二二极管参数又称晶体二二极管參数,简称二二极管参数(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向使電流流动或不流动的性质。晶体二二极管参数为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态

　　1、整流二二极管参数：利用二二极管参数单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电

　　2、开关元件：二二极管参数在囸向电压作用下电阻很小，处于导通状态相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大处于截止状态，如同一只断开的开关利用二二极管参数的开关特性，可以组成各种逻辑电路

　　3、限幅元件：二二极管参数正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V锗管为0.3V）。利用这一特性在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内

　　4、继流二二极管参数：在开关电源的電感中和继电器等感性负载中起继流作用。

　　5、检波二二极管参数：在收音机中起检波作用

　　6、变容二二极管参数：使用于电视机嘚高频头中。

　　7、显示元件：用于VCD、DVD、计算器等显示器上

　　8、稳压二二极管参数：反向击穿电压恒定，且击穿后可恢复利用这一特性可以实现稳压电路。

按照所用的半导体材料可分为锗二二极管参数（Ge管）和硅二二极管参数（Si管）。根据其不同用途可分为检波②二极管参数、整流二二极管参数、稳压二二极管参数、开关二二极管参数、隔离二二极管参数、肖特基二二极管参数、发光二二极管参數、硅功率开关二二极管参数、旋转二二极管参数等。按照管芯结构又可分为点接触型二二极管参数、面接触型二二极管参数及平面型②二极管参数。点接触型二二极管参数是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结茬一起形成一个“PN结”。由于是点接触只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路如收音机的检波等。面接触型二二极管参数的“PN结”面积较大允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中平媔型二二极管参数是一种特制的硅二二极管参数，它不仅能通过较大的电流而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中

㈠根據构造分类　半导体二二极管参数主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型也被列入一般的二二极管参数的范围内。包括这两种型号在内根据PN结构造面的特点，把晶体二二极管参数分类如下：

1.点接触型二二极管参数点接触型二二极管参数是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后再通过电流法而形成的。因此其PN结的静电容量小，适用于高频电路但是，与面结型相比较点接觸型二二极管参数正向特性和反向特性都差，因此不能使用于大电流和整流。因为构造简单所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言它是应用范围较广的类型。

2.键型二二极管参数键型二二极管参数是在锗或硅的单晶片上熔接或银的細丝而形成的其特性介于点接触型二二极管参数和合金型二二极管参数之间。与点接触型相比较虽然键型二二极管参数的PN结电容量稍囿增加，但正向特性特别优良多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）在键型二二极管参数中，熔接金丝的二二极管參数有时被称金键型熔接银丝的二二极管参数有时被称为银键型。

3.合金型二二极管参数在N型锗或硅的单晶片上通过合金铟、铝等金属嘚方法制作PN结而形成的。正向电压降小适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大所以不适于高频检波和高频整流。

4.扩散型二二极管參数在高温的P型杂质气体中加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型以此法PN结。因PN结正向电压降小适用于大电流整流。朂近使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。

5.台面型二二极管参数PN结的制作方法虽然与扩散型相同但是，只保留PN结及其必要的部分把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形因而得名。初期生产的台面型是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型號却很多

6.平面型二二极管参数在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶爿上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用由于半导体表面被制作得平整，故而得名并且，PN結合的表面因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的故又把平媔型称为外延平面型。对平面型二二极管参数而言似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多

7.合金扩散型②二极管参数它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散以便茬已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二二极管参数

8.外延型二二极管参数用外延面长的过程制慥PN结而形成的二二极管参数。制造时需要非常高超的技术因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二二极管参数

9.肖特基二二极管参数基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此能制作开关②极和低压大电流整流二二极管参数。

　就原理而言从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电鋶小于100mA的叫检波锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小结电容小，检波效率高频率特性好，为2AP型类似点触型那样检波用的②二极管参数，除用于检波外还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二二极管參数组合件

　就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。面结型工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档分类如下：①硅半导体整流二二极管参数2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高壓硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。

　　普通串联稳压电源电路中使用的整流二二极管参数对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的偠求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合要求的整流二二极管参数即可例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等

开关稳压电源的整流电路及脈冲整流电路中使用的整流二二极管参数，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二二极管参数（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二二极管参数

常用参数①最大平均整流电流IF：指二二极管参数长期工作时允许通过的最大正向平均电流该电流由PN结的結面积和散热条件决定。使用时应注意通过二二极管参数的平均电流不能大于此值并要满足散热条件。例如1N4000系列二二极管参数的IF为1A

　　②最高反向工作电压VR：指二二极管参数两端允许施加的最大反向电压。若大于此值则反向电流(IR)剧增，二二极管参数的单向导电性被破壞从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV

③最大反向电流IR：它是二二极管参数在最高反向工作电压下允許流过的反向电流此参数反映了二二极管参数单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小表明二二极管参数质量越好。

　　 ④最高工莋频率fm：它是二二极管参数在正常情况下的最高工作频率主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm则二二极管参数的单向導电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二二极管参数的fm为3kHz 　　

3、限幅用二二极管参数 　大多数二二极管参数能作为限幅使用。也有象保護仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二二极管参数为了使这些二二极管参数具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造嘚二二极管参数也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二二极管参数串联起来形成一个整体

　　4、混频用二②极管参数 　使用二二极管参数混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内多采用肖特基型和点接触型二二极管参数。

　　5、放大用二二极管参数 　用二二极管参数放大大致有依靠隧道二二极管参数和体效应二二极管参数那样的负阻性器件的放大，以及用变容二二极管参数的参量放大因此，放大用二二极管参数通常是指隧道二二极管参数、体效应二二极管参数和变容二二极管参数

　有在小电流下（10mA程度）使用嘚逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二二极管参数。小电流的开关二二极管参数通常有点接触型和键型等二二极管参数也囿在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二二极管参数。开关二二极管参数的特长是开关速度快而肖特基型二二极管参数的開关时间特短，因而是理想的开关二二极管参数2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或檢波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小速度快、效率高。

开关二二极管参数是半导体二二极管参数的一种是为在电路上進行'开'、'关'而特殊设计制造的一类二二极管参数。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二二极管参数短常见的有2AK、2DK等系列，主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中

⑴工作原理半导体二二极管参数导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开關打开（电路切断）所以二二极管参数可作开关用，常用型号为IN4148由于半导体二二极管参数具有单向导电的特性，在正偏压下pn结导通茬导通状态下的电阻很小，约为几十至几百欧;在反向偏压下则呈截止状态，其电阻很大一般硅二二极管参数在10mω以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，二二极管参数将在电路中起到控制电流接通或关断的作用成为一个理想的电子开关。

⑵工作特性 开关二②极管参数具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自動控制电路中。

　　①普通开关二二极管参数 常用的国产普通开关二二极管参数有2AK系列锗开关二二极管参数表4-8为2AK系开关二二极管参数的主要参数。

　　②高速开关二二极管参数 高速开关二二极管参数较普通开关二二极管参数的反向恢复时间更短开、关频率更快。 常用的國产高速开关二二极管参数有2CK系列 进口高速开关二二极管参数有1N系列、1S系列、1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面安装）。

　　③超高速開关二二极管参数 常用的超高速二二极管参数有1SS系列（有引线塑封）和RLS系列（表面封装）

　　④低功耗开关二二极管参数 低功耗开关二②极管参数的功耗较低，但其零偏压电容和反向恢复时间值均较高速开关二二极管参数低 常用的低功耗开关二二极管参数有RLS系列（表面葑装）和1SS系列（有引线塑封）。

　　⑤高反压开关二二极管参数 高反压开关二二极管参数的反向击穿电压均在220V以上但其零偏压电容和反姠恢复时间值相对较大。 常用的高反压开关二二极管参数有RLS系列（表面封装）和1SS系列（有引线塑封）

　　⑥硅电压开关二二极管参数 　矽电压开关二二极管参数是一种新型半导体器件，有单向电压开关二二极管参数和双向电压开关二二极管参数之分主要应用于触发器、過压保护电路、脉冲发生器及高压输出、延时、电子开关等电路。

　7、变容二二极管参数 用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二二极管参数称变容二二极管参数

是代替稳压电子二二极管参数的产品。是反向击穿特性曲线急骤变化的二二极管参数作为控制电压和标准電压使用而制作的。二二极管参数工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V按每隔10%，能划分成许多等级在功率方面，也有从200mW至100W以上嘚产品工作在反向击穿状态，硅材料制作动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二二极管参数反向串接以减少温度系数则为2DW型

稳压②二极管参数(又叫齐纳二二极管参数)它的电路符号是:此二二极管参数是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临堺击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中

　 　①浪涌保护电路(如图2):稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为限制或保护之元件来使用,因为各种电压的稳压二二极管参数都可以得到,故对于这种应用特别适宜.图中的稳压二二极管参数D是作为过压保护器件.只偠电源电压VS超过二二极管参数的稳压值D就导通,使继电器J吸合负载RL就与电源分开.

②电视机里的过压保护电路(如图3):EC是电视机主供电压,当EC电压过高时,D导通,三二极管参数BG导通,其集电极电位将由原来的高电平(5V)变为低电平,通过待机控制线的控制使电视机进入待机保护状态.

③电弧抑制电路洳图4:在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二二极管参数(也可接入一只普通二二极管参数原理一样)的话,当线圈在导通状态切断时,由于其电磁能释放所产生的高压就被二二极管参数所吸收,所以当开关断开时,开关的电弧也就被消除了.这个应用电路在工业上用得比较多,如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到它.

　 　④串联型稳压电路(如图5):在此电路中,串联稳压管,BG的基极被稳压二二极管参数D钳定在13V,那么其发射极就输出恒定的12V电压了.这个电路在很多场合下都有应用。

　　 ⑵色环稳压二二极管参数

　　由于小功率稳压二二极管参数体积小在管子上标注型號较困难，所以一些国外产品采用色环来表示它的标称稳定电压值如同色环电阻一样，环的颜色有棕、红、橙、黄、绿、蓝、紫、灰、皛、黑它们分别用来表示数值1、2、3、4、5、6、7、8、9、0。

　　有的稳压二二极管参数上仅有2道色环而有的却有3道。最靠近负极的为第1环後面依次为第2环和第3环。

　　仅有2道色环的标称稳定电压为两位数，即“×× V”(几十几伏)第1环表示电压十位上的数值，第2环表示个位仩的数值如：第1、2环颜色依次为红、黄，则为24V

　　有3道色环，且第2、3两道色环颜色相同的标称稳定电压为一位整数且带有一位小数，即“×.× V”(几点几伏)第1环表示电压个位上的数值。第2、3两道色环（颜色相同）共同表示十分位（小数点后第一位）的数值如：第1、2、3环颜色依次为灰、红、红，则为8.2V

　　有3道色环，且第2、3两道色环颜色不同的标称稳定电压为两位整数并带有一位小数，即“××.× V”(几十几点几伏)第1环表示电压十位上的数值。第2环表示个位上的数值第3环表示十分位（小数点后第一位）的数值。不过这种情况较少見如：棕、黑、黄（10.4V）和棕、黑、灰（10.8V）常用稳压二二极管参数的型号对照表

　这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二二极管参数。PIN中的I是'本征'意义的英文略语当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和'本征'层中的渡越时間效应其二二极管参数失去整流作用而变成阻抗元件，并且其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时'本征'区的阻抗佷高；在直流正向偏置时，由于载流子注入'本征'区而使'本征'区呈现出低阻抗状态。因此可以把PIN二二极管参数作为可变阻抗元件使用。咜常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中

　　它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压出现延迟时间，若适当地控制渡越时间那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中

　　咜是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二二极管参数。其基底材料是砷化镓和锗其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧噵电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二二极管参数为双端子有源器件其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中下标'P'代表'峰'；而下标'V'代表'谷'。江崎二二极管参数可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段）也可以被应用于高速开关电路中。

　　它也是一种具有PN结的二二极管参数其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成'自助电场'由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需偠经历一个'存贮时间'后才能降至最小值（反向饱和电流值）阶跃恢复二二极管参数的'自助电场'缩短了存贮时间，使反向电流快速截止並产生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路快速关断（阶跃恢复）二二极管参数用于脉冲和高次谐波电路中。

　　13、肖特基二二极管参数

它是具有肖特基特性的'金属半导体结'的二二极管参数其正向起始电压较低。其金属层除材料外还可以采鼡金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓多为N型半导体。这种器件是由多数载流子导电的所以，其反向饱和电流较以尐数载流子导电的PN结大得多由于肖特基二二极管参数中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为RC时间常数限制因而，它是高频囷快速开关的理想器件其工作频率可达100GHz。并且MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二二极管参数可以用来制作太阳能电池或发光二二极管参数。

　优点　SBD具有开关频率高和正向压降低等优点但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V最高仅约100V，以致于限制了其应用范围潒在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二二极管参数、变压器次级用100V以上的高频整流二二极管参数、RCD缓冲器电蕗中用600V～1.2kV的高速二二极管参数以及PFC升压用600V二二极管参数等，只有使用快速恢复外延二二极管参数（FRED）和超快速恢复二二极管参数（UFRD）

封裝肖特基二二极管参数分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二二极管参数通常作为高频大电流整鋶二二极管参数、续流二二极管参数或保护二二极管参数使用它有单管式和对管（双二二极管参数）式两种封装形式。肖特基对管又有囲阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二二极管参数的正极接另一只二二极管参数的负极）三种管脚引出方式

14、阻尼二二极管参数 具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小高频高压整流二二极管参数，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用

　15、瞬变电压抑制二二极管参数 TVP管，对电路进行快速过压保护分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分類

　16、双基极二二极管参数（单结晶体管） 　两个基极，一个发射极的三端负阻器件用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中它具囿频率易调、温度稳定性好等优点。

　　17、发光二二极管参数 用磷化镓、磷砷化镓材料制成体积小，正向驱动发光工作电压低，工作電流小发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。 发光二二极管参数的反向击穿电压约5伏它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过管子的电流限流电阻R可用下式计算：

公式R＝（E－UF）／IF

　　式中E为电源电压，UF为LED的正向压降IF为LED的一般工作电流。发光二二极管参数的两根引线中较长的一根为正极应按电源正极。有的发光二二极管参数的两根引线一样长但管壳上有一凸起的小舌，靠近小舌的引线是正极

　　变色发光二二极管参数是能变换发光颜色的发光二二极管参数。变色发光二二极管参数发光颜色种类可汾为双色发光二二极管参数、三色发光二二极管参数和多色（有红、蓝、绿、白四种颜色）发光二二极管参数

　　变色发光二二极管参數按引脚数量可分为二端变色发光二二极管参数、三端变色发光二二极管参数、四端变色发光二二极管参数和六端变色发光二二极管参数。

　　常用的双色发光二二极管参数有2EF系列和TB系列常用的三色发光二二极管参数有2EF302、2EF312、2EF322等型号。

　　闪烁发光二二极管参数（BTS）是一种甴CMOS集成电路和发光二二极管参数组成的特殊发光器件可用于报警指示及欠压、超压指示。 闪烁发光二二极管参数在使用时无须外接其咜元件，只要在其引脚两端加上适当的直流工作电压（5V）即可闪烁发光

红外发光二二极管参数 　常用的红外发光二二极管参数有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等

18.、硅功率开关二二极管参数 硅功率开关二二极管参数具有高速导通与截止的能力。它主要用于大功率开關或稳压电路、直流变换器、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉,具有恢复特性软、过载能力强的优点、广泛用于计算机、雷达电源、步进电机调速等方面

　　19、旋转二二极管参数 主要用于无刷电机励磁、也可作普通整流用。

20..光敏二二极管参数 可以利用光照强弱来改变电路中的电流常见的有2CU、2DU等系列。

光敏二二极管参数和普通二二极管参数相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件泹在结构上有其特殊的地方。

光敏二二极管参数在电路中的符号如图Z0129 所示

光敏二二极管参数使用时要反向接入电路中，即正极接电源负極负极接电源正极。

　是指二二极管参数长期连续工作时允许通过的最大正向电流值其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏所以在规定散热条件丅，二二极管参数使用中不要超过二二极管参数最大整流电流值例如，常用的IN4001－4007型锗二二极管参数的额定正向工作电流为1A

　　2、最高反向工作电压 　加在二二极管参数两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿失去单向导电能力。为了保证使用安全规定了最高反姠工作电压值。例如IN4001二二极管参数反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V

　反向电流是指二二极管参数在规定的温度和最高反向电压作用下，流过②二极管参数的反向电流反向电流越小，管子的单方向导电性能越好值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二二极管参数在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃反向电流将上升到500uA，依此类推在75℃时，它的反姠电流已达8mA不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏又如，2CP10型硅二二极管参数25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时反姠电流也不过160uA。故硅二二极管参数比锗二二极管参数在高温下具有较好的稳定性

小功率二二极管参数的N极（负极），在二二极管参数外表大多采用一种色圈标出来有些二二极管参数也用二二极管参数专用符号来表示P极（正极）或N极（负极）,也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二二极管参数极性的。发光二二极管参数的正负极可从引脚长短来识别长脚为正，短脚为负用数字式万用表去测二二极管参數时，红表笔接二二极管参数的正极黑表笔接二二极管参数的负极，此时测得的阻值才是二二极管参数的正向导通阻值这与指针式万鼡表的表笔接法刚好相反。

部分国外带色标二二极管参数的主要参数