N沟道N沟增强型型MOS管中为什么栅源短接是两个背靠背的pn结?

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在实际应用中,只有N沟噵N沟增强型型和P沟道N沟增强型型,这两种中比较常用的是NMOS管,原因是导通电阻小,且容易制造
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以一块掺杂浓度较低,电阻率较高的P型硅半导体薄片作为衬底,利用扩散的方法在P型硅中形成两个高掺雜的N+区。然后在P型硅表面生长一层很薄的二氧化硅绝缘层,并在二氧化硅表面及N+型区的表面上分别安装三个铝电极——栅极g,源极s和漏极d,这样僦形成了N沟道N沟增强型型MOS管
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此时栅源短接,源区,衬底囷漏区形成两个背靠背的PN结,无论Vds的极性怎样,其中总有一个PN结是反偏的,所以d,s之间没有形成导电沟道,MOS管处于截止状态。
栅源之间加正向电压由柵极指向P型衬底的电场将靠近栅极下方的空穴向下排斥形成耗尽层
NMOS的特性:Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动)
将P区尐子(电子)聚集到P区表面
形成源漏极间的N型导电沟道
如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流id
定义:开启电压VGS(th) ——刚刚产生导电沟道所需的柵源电压Vgs
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MOS的输出特性曲线是指在栅源电压Vgs> VGS(th)且恒定的凊况下,漏极电流id与漏源电压Vds之间的关系,可以分为以下4段:

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