B掺杂Si中为什么B周围电荷密度往B原子的基态偏移

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进一步的只要我们得到晶体基態和激发态的电荷密度,就可以得到晶体的常见性质包括频率依赖的透光率等。

我们利用Vasp进行常规计算: 如何利用vasp得到激发态的能量和電荷密度

而GW准粒子近似就是用来求激发态的一种方法;此外,vasp也可以求体系的光学性质因此,

vasp是可以计算体系的激发态性质的

现在峩希望知道以下几个问题:

[1]计算激发态有哪些理论?例如GW近似、TDDFT近似这两个我知道。能简单介绍一下它们的工作原理么有哪些软件(请附版本)分别支持这些算法?例如PWscf/abinit/vasp/castep/MS/gaussion

[2]能否根据6.66节利用vasp计算体系的激发态性质?如果可以要如何设置INCAR文件?

[3]假设我得到了激发态的电荷密度可以用哪些软件作图?分别如何操作

[4]请给出H原子/H_2^+离子/H_2分子/Si的基态/激发态的能量/电荷密度

如果可以用其它软件计算也可以!

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