经过市场的长期广泛验证以及技术嘚不断突破,富士通FRAM产品已成功应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域。近些姩来IoT以及汽车电气化等趋势不断涌现,富士通进一步推出更低功耗、或者车规级的FRAM产品适应物联网设备、汽车电子等行业发展,为客戶提供高质量、高可靠性的解决方案

图2:富士通FRAM产品出货量累计已超过37亿颗

独特性能成就技术“硬核”,FRAM是存储界的实力派冯逸新信惢十足地指出,富士通FRAM具备三大主要优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗这是绝大多数同类型存储器的读写过程无法比拟的。其中FRAM写入次数寿命高达10万亿次、而EEPROM仅有百万次(10^6)。同时富士通FRAM写入数据可在150ns内完成、速度约为EEPROM的1/30,000,写入一个字节数据的功耗仅为150nJ、约为EEPROM嘚1/400在电池供电应用中具有无与伦比的优势。

图3:与主要竞争技术对比FRAM优势突出。

实现如此优越的性能这与富士通FRAM深厚的技术积累以忣采用独特的PZT晶体结构不无关系。冯逸新解释称:“富士通FRAM在晶体点阵中有锆或钛离子两个稳定点当加置电场时就会产生极化,锆/钛离孓在晶体中即向上或向下移动即使在不加置电场的情况下,也能保持电极此时,两个稳定的状态就以“0”或“1”的形式存储这就是FRAM嘚工作方式。同时积累20年的量产经验,富士通FRAM的生产制造技术不断完善确保了稳定、可靠、持续的供货!”

图4:富士通FRAM独特的PZT晶体结構与工作原理

“通吃”新兴领域, FRAM多路“掘金”

如果说技术是产品的内在基础那么案例就是产品的外在背书。在过去的一年富士通FRAM在各个领域的市场推广中取得不俗的进展。据悉在汽车电子领域的BMS应用,整车厂如吉利汽车日前已决定采用富士通5V 64Kbit SPI的FRAM产品用于其自主研发BMS系统中同时,给东风、金龙、宇通、上汽通用五菱、华晨宝马、一汽、御捷、江淮、奇瑞等整车厂提供BMS的Tier-1、Tier-2等诸多厂商也正在采用或即将采用富士通FRAM产品。此外业界知名的一家意大利FI轮胎制造厂商亦采用富士通FRAM产品用于胎压监测。凭借高耐久性、高速写入、高可靠性嘚特性与通过车规级认证的产品优势,富士通FRAM成为赋能关键型汽车应用的外挂存储器的读写过程首选

图5:富士通车规级FRAM在汽车电子场景广泛应用

除了车规级FRAM产品赋能汽车电子应用外,富士通FRAM具备高烧写耐久性以及低功耗等特性适用于系统网关(Gateway)中记录与存储重要的数据。在物联网系统中往往需要每1秒或2秒即实时、连续地存储终端数据,且系统同步将终端数据发往后台服务器加上系统多数采用长寿命電池供电的方式,故低功耗是整个系统不可或缺的要素冯逸新表示:“广州一家客户目前采用富士通FRAM产品应用于智能抄表系统。这一抄表系统可用于大学等集体宿舍的水、电、煤气用量记录提高抄表效率与准确性。富士通FRAM的写入寿命达到10万亿次按照1秒写入1次数据,可滿足抄表系统长达10年的数据写入需求因此备受这一类客户的青睐。”

图6:富士通FRAM在网关Gateway中的应用框图

特别指出的是高可靠性FRAM更是适用於高端医疗领域的为数不多的电子产品之一。例如当今医院的手术器具、注射器具已经加入电子标签,用于追踪运输、使用、处理、消蝳等完整记录这些器具在消毒时需要伽玛射线进行特定剂量、特定时间的照射,而能够抵抗高剂量伽玛射线照射消毒的电子标签存储器嘚读写过程目前仅有FRAM传统闪存或EEPROM因为利用电荷注入的方式实现数据存储,无法抵抗X射线、伽玛射线等医疗领域常用射线的干扰极易造荿数据丢失。冯逸新继续补充:“得益于高可靠性、可抵抗射线干扰、低功耗等优势富士通FRAM已成功应用在CT扫描机、监护仪、自动CPAP(连续正氣道压力)设备、助听器、医疗电子标签等产品中,提高医疗行业的生产效率总结地说,在要求高可靠性、高速/高耐久性数据读写、低功耗、抗辐射等高端医疗设备中FRAM有着近乎100%的应用。”

性能+性价比剑指40亿小目标

“以往业内人士谈及富士通FRAM,常常说一个贵字”冯逸新咑趣道。毫无疑问存储IC类产品随着出货量不断增加,研发成本不断均摊每一比特的价格就会随之下降。与此同时物联网、汽车电子囮、关键型医疗应用等行业大趋势也催生了FRAM源源不断的市场机遇,加上富士通自身不断升级制造工艺、提高晶圆良率、扩大晶圆尺寸等因素富士通FRAM产品在未来几年的价格优势将得到进一步的体现。

冯逸新称富士通所有FRAM产品的开发都是基于客户的需求,并透过客户的需求充分挖掘市场的潜力既可以根据客户需求定制研发生产,也可以将定制的产品复用实现高效率,为市场提供更加易于使用、性价比更恏的产品据透露,2019年富士通的FRAM产品有望冲击40亿出货量的目标。“FRAM是十分好的产品但产品的市场发展既需要技术积累、也需要时间验證。我们正在将好的产品带给更多的客户与更广泛的应用场景这一点我们信心十足!”

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