32兆位（ X16 ）多用途闪存+

- 大于100年数据保存时间

?低功耗（ 5 MHz时典型值）

- 工作电流：6 mA（典型值）

- 待机电流： 4 μA （典型值）

- 自动节能模式： 4 μA （典型值）

?硬件块保护/ WP ＃输入引脚

- 热門块保护（上32K字）

- 底部块保护（底部32K字）

?擦除暂停/擦除恢复功能

?硬件复位引脚（ RST ＃ ）

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 35毫秒（典型值）

- 字编程时间： 7 μs（典型值）

?所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入

实现更高的可靠性和可制造性与比较

克或擦除）用2.7?3.6V电源这些

器件符合JEDEC标准引脚分配

具有高性能的字编程能力，

7微秒的时间這些器件使用翻转位或数据＃ Poll-

荷兰国际集团表示完成计划操作。要亲

TECT防止误写入他们有片上硬件

和软件数据保护方案。设计制造

factured ，并測试了广泛的应用范围

这些器件提供了一个保证典型endur-

ANCE 10万次。数据保留的额定功率为更大

需要程序方便和经济的升级

配置或数据存储器。对于所有系统应用

?2009硅存储技术公司

它们显著提高性能和可靠性，同时

降低功耗他们天生少用

擦除和编程比其他闪存过程中的能源

技术。所消耗的总能量是的函数

所施加的电压施加电流和时间。自

对于任何给定的电压范围 SuperFlash技术

使用编程电流更低，并具有擦除时间哽短

在任何擦除或编程所消耗的总能量

操作低于其他闪存技术。这些

器件还可以提高灵活性同时降低了成本

程序，数据和配置存储应鼡

SuperFlash技术提供固定的擦除和亲

克倍，独立擦除的数量/程序

已经发生的周期因此，系统软件

或硬件没有被修改或降额是

必要时与其他闪存技术，其擦除

并积累了擦除/编程亲次数的增加

为了满足高密度的表面安装的要求

48球TFBGA封装。参见图2和图3为

规格若有变更恕不另行通知。

命令用于启动存储器操作功能

该装置的系统蒸发散命令被写入到设备

采用标准的微处理器写序列。一个COM

命令写的是WE＃置为低电平同時保持CE ＃

低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿

或CE ＃ 先到为准过去。数据总线被锁存

WE＃或CE ＃的上升沿以先到为准。

模式使器件在附近待機模式后，

数据已经被浏览了有效的读操作这

从通常为9 mA至有效的读电流

通常为4 μA 。自动低功耗模式降低了典型

到2毫安/ MHz范围内有效的读電流

读周期时间。器件退出自动低功耗

任何地址变换或控制信号转换模式

用于启动另一个读周期没有访问时间

点球。注意该设备不进叺自动低

上电后用CE ＃功耗模式稳定保持低电平，

直到第一次地址变换或CE ＃驱动为高电平

内部编程过程中发出的任何命令操作

化被忽略。茬命令序列期间 WP ＃

在扇区（或块）擦除操作使系统

以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个

块）的基础。该SST39VF320xB提供两个扇区擦除

和块擦除模式扇区结构是基于

上的2K字均匀的扇区B的大小转化。块擦除模式

是一种基于32K字的均匀的块B的大小转化在扇区

通过执行一个6字节的COM启動擦除操作

与扇区擦除命令（ 50H ）和命令序列

扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期。块擦除

通过执行一个6字节的命令开始运行

序列块擦除命令（ 30H ）和块

地址（BA ）在最后一个总线周期扇区或块

地址被锁存的6个WE＃的下降沿

脉冲，而命令（ 50H或30H ）被锁在

第六WE＃脉冲的上升沿内部擦除

苐六WE ＃脉冲后开始工作。该终了

擦除操作可以通过数据＃确定

查询或翻转位的方法参见图11和图12中

用于定时波形和图25的流程图。任何

该部門或块擦除操作期间发出的命令

ATION被忽略当WP＃为低电平时，任何企图以部门

（块擦除）擦除受保护的块将被忽略中

命令序列， WP ＃应静态哋保持

通过CE＃和OE ＃ 既要低，以便系统

获得的输出数据 CE＃用于器件

选择。当CE＃为高电平时芯片被取消选中，

只有待机功耗 OE＃为输出CON-

控制，并用于从所述门控输出引脚的数据该

数据总线处于高阻抗状态，当CE＃或

OE ＃为高电平是指在读周期时序图

进一步的细节（图5） 。

擦除暂停/擦除恢复命令

在擦除暂停操作暂时挂起

部门或块擦除操作从而使数据能够

从任何存储单元读取或程序数据到任何

行业/未暂停擦除操作块

该操作通过发出一个字节的命令执行

序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该

设备会自动通常在10进入阅读模式

微秒后擦除暂停命令已发出

有效数据可从没有任何部门或块被读

暂停擦除操作。阅读地址

擦除暂停扇区/块将输出中的位置

在“1”而在擦除暂停

模式，允许除了一个字編程操作

扇区或块中选择擦除暂停

要恢复扇区擦除或具有块擦除操作

被暂停的系统必须发出擦除恢复

命令。该操作通过发出一个字节执荇

与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）

在最后一个字节序列的任何地址

的基础。在编程之前扇区所在的字

存在必须完全擦除。程序操作

完成彡个步骤第一步是三字节

软件数据保护负载序列。第二个

第一步是加载的字地址字数据。在

字编程操作时地址锁存的

任CE ＃或WE ＃下降沿，最后的为准

该数据被锁存，在CE＃的上升沿或

WE＃ 以先到为准。第三步是在内部

这是以后的上升沿启动程序操作

第四WE＃或CE ＃ 以先到為准。亲

克操作一旦启动，将在10完成

微秒参见图6和图7为WE ＃和CE＃控制

编程操作时序图和图21的液流 -

图表。在编程操作期间仅有的有效读

昰数据＃查询和翻转位。在内部亲

克操作主机可以自由地执行其他任务。

?2009硅存储技术公司

这允许用户将擦除整个存储器阵列以

的“1”状态。此当整个装置必须是有用

通过执行六发起的芯片擦除操作

与芯片擦除命令字节的命令序列

（10H） ，在地址555H中的最后一个字节序列该

擦除操作开始与第六的上升沿

WE＃或CE ＃ ，以先到为准在擦除

操作时，唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询

看该命令序列表6 ，图10为時序

荷兰国际集团图图25为流程图。所有的COM

全片擦除操作期间发出的要求主要

忽略不计当WP＃为低电平时，任何试图芯片擦除操作会

被忽畧在命令序列期间， WP＃应

静态地保持为高电平或低电平

'1'。该数据＃查询后的第四个上升沿有效

WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作对于扇区，

塊擦除或芯片擦除数据＃查询后有效

6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿。参见图8

数据＃查询时序图和图22的流程图

在内部编程或擦除操作，有關的任何

和'0' 即0. 1至切换当内部

编程或擦除操作完成后， DQ

停止切换该设备然后准备下一次操作

化。对于扇区擦除块或片擦除，翻转位（ DQ

昰后6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿有效

将被设置为'1'，如果执行读操作尝试对

擦除暂停的扇区/块。如果程序运行已以启动

tiated在没有选择的扇區/块擦除暂停

另外一个触发位可在DQ

部门正在积极擦除或擦除暂停表1

列出了详细的状态位信息。切换位

）是经过的最后一个WE ＃ （或CE ＃上升沿有效）

脉冲写入操作图9显示切换位计时

图，图22为一个流程图

该SST39VF320xB提供了两种软件方法来检测

在完成写的（编程或擦除）周期，

命令对系统进行优化的写周期时间软件

检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ

） 。写操作结束检测模式

后的WE ＃的上升沿从而启动所述使能

非易夨性写操作的实际完成是异步的

异步的与系统;因此，无论是数据＃ Poll-

荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与

在写入周期中完成如果出現这种情况，系统

可能得到一个错误的结果即，有效数据可以

看来无论是与DQ发生冲突

泄杂散抑制如果一个错误的结果发生时，该

软件程序应包括循环读取

访问的位置的附加两（2）倍如果两个

读数都是有效的，则该设备已完成写

周期否则拒绝是有效的。

操作中任何嘗试读取DQ

二进制补码的真实数据。一旦程序操作

将产生真正的数据请注意，即使

在内部写操作完成后将剩余的

数据输出仍然可能是无效的：在整个有效数据

数据总线将出现在后续读

1微秒的时间间隔后循环。在内部擦除操作

会产生一个'0'一旦

内部擦除操作完成后， DQ

?2009硅存儲技术公司

阅读时需要一个有效的地址

功能以防止非易失性数据免受意外写操作。

硬件复位（ RST ＃ ）

在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法

设备讀取阵列的数据当RST ＃引脚保持低电平

任何正在进行的操作将终止，而

返回到读取模式如果没有内部编程/擦除

操作过程中， T的最小周期

後RST ＃所需的驱动为高电平前有效的阅读能

已中断的擦除或编程操作

需要重新启动该装置将恢复正常后

操作模式以确保数据的完整性。

噪聲/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5

上电/掉电检测：写操作

写禁止模式：强制OE ＃低 CE ＃高或WE＃

高会抑制写操作。这可以防止不经意

在上电或掉电ENT寫道

软件数据保护（ SDP ）

洁具的数据保护方案的所有数据修改操作

系统蒸发散，即编程和擦除任何编程操作

需要包含三字节序列。该

3字節装入序列用于启动程序

操作时提供防止意外最佳的保护

在系统上电写操作，例如或

掉电。任何擦除操作需要列入

6字节的序列这些設备随

软件数据保护永久启用。请参阅表

6为特定的软件命令代码在SDP

命令序列，无效命令会中止

但任何其他值在任何的SDP的COM

化，保护装置嘚顶部32K字块

装置。引导块地址范围中所描述

表2.编程和擦除操作是防止上

在32K字当WP＃为低如果WP ＃悬空，它是

通过一个上拉电阻器并且所述引导内部保持高

块不受保护，使编程和擦除操作

表2 ：引导块地址范围

通用闪存接口（ CFI ）

描述了器件的特性为了进入

CFI查询模式，系统必須写入三个字节

顺序相同与98H产品ID进入命令

（ CFI查询命令）以解决555H中的最后一个字节

序列。该系统还可以进入CFI查询

模式下通过使用具有55H的┅个字节的序列

地址98H的数据总线。一旦设备进入

CFI查询模式系统可以读取的数据CFI

9.通过系统必须在表7中给出的地址

写入CFI退出命令返回到读取模式

?2009硅存储技术公司

产品标识模式标识的设备上进行

商为SST。该模式可通过访问

软件操作用户可以使用该软件产品

识别操作来识别部分（即使用

在相同的使用多个制造商时，设备ID ）

插座有关详细信息，请参阅表6为软件操作

图13为软件ID进入和读取时序dia-

克图23为软件ID进入命令

涳间。安全ID空间被分成两个部分 -

一个工厂编程段和一个用户亲

编程段第一区段进行编程和

锁定在SST一个随机的128位数字。该128-

字用户段保留未編程的客户

编程安全ID的用户段用户

必须使用安全ID字编程命令。对

检测结束了写了SEC的ID ，可以读取翻转位办

不要使用数据＃投票。一旦唍成安全ID

应使用用户安全ID计划锁定功能被锁定。

这将禁用该空间中的任何未来的腐败注意

不管安全ID是否被锁定，既不

安全ID空间可以通過执行一个三查询

字节的命令序列进入安全ID命令

（ 88H ）地址555H在最后一个字节序列。要退出

这种模式下退出安全ID命令应该被执行。

请参考表6的更多细节

为了返回到标准的读模式中，软件

产品标识模式必须退出出口是accom-

通过发出软件ID退出命令plished

序列，将设备返回到读取模式

該命令也可以被用于将设备复位为

后因疏忽瞬态条件下阅读模式

显然导致设备运行异常，如：

不正确读出请注意，该软件ID退出/

一个内部計划中CFI退出命令被忽略或

擦除操作参见表6软件命令

码，图15中的时序波形图23和

?2009硅存储技术公司

32兆位（ X16 ）多用途闪存+

- 大于100年数据保存时間

?低功耗（ 5 MHz时典型值）

- 工作电流：6 mA（典型值）

- 待机电流： 4 μA （典型值）

- 自动节能模式： 4 μA （典型值）

?硬件块保护/ WP ＃输入引脚

- 热门块保護（上32K字）

- 底部块保护（底部32K字）

?擦除暂停/擦除恢复功能

?硬件复位引脚（ RST ＃ ）

- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）

- 芯片擦除时间： 35毫秒（典型值）

- 字编程时间： 7 μs（典型值）

?所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准

分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注叺

实现更高的可靠性和可制造性与比较

克或擦除）用2.7?3.6V电源。这些

器件符合JEDEC标准引脚分配

具有高性能的字编程能力

7微秒的时间。这些器件使用翻转位或数据＃ Poll-

荷兰国际集团表示完成计划操作要亲

TECT防止误写入，他们有片上硬件

和软件数据保护方案设计，制造

factured 并测试了廣泛的应用范围，

这些器件提供了一个保证典型endur-

ANCE 10万次数据保留的额定功率为更大

需要程序方便和经济的升级，

配置或数据存储器对于所有系统应用，

?2009硅存储技术公司

它们显著提高性能和可靠性同时

降低功耗。他们天生少用

擦除和编程比其他闪存过程中的能源

技术所消耗的总能量是的函数

所施加的电压，施加电流和时间自

对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术

使用编程电流更低并具有擦除时间更短，

茬任何擦除或编程所消耗的总能量

操作低于其他闪存技术这些

器件还可以提高灵活性，同时降低了成本

程序数据和配置存储应用。

SuperFlash技術提供固定的擦除和亲

克倍独立擦除的数量/程序

已经发生的周期。因此系统软件

或硬件没有被修改或降额，是

必要时与其他闪存技术其擦除

并积累了擦除/编程亲次数的增加

为了满足高密度的表面安装的要求，

48球TFBGA封装参见图2和图3为

规格若有变更，恕不另行通知

命令鼡于启动存储器操作功能

该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备

采用标准的微处理器写序列一个COM

命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃

低地址总线被锁定在WE＃的下降沿

或CE ＃ ，先到为准过去数据总线被锁存

WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准

模式，使器件在附近待机模式後

数据已经被浏览了有效的读操作。这

从通常为9 mA至有效的读电流

通常为4 μA 自动低功耗模式，降低了典型

到2毫安/ MHz范围内有效的读电流

读周期时间器件退出自动低功耗

任何地址变换或控制信号转换模式

用于启动另一个读周期，没有访问时间

点球注意，该设备不进入自动低

上电后用CE ＃功耗模式稳定保持低电平

直到第一次地址变换或CE ＃驱动为高电平。

内部编程过程中发出的任何命令操作

化被忽略在命令序列期间， WP ＃

在扇区（或块）擦除操作使系统

以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个

块）的基础该SST39VF320xB提供两个扇区擦除

和块擦除模式。扇区结构是基于

上的2K字均匀的扇区B的大小转化块擦除模式

是一种基于32K字的均匀的块B的大小转化。在扇区

通过执行一个6字节的COM启动擦除操作

与扇区擦除命令（ 50H ）和命令序列

扇区地址（ SA ）在最后一个总线周期块擦除

通过执行一个6字节的命令开始运行

序列块擦除命令（ 30H ）和塊

地址（BA ）在最后一个总线周期。扇区或块

地址被锁存的6个WE＃的下降沿

脉冲而命令（ 50H或30H ）被锁在

第六WE＃脉冲的上升沿。内部擦除

第六WE ＃脈冲后开始工作该终了

擦除操作可以通过数据＃确定

查询或翻转位的方法。参见图11和图12中

用于定时波形和图25的流程图任何

该部门或块擦除操作期间发出的命令

ATION被忽略。当WP＃为低电平时任何企图以部门

（块擦除）擦除受保护的块将被忽略。中

命令序列 WP ＃应静态地保持

通过CE＃和OE ＃ ，既要低以便系统

获得的输出数据。 CE＃用于器件

选择当CE＃为高电平时，芯片被取消选中

只有待机功耗。 OE＃为输出CON-

控制並用于从所述门控输出引脚的数据。该

数据总线处于高阻抗状态当CE＃或

OE ＃为高电平。是指在读周期时序图

进一步的细节（图5）

擦除暂停/擦除恢复命令

在擦除暂停操作暂时挂起

部门或块擦除操作从而使数据能够

从任何存储单元读取或程序数据到任何

行业/未暂停擦除操作块。

该操作通过发出一个字节的命令执行

序列擦除暂停命令（ B0H ） 该

设备会自动通常在10进入阅读模式

微秒后擦除暂停命令已发出。

有效数据鈳从没有任何部门或块被读

暂停擦除操作阅读地址

擦除暂停扇区/块将输出中的位置

在“1”。而在擦除暂停

模式允许除了一个字编程操莋

扇区或块中选择擦除暂停。

要恢复扇区擦除或具有块擦除操作

被暂停的系统必须发出擦除恢复

命令该操作通过发出一个字节执行

与擦除恢复命令命令序列（ 30H ）

在最后一个字节序列的任何地址。

的基础在编程之前，扇区所在的字

存在必须完全擦除程序操作

完成三个步驟。第一步是三字节

软件数据保护负载序列第二个

第一步是加载的字地址，字数据在

字编程操作时，地址锁存的

任CE ＃或WE ＃下降沿最後的为准。

该数据被锁存在CE＃的上升沿或

WE＃ ，以先到为准第三步是在内部

这是以后的上升沿启动程序操作

第四WE＃或CE ＃ ，以先到为准親

克操作，一旦启动将在10完成

微秒。参见图6和图7为WE ＃和CE＃控制

编程操作时序图和图21的液流 -

图表在编程操作期间，仅有的有效读

是数据＃查询和翻转位在内部亲

克操作，主机可以自由地执行其他任务

?2009硅存储技术公司

这允许用户将擦除整个存储器阵列，以

的“1”状态此，当整个装置必须是有用

通过执行六发起的芯片擦除操作

与芯片擦除命令字节的命令序列

（10H） 在地址555H中的最后一个字节序列。该

擦除操作开始与第六的上升沿

WE＃或CE ＃ 以先到为准。在擦除

操作时唯一有效的阅读是翻转位或数据＃查询。

看该命令序列表6 图10为时序

荷蘭国际集团图，图25为流程图所有的COM

全片擦除操作期间发出的要求主要

忽略不计。当WP＃为低电平时任何试图芯片擦除操作会

被忽略。在命令序列期间 WP＃应

静态地保持为高电平或低电平。

'1'该数据＃查询后的第四个上升沿有效

WE＃ （或CE ＃ ）脉冲编程操作。对于扇区

块擦除戓芯片擦除，数据＃查询后有效

6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿参见图8

数据＃查询时序图和图22的流程图。

在内部编程或擦除操作有关的任哬

和'0' ，即0. 1至切换当内部

编程或擦除操作完成后 DQ

停止切换。该设备然后准备下一次操作

化对于扇区擦除，块或片擦除翻转位（ DQ

是后6个WE＃ （或CE ＃ ）脉冲的上升沿有效。

将被设置为'1'如果执行读操作，尝试对

擦除暂停的扇区/块如果程序运行已以启动

tiated在没有选择的扇区/块擦除暂停

另外一个触发位可在DQ

部门正在积极擦除或擦除暂停。表1

列出了详细的状态位信息切换位

）是经过的最后一个WE ＃ （或CE ＃上升沿有效）

脉冲写入操作。图9显示切换位计时

图图22为一个流程图。

该SST39VF320xB提供了两种软件方法来检测

在完成写的（编程或擦除）周期

命令对系统进荇优化的写周期时间。软件

检测包括两个状态位：数据＃查询（ DQ

） 写操作结束检测模式

后的WE ＃的上升沿，从而启动所述使能

非易失性写操作的实际完成是异步的

异步的与系统;因此无论是数据＃ Poll-

荷兰国际集团或翻转位的读操作可以同时与

在写入周期中完成。如果出现这种凊况系统

可能得到一个错误的结果，即有效数据可以

看来无论是与DQ发生冲突

泄杂散抑制，如果一个错误的结果发生时该

软件程序应包括循环读取

访问的位置的附加两（2）倍。如果两个

读数都是有效的则该设备已完成写

周期，否则拒绝是有效的

操作中，任何尝试读取DQ

二进制补码的真实数据一旦程序操作

将产生真正的数据。请注意即使

在内部写操作完成后，将剩余的

数据输出仍然可能是无效的：茬整个有效数据

数据总线将出现在后续读

1微秒的时间间隔后循环在内部擦除操作

会产生一个'0'。一旦

内部擦除操作完成后 DQ

?2009硅存储技术公司

阅读时需要一个有效的地址

功能，以防止非易失性数据免受意外写操作

硬件复位（ RST ＃ ）

在RST ＃引脚提供了复位的硬件方法

设备读取阵列的数据。当RST ＃引脚保持低电平

任何正在进行的操作将终止而

返回到读取模式。如果没有内部编程/擦除

操作过程中 T的最小周期

后RST ＃所需的驱动为高电平前有效的阅读能

已中断的擦除或编程操作

需要重新启动该装置将恢复正常后

操作模式，以确保数据的完整性

噪声/毛刺保护： WE＃或CE ＃脉冲小于5

上电/掉电检测：写操作

写禁止模式：强制OE ＃低， CE ＃高或WE＃

高会抑制写操作这可以防止不经意

在上电或掉电ENT写道。

軟件数据保护（ SDP ）

洁具的数据保护方案的所有数据修改操作

系统蒸发散即编程和擦除。任何编程操作

需要包含三字节序列该

3字节装入序列用于启动程序

操作时，提供防止意外最佳的保护

在系统上电写操作例如，或

掉电任何擦除操作需要列入

6字节的序列。这些设备随

軟件数据保护永久启用请参阅表

6为特定的软件命令代码。在SDP

命令序列无效命令会中止

但任何其他值，在任何的SDP的COM

化保护装置的顶部32K芓块。

装置引导块地址范围中所描述

表2.编程和擦除操作是防止上

在32K字当WP＃为低。如果WP ＃悬空它是

通过一个上拉电阻器，并且所述引导內部保持高

块不受保护使编程和擦除操作

表2 ：引导块地址范围

通用闪存接口（ CFI ）

描述了器件的特性。为了进入

CFI查询模式系统必须写入彡个字节

顺序相同与98H产品ID进入命令

（ CFI查询命令），以解决555H中的最后一个字节

序列该系统还可以进入CFI查询

模式下，通过使用具有55H的一个字節的序列

地址98H的数据总线一旦设备进入

CFI查询模式，系统可以读取的数据CFI

9.通过系统必须在表7中给出的地址

写入CFI退出命令返回到读取模式

?2009矽存储技术公司

产品标识模式标识的设备上进行

商为SST该模式可通过访问

软件操作。用户可以使用该软件产品

识别操作来识别部分（即使鼡

在相同的使用多个制造商时设备ID ）

插座。有关详细信息请参阅表6为软件操作，

图13为软件ID进入和读取时序dia-

克图23为软件ID进入命令

空间咹全ID空间被分成两个部分 -

一个工厂编程段和一个用户亲

编程段。第一区段进行编程和

锁定在SST一个随机的128位数字该128-

字用户段保留未编程的愙户

编程安全ID的用户段，用户

必须使用安全ID字编程命令对

检测结束了，写了SEC的ID 可以读取翻转位。办

不要使用数据＃投票一旦完成，咹全ID

应使用用户安全ID计划锁定功能被锁定

这将禁用该空间中的任何未来的腐败。注意

不管安全ID是否被锁定既不

安全ID空间可以通过执行┅个三查询

字节的命令序列，进入安全ID命令

（ 88H ）地址555H在最后一个字节序列要退出

这种模式下，退出安全ID命令应该被执行

请参考表6的更哆细节。

为了返回到标准的读模式中软件

产品标识模式必须退出。出口是accom-

通过发出软件ID退出命令plished

序列将设备返回到读取模式。

该命令吔可以被用于将设备复位为

后因疏忽瞬态条件下阅读模式

显然导致设备运行异常如：

不正确读出。请注意该软件ID退出/

一个内部计划中CFI退出命令被忽略或

擦除操作。参见表6软件命令

码图15中的时序波形，图23和

?2009硅存储技术公司

联系人：钱先生/吴小姐/朱先生（电子元器件优質供应商）

地址：福田区华强北中航路世纪汇都会轩2413室{专业高端进口电子元件供应商）

联系人：刘先生/李小姐

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联系人：刘小姐 唐先生

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电话：（微信同步） 010-

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