补充相关内容使词条更完整,還能快速升级赶紧来
功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能要求提高逐渐发展起来的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点特别适合在集成电路中作功率器件。
1、通态特性:大注入下基区和集電区发生调制效应通态压降很低
2、开关特性:关断过程中的电流集中现象:由于基区存在自偏压效应,在晶体管关断过程中使发射極边缘部分反偏边缘关断而中心仍导通,于是出现电流集中现象
3、二次击穿特性和所有继电器一样。值得说明的是当第一次雪崩擊穿后加在BJT上的能力超过临界值才产生二次击穿,也就是说二次击穿需要能量
1、作为放大器,应用在电源串联调压电路音频和超声波放大等领域
2、作为大功率半导体开关,电视机行输出电路电机控制,不停电电源和汽车电子
3、GTR模块应用于交流传动,逆变器和开关电源
1、当BE结正偏、CB结反偏时,功率晶体管处于放大模式
2、当BE结合CB结均正偏时功率晶体管处于饱和模式
3、当BE結零偏或反偏、CB结反偏时,功率晶体管处于截止模式
功率晶体管的放大作用表现为:用较小的基极电流可以控制较大的集电极电流;或者将较小的功率按比例放大为较大的功率。
2、电流定额:集电极最大电流Icm集电极持续电流Ic
3、集电极最大耗散功率:Pcm(管壳為25℃时)
4、最高结温Tmj(一般为150℃)
5、开关时间:开通时间、存储时间、下降时间
晶体管的电流放大系数与工作频率有关若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1、特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时,其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。 通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管,将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2、最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率 通常,高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα,而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。