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兰州大学 硕士学位论文 非平衡格林函数法在纳米量级MOS器件分析中的应用 姓名:张致琛 申请学位级别:硕士 专业:微电子学与固体电子学 指导教师:杨建红 兰州大学硕士学位论文 非平衡格林函数法在纳米量级MOS器件分析中的应用 摘 要 在现代集成电路中MOS器件的特征尺寸已降到100rim以下。器件的各部分作为—个 相互聯系的整体某些部分的尺寸是微米量级,但某些部分的尺寸却是纳米量级因此器件 得以工作的载流予输运机制既牵涉到经典的漂移—擴散输运机制,也牵涉到量子隧穿、热载 流子发射以及各种散射输运机制这给器件的物理分析带来了前所未有的难度。针对纳米量 级器件建立行之有效的解析理论分析模型已成为微电子学与固体电子学研究者十分关注并 着力研究的重要问题 本论文针对纳米量级MOS器件,采鼡先进的格林函数法来处理载流子的输运问题这 种方法的特点是数学处理困难,但是可以处理复杂输运机制如:弹道输运和散射输运。并 且可以得到更为准确可靠的结果特别适合分析线度小于30am的器件有源区的输运特性。 论文首先介绍了格林函数法的特点及其应用于分析器件中特殊问题的处理方法.然后以栅长 给出了器件的特性变化规律然后给出了—个包含多种器件物理效应的开启电压公式。论文 还描述了边界条件的处理方法和提高方程组收敛速度的方法部分研究结果已在Cllincsc Physics刊物上发表。 关键词: 非平衡格林函数纳米级双栅MOS,弹道輸运模型BUttikc.r探针散射模型,开启电压 兰州大学硕士学位论文 Green'sFunction

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