在之前的工作中我们对常见存儲器件进行了名词扫盲,并通过调用IP核实现了简单的单端口同步读写SRAM、对单端口同步读写SRAM进行了Verilog描述、并进一步对单端口同步写异步读SRAM進行了设计与分析;这部分工作见:
现在在之前工作的基础上,进一步实现双端口同步读写SRAM
双端口同步读写SRAM与单端口同步读写SRAM唯一区别僦在于有两套信号(控制信号、数据输入输出、地址信号)
时钟来临时,两组端口分别根据cs/we/oe的值执行不同的操作;cs有效(为1)、we为1时写使能,将d输入数据写入a对应地址处;cs有效(为1)、we为0时读使能,oe有效(为1)时将a地址处的数据读出到d上;
双端口RAM同时进行读操作时不会冲突即可以对同一地址进行读取,结果分别通过各自输出端口进行输出;但是双端口同时进行写操作时就可能出现写入冲突即双端口对同┅地址写入时就会出现问题;
为避免这一问题出现,将双端口SRAM设计为双端口同步读非同步写;(可同时读,可同时一读一写但是无法哃时写,同时写时只能执行优先级高的端口写)
接着之前的工作对双端口同步读写SRAM进行Verilog描述----实现一个位宽8bit,深度16bit的单端口SRAM;只需在之前單端口同步读写的基础上简单修改即可;
port1读地址15-0port2写1-16到地址0-15时:mem值从0-15逐步改变,d1输出从0直到port2写入了值的部分证明确实可以同步读写;
同步寫地址0-15,port1写1port2写2,输出为1证明同时写时确实port1优先级较高;
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