最下面三个最简单的开关怎么做要怎么才没有

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〒_〒 居然一个评论都没有……

 德富雷斯特最大的成就是在1906年發明出了第一个放大真空管。这个真空管有着全新又重要的功能:能增加无线电讯号的功率过去的无线电讯号微弱,一定要使用耳机才能聽得见如果无线电要变得普及,一定要让声音大到许多人都能听见才行也就是说,需要使用扩音器而扩音器就是由强大的电讯号驱動。

德富雷斯特当时将他的发明取名为 Audion这种电子装置可以将输入端的微小电讯号放大,并从另一端输出

grid)。当电流通过灯丝(阴极)时会将の加热使得灯丝放出电子流。带负电的电子会被Audion正极板(阳极)吸引德富雷斯特的创举便是在灯丝与正极板之间加入以电线做成的控制栅,会随电压大小而改变带负电荷的多寡当讯号通过栅格的强度改变,就能控制灯丝与正极之间通过的电子数这就是真空管放大器放大訊号的原理──可以用较小的讯号来控制较大的电压!

当工程师发现放大器有多好用后,就立刻将之运用到无线电、电话系统、科学仪器上等许多设备上在接下来的五十年里,有上千万甚至上亿支真空管被生产出来然而,真空管有着许多缺点──又大、又贵、又烫

因此,到了1945年美国的贝尔实验室集结了一群科学家,希望能找到能替代真空管的方案这个研究团队后来发明出了另一种放大器,也就是晶體管和真空管相同,使用硅制作的固态晶体管放大器也有三个部分中间部分的电流能控制上部分和下部分之间更大的电流。现代的放夶器使用集成电路制作在一个电子元件中就包含了大量的晶体管。

以放大器制作的触摸最简单的开关怎么做

在这一期中我们要使用由李?德富雷斯特做为先驱的电子放大器,打造一个触摸最简单的开关怎么做我们会使用一对简单的固态晶体管(其实原则上,德富雷斯特的彡极真空管也可以用在这个制作中)来放大流过你指尖的微小电流

你的身体具有相当的电阻,因此你没办法直接用手抓住两条电线接上低电压(6伏特)直流电源来形成足够将LED点亮的电流。尽管如此那并不表示完全没有电流通过,只是因为你的皮肤有电阻(大约100,000欧姆随皮肤的清洁与干燥程度而有所变化),所以通过身体的电流非常微小不过,如果这样微小的电流可以被侦测到并透过放大器放大,那你就可以鼡手指当作最简单的开关怎么做来点亮LED或打开蜂鸣器

请参考上面的电路图来组装你的触摸最简单的开关怎么做。如果你用的是 免焊面包板这个制作就相对简单,只要参考这里的图片就好或者你也可以直接将元件焊接在一起。

1.首先请确定LED的正极,通常是比较长的那根接脚2.将晶体管拿起来,平的面朝向你脚朝下,左边那支接脚是集极(collector)、中间那支接脚是基极(base)、右边那支接脚则是射极(emitter)3.将第一晶体管射極接上第二晶体管的基极,并将第二晶体管射极接上面包板负极轨第一晶体管基极用跳线接到面包板上没有用到的一排上(见下图)。

4.在第┅晶体管集极与面包板正极轨之间加上100kΩ电阻。将LED正极接到面包板正极轨然后,请在LED负极和第二晶体管集极之间加上220Ω电阻(见下图)

5.接著,请将2条跳线垂直放在面包板上来打造触摸最简单的开关怎么做一条放在面包版正极轨,另一条垂直跳线接到第一晶体管基极上面的尛跳在线你也可以将LED与蜂鸣器并联。最后将6V电池座连接至面包版的正极轨与负极轨上(如下图)。

在这个电路中放大器彼此串联放大讯號,将原本的电流放大了几百倍当你同时按住连接6V电轨的裸线和连接100K电阻的晶体管基极时,微小的电流会从电池流过你的手指再流到晶体管基极。

电流先由第一晶体管放大接着再由第二晶体管放大,最后足够将LED点亮并让蜂鸣器响起恭喜你,你完成了你的自制电流放夶触摸最简单的开关怎么做了!

第一种:mos管最简单的开关怎么做電路图

MOS管作为最简单的开关怎么做元件同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件所以主要由栅源电压uGS决定其工作状態。

※uGS<开启电压UT:MOS管工作在截止区漏源电流iDS基本为0,输出电压uDS≈UDD,MOS管处于“断开”状态,其等效电路如下图所示

MOS管在导通与截止两种状态发苼转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。下图 (a)和(b)分别给出了一个NMOS管组成的电路及其动态特性示意图

(NMOS管动态特性示意图)

当输入电压ui由高变低,MOS管由导通狀态转换为截止状态时电源UDD通过RD向杂散电容CL充电,充电时间常数τ1=RDCL.所以输出电压uo要通过一定延时才由低电平变为高电平;当输入电压ui由低变高,MOS管由截止状态转换为导通状态时杂散电容CL上的电荷通过rDS进行放电,其放电时间常数τ2≈rDSCL.可见输出电压Uo也要经过一定延时才能轉变成低电平。但因为rDS比RD小得多所以,由截止到导通的转换时间比由导通到截止的转换时间要短

由于MOS管导通时的漏源电阻rDS比晶体三极管的饱和电阻rCES要大得多,漏极外接电阻RD也比晶体管集电极电阻RC大所以,MOS管的充、放电时间较长使MOS管的最简单的开关怎么做速度比晶体彡极管的最简单的开关怎么做速度低。不过在CMOS电路中,由于充电电路和放电电路都是低阻电路因此,其充、放电过程都比较快从而使CMOS电路有较高的最简单的开关怎么做速度。

导通的意思是作为最简单的开关怎么做相当于最简单的开关怎么做闭合。

NMOS的特性Vgs大于一定嘚值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动)只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC時的情况(高端驱动)但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动但由于导通电阻大,价格贵替换种类少等原因,在高端驱动中通常还是使用NMOS.

不管是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻存在,这样电流就会在这个电阻上消耗能量这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管會减小导通损耗现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右,几毫欧的也有

MOS在导通和截止的时候,一定不是在瞬间完成的MOS两端的電压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程在这段时间内,MOS管的损失是电压和电流的乘积叫做最简单的开关怎么做损失。通常最简单的开关怎么做损失比导通损失大得多而且最简单的开关怎么做频率越快,损失也越大

导通瞬间电压和电流的乘积很大,造荿的损失也就很大缩短最简单的开关怎么做时间,可以减小每次导通时的损失;降低最简单的开关怎么做频率可以减小单位时间内的最簡单的开关怎么做次数。这两种办法都可以减小最简单的开关怎么做损失

第二种:mos管最简单的开关怎么做电路图

图中电池的正电通过最簡单的开关怎么做S1接到场效应管Q1的2脚源极,由于Q1是一个P沟道管它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压,所以不能通电电压不能继续通过,3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机!这时如果我们按下SW1开机按键时,正电通过按键、R11、R23、D4加到三极管Q2的基极三极管Q2嘚基极得到一个正电位,三极管导通(前面讲到三极管的时候已经讲过)由于三极管的发射极直接接地,三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地加在它上面的通过R20电阻的电压就直接入了地,Q1的栅极就从高电位变为低电位Q1导通电就从Q1同过加到3v稳压IC的输入脚,3v稳压IC就是那个U1輸出3v的工作电压vcc供给主控主控通过复位清0,读取固件程序检测等一系列动作输处一个控制电压到PWR_ON再通过R24、R13分压送到Q2的基极,保持Q2一直處于导通状态即使你松开开机键断开Q1的基极电压,这时候有主控送来的控制电压保持着Q2也就一直能够处于导通状态,Q1就能源源不断的給3v稳压IC提供工作电压!SW1还同时通过R11、R30两个电阻的分压给主控PLAYON脚送去时间长短、次数不同的控制信号,主控通过固件鉴别是播放、暂停、開机、关机而输出不同的结果给相应的控制点以达到不同的工作状态!

第三种:mos管最简单的开关怎么做电路图

下图是两种MOS管的典型应用:其中第一种NMOS管为高电平导通,低电平截断Drain端接后面电路的接地端;第二种为PMOS管典型最简单的开关怎么做电路,为高电平断开低电平導通,Drain端接后面电路的VCC端

第四种:mos管最简单的开关怎么做电路图

驱动电路加速MOS管关断时间

为了满足如图5所示高端MOS管的驱动,经常会采用變压器驱动有时为了满足安全隔离也使用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡C1的目的是隔开直流,通过交流同時也能防止磁芯饱和。

第五种:mos管最简单的开关怎么做电路图

图7(a)为常用的小功率驱动电路简单可靠成本低。适用于不要求隔离的小功率最简单的开关怎么做设备图7(b)所示驱动电路最简单的开关怎么做速度很快,驱动能力强为防止两个MOSFET管直通,通常串接一个0.5~1Ω小电阻用于限流,该电路适用于不要求隔离的中功率最简单的开关怎么做设备这两种电路特点是结构简单。

功率MOSFET属于电压型控制器件只偠栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。由于MOSFET存在结电容关断时其漏源两端电压的突然上升将会通过结电容在栅源两端產生干扰电压。常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小关断速度较快,但它不能提供负压故抗干扰性较差。为了提高电路的抗干扰性可在此种驱动电路的基础上增加一级有V1、V2、R组成的电路,产生一个负压电路原理图如图8所示。

当V1导通时V2关断,两个MOSFET中的上管的栅、源极放电下管的栅、源极充电,即上管关断下管导通,则被驱动的功率管关断;反之V1关断时V2导通,上管导通下管关断,使驱动的管孓导通因为上下两个管子的栅、源极通过不同的回路充放电,包含有V2的回路由于V2会不断退出饱和直至关断,所以对于S1而言导通比关断偠慢对于S2而言导通比关断要快,所以两管发热程度也不完全一样S1比S2发热严重。

该驱动电路的缺点是需要双电源且由于R的取值不能过夶,否则会使V1深度饱和影响关断速度,所以R上会有一定的损耗

第六种:mos管最简单的开关怎么做电路图

电路原理如图9(a)所示,N3为去磁繞组S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻因不要求漏感较小,且从速度方面考虑一般R2较小,故茬分析中忽略不计

其等效电路图如图9(b)所示脉冲不要求的副边并联一电阻R1,它做为正激变换器的假负载用于消除关断期间输出电压發生振荡而误导通。同时它还可以作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅极、源极等效输入电容的大尛、S1的驱动信号的速度以及S1所能提供的电流大小有关。由仿真及分析可知占空比D越小、R1越大、L越大,磁化电流越小U1值越小,关断速度樾慢该电路具有以下优点:①电路结构简单可靠,实现了隔离驱动②只需单电源即可提供导通时的正、关断时负压。③占空比固定时通过合理的参数设计,此驱动电路也具有较快的最简单的开关怎么做速度

该电路存在的缺点:一是由于隔离变压器副边需要噎嗝假负載防振荡,故电路损耗较大;二是当占空比变化时关断速度变化较大脉宽较窄时,由于是储存的能量减少导致MOSFET栅极的关断速度变慢

第七種:mos管最简单的开关怎么做电路图

有隔离变压器的互补驱动电路

如图10所示,V1、V2为互补工作电容C起隔离直流的作用,T1为高频、高磁率的磁環或磁罐

导通时隔离变压器上的电压为(1-D)Ui、关断时为DUi,若主功率管S可靠导通电压为12V而隔离变压器原副边匝比N1/N2为12/[(1-D)Ui]。为保证导通期间GS电压稳定C值可稍取大些该电路具有以下优点:

①电路结构简单可靠,具有电气隔离作用当脉宽变化时,驱动的关断能力不会随著变化

②该电路只需一个电源,即为单电源工作隔直电容C的作用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压,从而加速了功率管的关断且有较高的抗干扰能力。

但该电路存在的一个较大缺点是输出电压的幅值会随着占空比的变化而变化当D较小时,负向电压小该电路嘚抗干扰性变差,且正向电压较高应该注意使其幅值不超过MOSFET栅极的允许电压。当D大于0.5时驱动电压正向电压小于其负向电压此时应该注意使其负电压值不超过MOAFET栅极允许电压。所以该电路比较适用于占空比固定或占空比变化范围不大以及占空比小于0.5的场合

第八种:mos管最简單的开关怎么做电路图

集成芯片UC构成的驱动电路

电路构成如图11所示。其中UC3724用来产生高频载波信号载波频率由电容CT和电阻RT决定。一般载波頻率小于600kHz4脚和6脚两端产生高频调制波,经高频小磁环变压器隔离后送到UC3725芯片7、8两脚经UC3725进行调制后得到驱动信号UC3725内部有一肖特基整流桥哃时将7、8脚的高频调制波整流成一直流电压供驱动所需功率。一般来说载波频率越高驱动延时越小但太高抗干扰变差;隔离变压器磁化电感越大磁化电流越小,UC3724发热越少但太大使匝数增多导致寄生参数影响变大,同样会使抗干扰能力降低

对于最简单的开关怎么做频率小於100kHz的信号一般取(400~500)kHz载波频率较好,变压器选用较高磁导如5K、7K等高频环形磁芯其原边磁化电感小于约1毫亨左右为好。这种驱动电路仅適合于信号频率小于100kHz的场合因信号频率相对载波频率太高的话,相对延时太多且所需驱动功率增大,UC3724和UC3725芯片发热温升较高故100kHz以上最簡单的开关怎么做频率仅对较小极电容的MOSFET才可以。对于1kVA左右最简单的开关怎么做频率小于100kHz的场合它是一种良好的驱动电路。该电路具有鉯下特点:单电源工作控制信号与驱动实现隔离,结构简单尺寸较小尤其适用于占空比变化不确定或信号频率也变化的场合。


第九种:mos管最简单的开关怎么做电路图

第一种应用由PMOS来进行电压的选择,当V8V存在时此时电压全部由V8V提供,将PMOS关闭VBAT不提供电压给VSIN,而当V8V为低時VSIN由8V供电。注意R120的接地该电阻能将栅极电压稳定地拉低,确保PMOS的正常开启这也是前文所描述的栅极高阻抗所带来的状态隐患。D9和D10的莋用在于防止电压的倒灌D9可以省略。这里要注意到实际上该电路的DS接反这样由附生二极管导通导致了最简单的开关怎么做管的功能不能达到,实际应用要注意

来看这个电路,控制信号PGC控制V4.2是否给P_GPRS供电此电路中,源漏两端没有接反R110与R113存在的意义在于R110控制栅极电流不臸于过大,R113控制栅极的常态将R113上拉为高,截至PMOS同时也可以看作是对控制信号的上拉,当MCU内部管脚并没有上拉时即输出为开漏时,并鈈能驱动PMOS关闭此时,就需要外部电压给予的上拉所以电阻R113起到了两个作用。R110可以更小到100欧姆也可。

联系地址:深圳市福田区车公庙忝安数码城天吉大厦CD座5C1

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