逆变器刚夹上电源逆变器200n08管就烧了请问是什么原因

根据分析机构 Yole 的数据显示英特爾和 Macom 在射频的GaN-on-Si 专利领域处于领先地位。

Yole 机构称英特尔的 RF-GaN-on-Si 专利组合主要涉及用于 SoC 的 III-N 晶体管、RF 开关、超短沟道长度、场板和 III-N/ 硅单片集成电路。英特尔采取了全球专利战略在美国和台湾分别有 17 项和 20 项专利正在申请中。

此外富士通(Fujitsu)拥有 40 多项专利,Macom 拥有 20 多项专利在 GaN-on-Si 射频领域的可执行知识产权方面处于领先地位。其中富士通的投资组合专注于硅基 GaN 材料特别是缓冲层,其发明可能在其他衬底上实现包括 SiC 或其他应用。

与英特尔一样富士通也采取了全球专利战略。相比之下Macom 的产品组合更侧重用于 RF 的 GaN-on-Si 器件,解决外延、器件、模块和封装级别嘚特定技术挑战例如,为了通过 HEMT-epi 结构中的反掺杂剂来解决寄生通道2015 年进行了一项强有力的专利申请工作。

Yole 在其新的 GaN on Silicon 专利分析中确定了 10 哆项相关专利申请此外,Macom 与 GaN-on-Si 相关的专利主要集中在美国尽管它现在已经要求国外对大量新发表的发明进行延期。

Yole 表示:“对 GaN-on-Si 技术用于電力应用的兴趣日益增长但这并没有显著地加速专利申请活动,”然而我们观察到英飞凌在收购 IR 后有稳步的专利申请活动,美国初创企业 Transphorm 成为一匹黑马产品组合显著增强源于富士通将其电源逆变器业务移交给这家公司。

Transphorm 的知识产权地位在 2014 年与 Furukawa Electric 达成许可协议后得到进一步加强Furukawa Electric 是 GaN on Si 专利领域的关键知识产权参与者。同样英飞凌科技也与另一家老牌 GaN 玩家松下签订了一项重要的知识产权许可协议,涉及 Si 和电仂电子专利领域

“在过去的几年里,在电力电子行业我们看到了市场对 GaN-HEMTs 越来越感兴趣,与 Si-MOSFET 相比GaN-HEMTs 带来了诱人的性能和成本竞争力,”Yole 介绍“除了创新的初创公司,几乎所有电力电子行业的集成设备制造商都提出与硅 MOSFET 解决方案相比,GaN-on-Si 器件使系统具有更高的功率、更高嘚效率和更小的脚印”

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