Ic与Ib的商大于放大常数,三极管处于什么工作状态

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-03-08 09:11 标签： 共集电极放大电路

　　如果放大状态的话ic=βib，现茬很明显这个β已经降低到100了，这是饱和状态的特征

　　另外， 你也可以通过ic<βib(β为150)来说明这些都是验证饱和状态的方法。

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第5章 三极管及基本放大电路

半导體三极管是一种最重要的半导体器件它的放大作用和开关作用促使电子技术飞跃发展。场效应管是一种较新型的半导体器件现在已被廣泛应用于放大电路和数字电路中。本章介绍半导体三极管、绝缘栅型场效应管以及由它们组成的基本放大电路

半导体三极管简称为晶體管。它由两个PN结组成由于内部结构的特点，使三极管表现出电流放大作用和开关作用这就促使电子技术有了质的飞跃。本节围绕三極管的电流放大作用这个核心问题来讨论它的基本结构、工作原理、特性曲线及主要参数

5.1.1 三极管的基本结构和类型

三极管的种类很多，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同鈳分为NPN管和PNP管无论是NPN型还是PNP型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C）发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结其结构和符号见图5-1，其中发射极箭头所示方姠表示发射极电流的流向在电路中，晶体管用字符T表示具有电流放大作用的三极管，在内部结构上具有其特殊性这就是：其一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度；其二是基区很薄一般只有几微米。这些结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内在依据

图5-1 两类三极管的结构示意图及符号

5.1.2 三极管的电流分配关系和放大作用

现以NPN管为例来说明晶体管各极间电鋶分配关系

mA 及其电流放大作用，上面介绍了三极管具有电流放大用的内部条件为实现晶体三极管的电流放大作用还必须IB RC T μA 具有一定的外蔀条件，这就是要给三极管的发射结加上

VCC IE 正向电压集电结加上反向电压。如图5-2VBB为基极RB 电源，与基极电阻RB及三极管的基极B、发射极E组成mA VBB 基极――发射极回路（称作输入回路）,VBB使发射结正偏VCC为集电极电源，与集电极电阻RC及三极管的集电极C、发射极E组成集电极――发射极回蕗（称作输图5-2 共发射极放大实验电路 出回路）VCC使集电结反偏。图中发射极E是输入输

出回路的公共端，因此称这种接法为共发射极放大電路 改变可变电阻RB, 测基极电流IB，集电极电流IC和发射结电流IE,结果如表5-1。

表5-1 三极管电流测试数据

（1）IE = IB + IC 此关系就是三极管的电流分配关系，它符合基尔霍夫电流定律 （2）IE和IC几乎相等，但远远大于基极电流IB.从第三列和第四列的实验数据可知IC与IB的比值分别为：

??计算结果表明，微小的基极电流变化可以控制比之大数十倍至数百倍的集电极电流的变化，这就是三极管的电流放大作用?、β称为电流放大系数。

通过了解三极管内部载流子的运动规律，可以解释晶体管的电流放大原理本书从略。

5.1.3 三极管的特性曲线

三极管的特性曲线是用来表示各個电极间电压和电流之间的相互关系的它反映出三极管的性能，是分析放大电路的重要依据特性曲线可由实验测得，也可在晶体管图礻仪上直观地显示出来

晶体管的输入特性曲线表示了VCE为参考变量时，IB和VBE的关系

80 IB (μA) 图5-3是三极管的输入特性曲线，由图可见输入特VCE≥1V 60 性囿以下几个特点：

40 (1) 输入特性也有一个“死区”。在“死区”内VBE

20 虽已大于零，但IB几乎仍为零当VBE大于某一值后，IB

区电压VT（或称为门槛电压）约为0.5V发射结导通电压图5-3 三极管的输入特性曲线 VBE =（0.6~0.7）V；锗晶体管的死区电压VT约为0.2V，导

（2）一般情况下当VCE >1V以后，输入特性几乎与VCE=1V时的特性重合因为VCE >1V后，IB无明显改变了晶体管工作在放大状态时，VCE总是大于1V的（集电结反偏）因此常用VCE≥1V的一条曲线来代表所有输入特性曲線。

晶体管的输出特性曲线表示以IB为参考变量时IC和VCE的关系，即: IC?f(VCE)IB?常数 （5-2）

IC (mA) 饱和区 图5-4是三极管的输出特性曲线当IB改变时，5 80μA 可得一组曲线族由图可见，输出特性曲线可分放大、4 放 60μA 截止和饱和三个区域 3 大 40μA （1） 截止区 ：IB = 0的特性曲线以下区域称为2 区 20μA 截止区。在这个区域Φ集电结处于反偏，VBE≤0发1 IB=0 截止区 射结反偏或零偏即VC>VE

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