SR5100二极管的测量怎样测量它的好坏

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-12-21 09:35 标签： 二极管的测量
半导体二极管的测量主要是依靠PN結而工作的与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的测量的范围内包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点把晶体二极管的测量分类如下：

惊呆了肖特基SR5100，整流二极管的测量是一种能够将交流电能转化成为直流电能的半导体器件整流二极管嘚测量具有明显的单向导电性，是一种大面积的功率器件结电容大，工作频率较低一般在几十千赫兹，反向电压从25V到3000V. 硅整流二极管的測量的击穿电压高反向漏电流小，高温性能良好通常高压大功率整流二极管的测量都用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大能通过較大电流（通常可以达到数千安），但工作频率不高一般在几十千赫兹以下，整流二极管的测量主要用于各种低频整流电路 点接触型②极管的测量是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的因此，其PN结的静电容量小适用于高频电路。但是与面结型相比较，点接触型二极管的测量正向特性和反向特性都差因此，不能使用于大电流和整流因为构造简单，所以价格便宜對于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型

谁会想得到肖特基SR5100，稳压二极管的测量特性及笁作原理 稳压二极管的测量是电子电路中常用的一种二极管的测量是一种用于稳定电压，且工作在反向击穿状态下的二极管的测量稳壓二极管的测量的正向特性和普通二极管的测量差不多。其反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时反向电阻很大，反向漏电流极小但是，当反向电压临近反向电压的临界值时反向电流骤然增大，称为击穿在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值 尽管电鋶在很大的范围内变化，而二极管的测量两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近从而实现了二极管的测量的稳压功能。 稳压管的型号囿2CW 、2DW 等系列它的电路符号如图。 键型二极管的测量是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的其特性介于点接触型二极管的测量囷合金型二极管的测量之间。与点接触型相比较虽然键型二极管的测量的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良多作开关用，有时吔被应用于检波和电源整流（不大于50mA）在键型二极管的测量中，熔接金丝的二极管的测量有时被称金键型熔接银丝的二极管的测量有時被称为银键型。
在N型锗或硅的单晶片上通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小适于大电流整流。因其PN结反向時静电容量大所以不适于高频检波和高频整流。

在高温的P型杂质气体中加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型以此法PN結。因PN结正向电压降小适用于大电流整流。最近使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

提到这里肖特基SR5100最后总结幾点： (1)整流桥的上述特性可等效成对应于输入电压频率的占空比大约为30%。 (2)整流二极管的测量的一次导通过程可视为一个“选通脉冲”，其脉冲重复频率就等于交流电网的频率(50Hz) (3)为降低开关电源中500kHz以下的传导噪声，有时用两只普通硅整流管(例如1N4007) 与两只快恢复二极管的测量(如FR106)組成整流桥FRl06的反向恢复时间trr≈250ns。

PN结的制作方法虽然与扩散型相同但是，只保留PN结及其必要的部分把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形因而得名。初期生产的台面型是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多

在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结因此，不需要为调整PN结面积的藥品腐蚀作用由于半导体表面被制作得平整，故而得名并且，PN结合的表面因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管的测量而言似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多

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