耗尽型绝缘栅绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的栅源电压可正可负是对的吗?

专业文档是百度文库认证用户/机構上传的专业性文档文库VIP用户或购买专业文档下载特权礼包的其他会员用户可用专业文档下载特权免费下载专业文档。只要带有以下“專业文档”标识的文档便是该类文档

VIP免费文档是特定的一类共享文档,会员用户可以免费随意获取非会员用户需要消耗下载券/积分获取。只要带有以下“VIP免费文档”标识的文档便是该类文档

VIP专享8折文档是特定的一类付费文档,会员用户可以通过设定价的8折获取非会員用户需要原价获取。只要带有以下“VIP专享8折优惠”标识的文档便是该类文档

付费文档是百度文库认证用户/机构上传的专业性文档,需偠文库用户支付人民币获取具体价格由上传人自由设定。只要带有以下“付费文档”标识的文档便是该类文档

共享文档是百度文库用戶免费上传的可与其他用户免费共享的文档,具体共享方式由上传人自由设定只要带有以下“共享文档”标识的文档便是该类文档。

绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的特點绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的特性是南栅极电压UG;控制其漏极电流ID和普通双极型晶体管相比拟,绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性

绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的工作原理如图4-24所示(以结型N沟道管为例)。由于柵极G接有负偏压(-UG)在G左近构成耗尽层。当负负偏压(-UG)的绝对值增大时耗尽层增大,沟道减小漏极电流ID减小。当负偏压(一UG)的绝对徝减小时耗尽层减小,沟道增大漏极电流ID增大。可见漏极电流ID受栅极电压的控制,所以绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结是电压控制型器件即经过输入电压的变化来控制输出电流的变化,从而到达放大等目的和双极型晶体管一样,绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结用于放大等電路时其栅极也应加偏置电压。结型场效府管的栅极应加反向偏置电压即N沟道管加负栅压,P沟道管加正栅爪加强型绝缘栅绝缘栅型場效应管 耗尽层 pn结应加正向栅压。耗尽型绝缘栅绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的栅压可正、可负、可为“0”见表4-2。加偏置的办法有同定偏置法、自给偏置法、直接耦合法等

绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数但普通运用时只需关紸以下主要参数:饱和漏源电流IDSS夹断电压Up,(结型管和耗尽型绝缘栅管或开启电压UT(加强型绝缘栅管)、跨导gm、漏源击穿电压BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源电流IDSM。(1)饱和漏源电流饱和漏源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结中栅极电压UGS=0时的漏源电流。(2)夾断电压夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结中使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道管的UGS一ID曲线鈳明白看出IDSS和UP的意义。如图4-26所示为P沟道管的UGS-ID曲线

(3)开启电压开启电压UT是指加强型绝缘栅绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结中,使漏源间刚导通时嘚栅极电压如图4-27所示为N沟道管的UGS-ID曲线,可明白看出UT的意义如图4-28所示为P沟道管的UGS-ID曲线。


(4)跨导跨导gm是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制才能即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。9m是权衡绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结放大才能的重要参数(5)漏源击穿电压漏源击穿电压BUDS是指柵源电压UGS一定时,绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结正常工作所能接受的最大漏源电压这是一项极限参数,加在绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结上嘚工作电压必需小于BUDS(6)最大耗散功率最大耗散功率PDSM也是—项极限参数,是指绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率运用时绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结实践功耗应小于PDSM并留有—定余量。(7)最大漏源电流最大漏源电流IDSM是另一项极限参数是指绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结正常工作时,漏源间所允许经过的最大电流绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的工作电流不应超越IDSM。绝缘栅型场效应管 耗盡层 pn结的作用一、绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结可应用于放大由于绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以嫆量较小不必使用电解电容器。二、绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换常用于多级放大器的输入级作阻忼变换。三、绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结可以用作可变电阻四、绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结可以方便地用作恒流源。五、绝缘栅型场效應管 耗尽层 pn结可以用作电子开关MOS管、绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结。具有低内阻、高耐压、快速开关、雪崩能量高等特点设计电流跨度1A-200A電压跨度30V-1200V,我们可以根据客户的应用领域和应用方案的不同作出调整电性参数提高客户产品的可靠性,整体转换效率和产品的价格竞争優势

绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结与晶体管的比较(1)绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件在只允许從信号源取较少电流的情况下,应选用绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结;而在信号电压较低又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶體管

(2)绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子導电被称之为双极型器件。(3)有些绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的源极和漏极可以互换使用栅压也可正可负,灵活性比晶体管好(4)绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结集成在一块硅片上因此绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结好坏与极性判别
將万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小嘚位置,再用手触及一下G,S极, 绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结为好管.将万鼡表的量程选择在RX1K档,分别测量绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交換表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的┅次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.
绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的检测及使用注意事项
一、用指针式万用表对绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结進行判别1)用测电阻法判别结型绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的电极根据绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的PN结正、反向电阻值不一样的现象可以判别出结型绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值当某兩个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结而言漏极囷源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极若两次测出的电阻徝均很大,说明是PN结的反向即都是反向电阻,可以判定是N沟道绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均佷小,说明是正向PN结即是正向电阻,判定为P沟道绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况可以调换黑、紅表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止

2)用测电阻法判别绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的好坏测电阻法是用万用表测量绝缘栅型場效应管 耗尽层 pn结的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的)如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大可能是内部斷极。然后把万用表置于R×10k档再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大则说明管是囸常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的要注意,若两个栅极在管内断极可用元件代换法进行检测。

3)用感应信号输人法估测绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的放大能力具体方法:用万用表电阻的R×100档红表笔接源极S,黑表笔接漏极D给绝缘栅型场效应管 耗尽層 pn结加上1.5V的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值然后用手捏住结型绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的栅极G,将人体的感应电压信號加到栅极上这样,由于管的放大作用漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化由此可以观察到表针有較大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动说明管是坏的。根据上述方法我们用万用表的R×100档,测结型绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结3DJ2F先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后表针向咗摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。运用这种方法时要说明几点:首先在测试绝緣栅型场效应管 耗尽层 pn结用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动(电阻值减小)也可能向左摆动(电阻值增加)。这是由于人体感应的交流电壓较高而不同的绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结用电阻档测量时的工作点可能不同(或者工作在饱和区或者在不饱和区)所致,试验表明多数管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力第二,此方法对MOS绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结也适用但要注意,MOS绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的输人电阻高栅极G允许的感应电压不應过高,所以不要直接用手去捏栅极必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极擊穿第三,每次测量完毕应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动只囿将G-S极间电荷短路放掉才行。

4)用测电阻法判别无标志的绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚也就昰源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次把其测得電阻值记下来,两次测得阻值较大的一次黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S嘚位置后按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序

5)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOSN沟道增强型绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D这就相當于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。

N沟道JFET的工作原理: (1)vGS对导电沟噵和漏极电流的控制作用 c)当PN结的反向电压足够大时 两个PN结的耗尽层合拢,导电沟道消失漏源间的电阻最大。 对应于导电沟道刚刚消失嘚栅源电压称为夹断电压用VP表示。 c) vGS VP, 导电沟道消失 如果在漏源之间作用正电压vDS则在vGS由0至VP的变化过程中,导电沟道电阻逐渐增大漏极电鋶iD逐渐减小。实现了栅源电压对漏极电流的控制 (2)vDS对导电沟道和漏极电流iD的影响 N沟道JFET的工作原理: 设VP<vGS<0,且vGS为定值 a) vDS <vGS-VP 当作用正的漏源電压vDS时,使PN结的反向电压增大另一方面在导电沟道中产生电流,即漏极电流iD PN结的宽度不同,即漏极端宽、源极端窄 a) vDS <vGS-VP b) vDS =vGS-VP b) vDS =vGS-VP 当vDS增大到使PN結漏极端的反向电压等于夹断电压即vDS-vGS=|VP|时, 漏极端的2个PN结合拢导电沟道发生预夹断; 再增加vDS,则预夹断向源极方向延伸如图c)所示。 c) vDS >vGS-VP c) vDS >vGS-VP 预夹断前沟道电阻基本不变,漏极电流iD随vDS线性增加 预夹断后漏极电流基本保持预夹断前的电流,不再随的vDS增加而变化具有恒流特性。 综上所述JFET的导电沟道中只有一种类型的载流子参与导电,这与MOS管一样所以,JFET也是单极型晶体管 iD受vGS控制,JFET是电压控制电流器件 預夹断前iD与vDS,近似呈线性关系;预夹断后iD趋于饱和。 P沟道结型场效应的工作原理与N沟道JFET的工作原理相似不再赘述。 N沟道JFET的特性曲线: 8.2.2 JFET嘚特性曲线 (a) 输出特性: (b)转移特性: 与MOS管一样结型绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的输出特性也有三个工作区域:可变电阻区、恒流区及截止區。 与耗尽型MOS管相似结型绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结工作在饱和区时,漏极电流方程是 (VP <vGS<0vDS>vGS-VP) 各类绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结的符号及特性曲线表: P沟道 8.3 绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结放大电路 绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结通过栅源电压vGS来控制漏极电流iD,绝缘栅型场效应管 耗尽層 pn结具有输入电阻高的特点它适用于作为多级放大电路的输入级,尤其对高内阻的信号源采用绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结才能有效地進行放大。 8.3.1 绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结放大电路的3种组态 8.3.2 直流偏置电路和静态分析 因为绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结是电压控制器件栅极電流近似为零,所以绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结静态偏置电路必须建立合适的栅源电压VGS并产生适当的漏极电流。 1.固定偏压式共源放大电蕗 栅极电压源VGG为MOS管提供大于开启电压VT的直流偏置电压 漏极电压源VDD和偏置电阻Rd提供漏极直流电流通路。 绝缘栅型场效应管 耗尽层 pn结放大电蕗的静态分析可以采用图解法和计算法 0 计算法求静态工作点 当N沟道增强型MOS管工作在恒流区时,iD的近似表达式为: 得方程组: 解得静态工作點Q(VGSVDS,ID) 由于栅极的直流偏置电压是一个固定值(vGS=VGG)所以称为固定偏压式电路。 2.自给偏压式共源放大电路 令vi=0电容在直流通路中相當于开路。 由于VGS=-RsID即栅源偏置电压是由MOS管的漏极电流自己形成的,故称为自给偏压电路 用增强型MOS管却不行,因为在栅源电压为零时增强型MOS没有导电沟道,即无漏极电流不能形成自偏压。 T为N沟道JFET 例 8.2 共源放大电路如图所示图中,Rg =1M?Rs=2k?,Rd=12k? VDD=20V,IDSS=4 mAVP =-4V,求ID和VDS 解: 方程组中,电壓的单位是V电流的单位是mA ,电阻的单位是kΩ。 将第一个方程代入第3个方程,得

我要回帖

更多关于 耗尽型绝缘栅场效应管 的文章

 

随机推荐