数字cmos电路写逻辑表达式中,驱动门嘚灌电流是指其输出高电平时的电流

主从rs触发器在clk=1期间,rs之间不存在约束。

相邻最小项是指只有()个变量不同的最小项

关于各种触发器的描述,下列说法错误的是( )

od门的中文含义是集电极开路门cmos电路写逻辑表达式。

为实现数据传输的总线结构,要选用()门cmos电路写逻辑表达式

只能按哋址读出信息,而不能写入信息的存储器为( )

数字信号是在数值上和时间上都是不连续的,( )是数字信号的典型代表

在四变量卡诺图中,逻辑上不相鄰的一组最小项为()

静态存储器的存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。

十进制数127.25对应二进制数为( )

用2片74hc148优先编码器和适當的门cmos电路写逻辑表达式构成16线-4线优先编码器, a15′~a0′为16位低电平编码输入信号,其中a15′优先级最高,a0′优先级最低;z3~z0为4位高电平有效的编码输出信號,完善下面的逻辑cmos电路写逻辑表达式图。

时序cmos电路写逻辑表达式不含有记忆功能的器件

两个数相加一定会产生溢出现象

下列说法正确的昰( )

主从jk触发器在clk=1期间,主触发器可以实现多次翻转。

8位移位寄存器可以存放( )位二进制代码

计数器除了能对输入脉冲进行计数,还能作为分频器用。

16位补码整数所能表示的范围是( )

对于n沟道增强型mos管,当其漏极输出为高电平时,此时mos工作在( )

下列说法正确的是( )

工作时必须外接电源和电阻嘚逻辑门cmos电路写逻辑表达式是( )

组合逻辑cmos电路写逻辑表达式的竞争-冒险是由于( )引起的。

由于dram的存储单元的结构非常简单,所以它所能达到的集成度远高于sram

数字cmos电路写逻辑表达式中,驱动门的输出低电平最大值volmax与负载门g2输入低电平最大值vilmax的关系应满足 volmax ≤ vilmax 。

jk触发器的特性方程是()

脉沖触发器比边沿触发器的的抗干扰性好

一个4位移位寄存器原来的状态为0000,如果串行输入始终为1,则经过4个移位脉冲后寄存器的内容为( )。

时序cmos電路写逻辑表达式的等价状态是指在相同的输入下有相同的输出,并转换到同一个次态去的两个状态

在下列cmos电路写逻辑表达式中,只有( )属于組合逻辑cmos电路写逻辑表达式。

锁存器或触发器的1态是指( )

n个变量可以构成( )个最小项

时序逻辑cmos电路写逻辑表达式所谓自启动是指当cmos电路写逻輯表达式处在无效状态时,经过几个时钟周期后能够进入到有效状态。

用高电平为输出有效的实现组合逻辑cmos电路写逻辑表达式时,还需要( )

从制慥工艺上考虑,双极型的存储器比mos型的存储器功耗低,集成度高

对ttl与非门多余输入端的处理,不能将它们()。

有s1,s2两个状态,条件( )可以确定s1和s2不等价

用卡诺图化简下列逻辑函数

可以用来实现并/串转换和串/并转换的器件是( )

在二进制中,若输入有4位代码,则输出有( )个信号。

用低电平为输出有效的实现组合逻辑函数cmos电路写逻辑表达式时,还需要( )

将二进制、八进制和十六进制数转换为十进制数的共同规则是( )。

同步计数器是指( )的计數器

对于同一个逻辑函数,编号相同的最大项mi和最小项mi的关系是()

下列哪种存储器在出厂时数据已经确定了( )

常用的26个英文字符的大小写在计算机中是用其8421bcd码来表示的。

由与非门构成的基本rs锁存器的约束条件是sdrd = 0

周围环境的温度属于模拟量。

一个4位移位寄存器原来的状态为1111,如果串行输入始终为0,则经过4个移位脉冲后寄存器的内容为( )

在逻辑函数中,约束项是不可能或不允许出现的变量取值组合,其值总是等于 1。

只考虑夲位数而不考虑低位来的进位的加法称为( )

若4位同步二进制加法计数器当前的状态是0111,下一个输入时钟脉冲后,其内容变为( )

cmoscmos电路写逻辑表达式昰电流件。

用代码代表特定信号或者将代码赋予特定含义的过程称为( )

4位二进制数原码是0101,其补码是(); 4位二进制数原码是1101,其补码是()

负零的补码表礻为( )

下图中,三态门的使能端en是高电平有效,即当en=0时输出高阻态

移位寄存器的左移是指从低位移到高位。

以下关于格雷码的特点描述正确的昰 ( )

由或非门构成的基本rs锁存器的约束条件是sdrd = 0

组合逻辑cmos电路写逻辑表达式的竞争-冒险是由于cmos电路写逻辑表达式有多个输入引起的。

在组合邏辑cmos电路写逻辑表达式的常用设计方法中,可以用( )来表示逻辑抽象的结果

同步清除计数器是指( )的计数器

计算机的层次存储系统中,主存通常采用( )构成。

计算机的层次存储系统中,高速缓存通常采用( )构成

两个数相减一定不会产生溢出现象。

n个变量可以构成( )个最大项

数字cmos电路写邏辑表达式中的正逻辑是指用1 表示高电平,用0 表示低电平。

模拟信号是在数值上和时间上都是连续的,以下( )不是模拟信号

计算机中的所有信息都以二进制表示的原因是( )

从开关速度方面考虑,dram芯片比sram芯片速度快。

dram的存储单元是利用mos管栅极电容可以存储电荷的原理制成的

同时具有保持、置0、置1和翻转功能的触发器是( )。

存储容量为8k×8位的rom存储器,其地址线为( )条

表示一个三位十进制数至少需要( )位二进制数。

触发器是构荿寄存器的唯一单元

用与非门组成的基本rs触发器,不能正常工作的触发信号组合是( )。

在数字cmos电路写逻辑表达式和计算机中,只用( )种符号来表礻信息

2k×16b的存储器芯片,其存储容量有( )

十进制数14.625对应二进制数为( )

当门cmos电路写逻辑表达式的2个输入信号同时向相同方向跳变时,由于变化的速喥 不一样而在输出端产生错误的尖峰脉冲,这种现象称为竞争-冒险现象。( )

相邻最小项是指只有 1个变量不同的最小项( )

t触发器中,当t=1时,触发器实現( )功能。

以下哪种类型的触发器可以直接当做sr触发器来使用( )

下列门cmos电路写逻辑表达式工作速度最快的一种是()。

已知q3q2q1q0是同步十进制计数器嘚触发器输出,若以q3作进位,则其周期和正 脉冲宽度是( )

其逻辑功能相当于双向模拟开关的逻辑门是( )。

在逻辑函数中,对于变量的任一组取值,任意两个最小项的乘积为( );对于变量的任一组取值,全体最小项之和为( )

格雷码每一位的状态变化都没有规律可循。

以下cmos电路写逻辑表达式其作鼡相当于多个输入的单多掷开关的是( )

标准或与式是由( )构成的逻辑表达式

以下触发器类型,抗干扰性最好的是( )。

异或逻辑门完成的运算也称為模2加

编码器74hc148的输出信号输出选通标志 有效表示编码器工作并且有有效编码信号输入 。

漏极开路的门cmos电路写逻辑表达式可以将输出端直接接在一起实现线与功能,漏极开路的门门cmos电路写逻辑表达式在工作时必须要将输出端经下拉电阻接到地上

一个128选1的数据选择器有( )个选择控制信号输入端。

时序cmos电路写逻辑表达式中一定含有存储cmos电路写逻辑表达式

随机存取存储器具有( )功能。

锁存器或触发器的0态是指( )

在组合邏辑cmos电路写逻辑表达式的分析和设计方法中,都要用到的工具是 ( )

十进制代码的编码方案余3循环码是一种恒权码。

一个数据选择器的地址输叺端有5个时,最多可以有( )个数据信号输出

下图所示cmos门cmos电路写逻辑表达式的逻辑功能是()门

在组合逻辑cmos电路写逻辑表达式中,任意时刻cmos电路写逻輯表达式的输出只跟当前输入的有关,而与cmos电路写逻辑表达式原来的状态无关。

根据逻辑代数的吸收律,a+ab=()

对任一逻辑式 y,若将其中所有的与换成戓,或换成与,0 换成 1 ,1 换成 0,原变量换成反变量,反变量换成原变量,则得到的结果就是y的对偶式

判断两个符号相同的二进制数相加会产生溢出的依據是符号位是否发生变化。

随机存储器与制度存储器的根本区别在于,正常工作状态下可以随时对存储器进行读写操作

型cmos电路写逻辑表达式中输出信号不仅取决于存储cmos电路写逻辑表达式的状态,而且还取决于输入变量

逻辑变量的取值,0比1小。

边沿结构的基础jk触发器是在clk时钟的( )触發的

一个64选1的数据选择器有( )个选择控制信号输入端。

逻辑相邻的最小项是指两个最小项只有一个变量互为反变量

以下不属于消除竞争-冒险现象方法的是( )。

逻辑变量的取值,1比0大

构成模值为256的二进制计数器,需要( )级触发器。

在时间和幅度上都断续变化的信号是数字信号,语言信号是数字信号

将逻辑函数中约束项和任意项统称为()

t?触发器的功能是时钟脉冲每作用一次,翻转一次,因此可以作为四分频器使用。

数字cmos電路写逻辑表达式中有( )中基本cmos电路写逻辑表达式

输出端可直接连在一起实现“线与”逻辑功能的门cmos电路写逻辑表达式是()。

若逻辑函数的朂小项表达式为 ,则其最大项表达式为

时序逻辑cmos电路写逻辑表达式中必须有( ).

主从jk触发器在clk=1期间,存在一次性变化。

一个数据选择器的地址输叺端有3个时,最多可以有( )个数据信号输出